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81. 发明专利

TWI508400B 具有層結構之半導體雷射及其製造方法有权
简体标题：具有层结构之半导体激光及其制造方法
公开(公告)号：TWI508400B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102133349
申请日：2013-09-14
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：艾倫梅斯庫亞德里恩史提芬 , AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN , 布魯德羅喬治 , BRUEDERL, GEORG , 艾克勒克里斯托夫 , EICHLER, CHRISTOPH , 吉哈德思文 , GERHARD, SVEN , 勒莫特瑞沙 , LERMER, TERESA , 史楚斯威 , STRAUSS, UWE
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2031 , H01S5/2009 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3215 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031

82. 发明专利

TWI460948B 半導體光學放大器裝置及光學矩陣交換器有权
简体标题：半导体光学放大器设备及光学矩阵交换器
公开(公告)号：TWI460948B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW101115410
申请日：2012-04-30
申请人：阿卡特朗訊公司 , ALCATEL LUCENT
发明人：梅爾吉哈德 , MEYER, GERHARD
IPC分类号： H01S5/50 , G02B6/35
CPC分类号： H01S5/4031 , G02B6/3546 , H01S5/0071 , H01S5/0267 , H01S5/22 , H01S5/4087 , H01S5/50 , H01S5/5072 , H04J14/0212

83. 发明专利

TWI450414B 氮化物半導體裝置失效
简体标题：氮化物半导体设备
公开(公告)号：TWI450414B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW097139146
申请日：2008-10-09
申请人：羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD.
发明人：中川大輔 , NAKAGAWA, DAISUKE
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3216

84. 发明专利

TWI442658B 雷射晶粒的輸出特性參數的至少局部最佳化方法失效
简体标题：激光晶粒的输出特性参数的至少局部最优化方法
公开(公告)号：TWI442658B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW097120313
申请日：2008-05-30
申请人：芬尼莎股份有限公司 , FINISAR CORPORATION
发明人：蘇馬西馬尼西亞加拉真 , THIYAGARAJAN, SUMESH MANI K. , 阿詩西威瑪 , VERMA, ASHISH K.
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/2004 , H01S5/22 , H01S5/3213

86. 发明专利

TW201401699A 半導體雷射裝置組立體审中-公开
简体标题：半导体激光设备组三維
公开(公告)号：TW201401699A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102107936
申请日：2013-03-06
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：渡邊秀輝 , WATANABE, HIDEKI , 河野俊介 , KONO, SHUNSUKE , 倉本大 , KURAMOTO, MASARU
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S3/105 , H01S5/06253 , H01S5/0657 , H01S5/101 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/323 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要：本發明之半導體雷射裝置組立體包括：(A)半導體雷射元件10；及(B)繞射光柵101，其構成外部共振器，將0次以外之繞射光返回至半導體雷射元件10，且將0次繞射光輸出至外部；且繞射光柵101之繞射面所延伸之方向與入射至繞射光柵101之雷射光之電場之主振動方向大致平行。
简体摘要：本发明之半导体激光设备组三維包括：(A)半导体激光组件10；及(B)绕射光栅101，其构成外部共振器，将0次以外之绕射光返回至半导体激光组件10，且将0次绕射光输出至外部；且绕射光栅101之绕射面所延伸之方向与入射至绕射光栅101之激光光之电场之主振动方向大致平行。

87. 发明专利

TWI401821B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI401821B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW097141337
申请日：2008-10-28
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大塚健一 , KENICHI OHTSUKA , 樽井陽一郎 , YOICHIRO TARUI , 鈴木洋介 , YOSUKE SUZUKI , 塩沢勝臣 , KATSUOMI SHIOZAWA , 金本恭三 , KYOZO KANAMOTO , 大石敏之 , TOSHIYUKI OISHI , 德田安紀 , YASUNORI TOKUDA , 大森達夫 , TATSUO OMORI
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3063

88. 发明专利

TWI398062B 製造半導體雷射之方法失效
简体标题：制造半导体激光之方法
公开(公告)号：TWI398062B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098138482
申请日：2009-11-12
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：藤本強 , FUJIMOTO, TSUYOSHI , 大橋希美 , OHASHI, NOZOMI , 倉本大 , KURAMOTO, MASARU , 仲山英次 , NAKAYAMA, EIJI
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/22

89. 发明专利

TW201244311A 光半導體元件审中-公开
简体标题：光半导体组件
公开(公告)号：TW201244311A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101111146
申请日：2012-03-29
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：吉田喬久 , 鹽谷陽平 , 京野孝史 , 上野昌紀
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/4087 , B82Y20/00 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/2009 , H01S5/2063 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可小型化且可容易地製作之多波長之光半導體元件。半導體雷射元件1A包括:GaN基板10,其主面10a具有第1面方位;雷射構造部20,其成長於主面10a之第1區域上,且包含活性層24;GaN薄膜40,其經由接合層41而接合於主面10a之與第1區域不同之第2區域,且表面40a具有與第1面方位不同之第2面方位;及雷射構造部30,其成長於GaN薄膜40之表面40a上,且包含活性層34。活性層24、34分別具有包含In之井層,該等井層之發光波長互不相同。
简体摘要：本发明提供一种可小型化且可容易地制作之多波长之光半导体组件。半导体激光组件1A包括:GaN基板10,其主面10a具有第1面方位;激光构造部20,其成长于主面10a之第1区域上,且包含活性层24;GaN薄膜40,其经由接合层41而接合于主面10a之与第1区域不同之第2区域,且表面40a具有与第1面方位不同之第2面方位;及激光构造部30,其成长于GaN薄膜40之表面40a上,且包含活性层34。活性层24、34分别具有包含In之井层,该等井层之发光波长互不相同。

90. 发明专利

TWI370596B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 有权
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI370596B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW097106453
申请日：2008-02-25
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：【課題】藉由簡單步驟，製造在GaN系材料之LD中具
有COD耐性高之窗構造的LD。
【解決手段】包含：將包含在n-GaN基板12上依序疊層
有分別由GaN系材料所形成的緩衝層14、第1n-被覆層16、第2n-被覆層18、第3n-被覆層20、n側光導引層22、屬於量子井構造的活性層26、及p側SCH層28、電子障壁層30、p側光導引層32、p-被覆層34及接觸層36，而形成半導體疊層構造55的步驟；將包含半導體疊層構造55的半導體晶圓劈開而使半導體疊層構造55之劈開端面58露出的步驟；以及在所露出之劈開端面上形成SiO2膜60而藉由根據既定之熱處理的Ga空孔擴散，將活性層26予以無秩序化的步驟。
简体摘要：【课题】借由简单步骤，制造在GaN系材料之LD中具有COD耐性高之窗构造的LD。【解决手段】包含：将包含在n-GaN基板12上依序叠层有分别由GaN系材料所形成的缓冲层14、第1n-被覆层16、第2n-被覆层18、第3n-被覆层20、n侧光导引层22、属于量子井构造的活性层26、及p侧SCH层28、电子障壁层30、p侧光导引层32、p-被覆层34及接触层36，而形成半导体叠层构造55的步骤；将包含半导体叠层构造55的半导体晶圆噼开而使半导体叠层构造55之噼开端面58露出的步骤；以及在所露出之噼开端面上形成SiO2膜60而借由根据既定之热处理的Ga空孔扩散，将活性层26予以无秩序化的步骤。

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