专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明专利

TW370702B 具有改良溫度控制之晶圓支撐物失效
简体标题：具有改良温度控制之晶圆支撑物
公开(公告)号：TW370702B
公开(公告)日：1999-09-21
申请号：TW086116445
申请日：1997-11-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：亞諾.科羅登克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , Y10T279/23
摘要：用以支撐一工件之裝置。該裝置具有一機械或靜電夾頭，該夾頭具有一工件支撐表面，藉以導引一熱傳導氣體自至少一氣體供應汽門口流向一排洩口。一位於該排洩口上之壓力閥用以調整熱傳導氣體之壓力，以確保適當氣體密度供傳導冷卻，及適當氣體流動供該閥控制排氣。
简体摘要：用以支撑一工件之设备。该设备具有一机械或静电夹头，该夹头具有一工件支撑表面，借以导引一热传导气体自至少一气体供应汽门口流向一排泄口。一位于该排泄口上之压力阀用以调整热传导气体之压力，以确保适当气体密度供传导冷却，及适当气体流动供该阀控制排气。

82. 发明专利

TW360938B 陰極臺座直流電位主動控制裝置與方法失效
简体标题：阴极台座直流电位主动控制设备与方法
公开(公告)号：TW360938B
公开(公告)日：1999-06-11
申请号：TW086115226
申请日：1997-10-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：保羅E.盧雪爾 , 夏馬克.薩里米恩 , 馬克S.康特瑞斯 , 曼哈穆德.達伊梅納 , 理查R.梅特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , Y10T279/23
摘要：一種用以主動控制在半導體晶圓處理系統內一晶圓支持臺座的直流陰極電位之方法與裝置。該裝置包含有一經由射頻濾波器耦合到陰極臺座之可調式直流電源供應器。該可調式直流電源供應器受一由例如一電腦或其他控制線路之陰極偏壓控制單元產生的控制訊號予以主動控制。該陰極偏壓控制單元能簡單如一個操作者可調控制訊號，例如一變阻器。然而，為了該直流電源供應器的更準確控制，一回授電路被使用來產生一與陰極臺座上的峰對峰電壓成比例的控制訊號。施加直流偏壓給臺座造成晶圓與陰極間的直流電位差異縮小以及，因此防止發生自該晶圓到臺座之電弧。
简体摘要：一种用以主动控制在半导体晶圆处理系统内一晶圆支持台座的直流阴极电位之方法与设备。该设备包含有一经由射频滤波器耦合到阴极台座之可调式直流电源供应器。该可调式直流电源供应器受一由例如一电脑或其他控制线路之阴极偏压控制单元产生的控制信号予以主动控制。该阴极偏压控制单元能简单如一个操作者可调控制信号，例如一变阻器。然而，为了该直流电源供应器的更准确控制，一回授电路被使用来产生一与阴极台座上的峰对峰电压成比例的控制信号。施加直流偏压给台座造成晶圆与阴极间的直流电位差异缩小以及，因此防止发生自该晶圆到台座之电弧。

83. 发明专利

TW337560B 基板溫度控制法及基板溫度控制判定法失效
简体标题：基板温度控制法及基板温度控制判定法
公开(公告)号：TW337560B
公开(公告)日：1998-08-01
申请号：TW086115922
申请日：1997-10-28
申请人：安內華股份有限公司
发明人：池田真義
IPC分类号： G05D , H01L
CPC分类号： C23C16/507 , C23C16/45557 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/67248 , Y10T279/23
摘要：本發明之課題係以提供在基板處理裝置中，提高He氣體等之傳熱氣體之控制性並提高基板溫度之控制性之基板溫度控制法；及監視基板與基板配置面之間隙狀態而判定基板溫度控制狀態之基板溫度控制判定法。
本發明之解決手段係在處理室內予以處理被固定於基板夾具上之基板，而於處理基板之間，將He氣體予以流動於基板與基板配實面之間之間隙，以該當氣體之熱傳達特性來加以控制基板溫度，並於預定溫度將基板予以冷卻之電漿處理裝置之基板溫度控制法，而在壓力設定部5Oa中預先設定He氣體之壓力值，並以壓力計49來測定實際之壓力值，而在壓力控制閥46以可使測定壓力值得以等於設定壓力值來加以控制流量。而且在基板溫度控制判定部5Ob中藉由監視氣體流量來判定基板溫度控制。
简体摘要：本发明之课题系以提供在基板处理设备中，提高He气体等之传热气体之控制性并提高基板温度之控制性之基板温度控制法；及监视基板与基板配置面之间隙状态而判定基板温度控制状态之基板温度控制判定法。本发明之解决手段系在处理室内予以处理被固定于基板夹具上之基板，而于处理基板之间，将He气体予以流动于基板与基板配实面之间之间隙，以该当气体之热传达特性来加以控制基板温度，并于预定温度将基板予以冷却之等离子处理设备之基板温度控制法，而在压力设置部5Oa中预先设置He气体之压力值，并以压力计49来测定实际之压力值，而在压力控制阀46以可使测定压力值得以等于设置压力值来加以控制流量。而且在基板温度控制判定部5Ob中借由监视气体流量来判定基板温度控制。

84. 发明专利

TW328613B 用以將工作件自靜電夾頭放開的方法與裝置失效
简体标题：用以将工作件自静电夹头放开的方法与设备
公开(公告)号：TW328613B
公开(公告)日：1998-03-21
申请号：TW086108260
申请日：1997-06-14
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：維克特.雪爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , Y10T279/23
摘要：一種施加一振盪電壓至一靜電夾頭之一或多個電極之裝置與方法。此裝置係一連接於靜電夾頭電源供應器與一靜電夾頭之一或多個電極之間之切換電路。在一接觸位置，繼電器會施加靜電夾頭支固電壓至該 (等) 電極。在其第二接觸位置，則會將該 (等) 電極經由一電感連接至一預定電位，譬如，地電位。欲將晶圓自夾頭表面放開，需將繼電器從第一位置切換至第二位置使該 (等) 電極經由電感接地。由於晶圓與該 (等) 電極形成一平行板電容，故會使此電感與電容之組合構成一在一共振頻率振盪之諧振電路。因此，能量是以隨時間而衰減振盪之方式在電容與電感之間來回轉移，其中振盪衰減率是由諧振電路之 Q值所決定。此振盪能量會在晶圓 - 夾頭介面之二端產生一振盪電壓，因而釋放出晶圓與夾頭電極間之所有殘餘電荷。
简体摘要：一种施加一振荡电压至一静电夹头之一或多个电极之设备与方法。此设备系一连接于静电夹头电源供应器与一静电夹头之一或多个电极之间之切换电路。在一接触位置，继电器会施加静电夹头支固电压至该 (等) 电极。在其第二接触位置，则会将该 (等) 电极经由一电感连接至一预定电位，譬如，地电位。欲将晶圆自夹头表面放开，需将继电器从第一位置切换至第二位置使该 (等) 电极经由电感接地。由于晶圆与该 (等) 电极形成一平行板电容，故会使此电感与电容之组合构成一在一共振频率振荡之谐振电路。因此，能量是以随时间而衰减振荡之方式在电容与电感之间来回转移，其中振荡衰减率是由谐振电路之 Q值所决定。此振荡能量会在晶圆 - 夹头界面之二端产生一振荡电压，因而释放出晶圆与夹头电极间之所有残余电荷。

85. 发明专利

TWI601234B 載置台及電漿處理裝置有权
简体标题：载置台及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI601234B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103102215
申请日：2014-01-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山口伸 , YAMAGUCHI, SHIN , 林大輔 , HAYASHI, DAISUKE , 工藤恭久 , KUDO, YASUHISA
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/6831 , Y10T279/23

86. 发明专利

TWI567860B 晶圓承載裝置有权
简体标题：晶圆承载设备
公开(公告)号：TWI567860B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101142010
申请日：2012-11-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
发明人：鄭添誌 , CHENG, TIEN CHIH , 張郢 , ZHANG, YING , 孫書輝 , SUEN, SHU HUEI , 高晨喬 , KAO, CHEN CHIAO
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6875 , B05B13/02 , B05B15/00 , B24B7/228 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T279/23

87. 发明专利

TWI564991B 靜電吸盤有权
简体标题：静电吸盘
公开(公告)号：TWI564991B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104107852
申请日：2015-03-12
申请人： TOTO股份有限公司 , TOTO LTD.
发明人：山口康介 , YAMAGUCHI, KOSUKE , 穴田和輝 , ANADA, KAZUKI , 古賀達也 , KOGA, TATSUYA , 松井宏樹 , MATSUI, HIROKI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/6831 , H01L21/68757 , H01L2221/683 , H02N13/00 , Y10T279/23 , Y10T279/33

88. 发明专利

TWI525743B 靜電夾持裝置有权
简体标题：静电夹持设备
公开(公告)号：TWI525743B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101110064
申请日：2012-03-23
申请人：住友大阪水泥股份有限公司 , SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD.
发明人：三浦幸夫 , MIURA, YUKIO , 前田進一 , MAETA, SHINICHI , 佐藤隆 , SATOU, TAKASHI , 古內圭 , FURUUCHI, KEI
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , Y10T279/23

89. 发明专利

TWI483342B 移除基板與靜電卡鉗之間的電荷有权
简体标题：移除基板与静电卡钳之间的电荷
公开(公告)号：TWI483342B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099111951
申请日：2010-04-16
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：史東岱爾 , STONE, DALE , 史東留德米拉 , STONE, LYUDMILA , 派崔可勞斯 , PETRY, KLAUS , 蘇若恩大衛E , SUURONEN, DAVID E. , 布雷克朱利安G , BLAKE, JULIAN G.
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23

90. 发明专利

TWI473162B 用以蝕刻半導體晶圓之設備有权
简体标题：用以蚀刻半导体晶圆之设备
公开(公告)号：TWI473162B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW098116044
申请日：2009-05-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 譚天發 , TAN, TIEN FAK , 崔倫 , TSUEI, LUN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/6838 , Y10T279/23

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式