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81. 发明专利

TW200908138A 開孔之硬遮罩及藉由開孔之硬遮罩施行之蝕刻輪廓控制 HARDMASK OPEN AND ETCH PROFILE CONTROL WITH HARDMASK OPEN 审中-公开
简体标题：开孔之硬遮罩及借由开孔之硬遮罩施行之蚀刻轮廓控制 HARDMASK OPEN AND ETCH PROFILE CONTROL WITH HARDMASK OPEN
公开(公告)号：TW200908138A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097116283
申请日：2008-05-02
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：李鍾弼 LEE, JONG PIL , 川口晴司 KAWAGUCHI, SEIJI , 可密里亞盧素 RUSU, CAMELIA , 黃繼頌 HUANG, ZHISONG , 馬庫德史寧凡森 SRINIVASAN, MUKUND , 艾瑞克哈得森 HUDSON, ERIC , 亞倫艾普勒 EPPLER, AARON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31122
摘要：茲提供一種碳基硬遮罩層的開孔方法,該碳基硬遮罩層形成於一蝕刻層上,該蝕刻層位於一基板上方。該硬遮罩層配置於一圖型化遮罩下方,而將該基板置放於一電漿處理室中。藉由使包含一COS成分之一硬遮罩開孔氣體流入該電漿處理室內;從該硬遮罩開孔氣體形成一電漿;及停止該硬遮罩開孔氣體的流動,而將該硬遮罩層開孔。該硬遮罩層可由非晶形碳或旋塗式碳所組成,而該硬遮罩開孔氣體可更包含O2。
简体摘要：兹提供一种碳基硬遮罩层的开孔方法,该碳基硬遮罩层形成于一蚀刻层上,该蚀刻层位于一基板上方。该硬遮罩层配置于一图型化遮罩下方,而将该基板置放于一等离子处理室中。借由使包含一COS成分之一硬遮罩开孔气体流入该等离子处理室内;从该硬遮罩开孔气体形成一等离子;及停止该硬遮罩开孔气体的流动,而将该硬遮罩层开孔。该硬遮罩层可由非晶形碳或旋涂式碳所组成,而该硬遮罩开孔气体可更包含O2。

82. 发明专利

TW200907118A 利用多相溶液之基板清理技術 SUBSTRATE CLEANING TECHNIQUES EMPLOYING MULTI-PHASE SOLUTION 失效
简体标题：利用多相溶液之基板清理技术 SUBSTRATE CLEANING TECHNIQUES EMPLOYING MULTI-PHASE SOLUTION
公开(公告)号：TW200907118A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097115555
申请日：2008-04-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C.
IPC分类号： C25F , B08B , H01L
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/02052 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67751
摘要：一種清理半導體晶圓之相對表面的方法與系統,於該等相對表面上具有微粒物質。該方法包含在一流體與該基板之間產生相對運動。該相對運動係位於橫切該等相對表面其中之一之法向的方向,並且產生兩分離流。每一該等流係鄰接於該等相對表面其中之一,該相對表面係不同於該等複數流的剩餘流所鄰接的該相對表面。該流體具有混入於其中的耦合元件,並且該相對運動被建立而對該等耦合元件的一子集合施予足夠的拖曳力,以在該流體內產生該子集合之該等耦合元件的運動。以此種方式對該微粒物質施予一拖曳力,該拖曳力可導致該微粒物質相對於該基板而移動。
简体摘要：一种清理半导体晶圆之相对表面的方法与系统,于该等相对表面上具有微粒物质。该方法包含在一流体与该基板之间产生相对运动。该相对运动系位于横切该等相对表面其中之一之法向的方向,并且产生两分离流。每一该等流系邻接于该等相对表面其中之一,该相对表面系不同于该等复数流的剩余流所邻接的该相对表面。该流体具有混入于其中的耦合组件,并且该相对运动被创建而对该等耦合组件的一子集合施予足够的拖曳力,以在该流体内产生该子集合之该等耦合组件的运动。以此种方式对该微粒物质施予一拖曳力,该拖曳力可导致该微粒物质相对于该基板而移动。

83. 发明专利

TW200903647A 疊層加熱器用之高功率電連接器 HIGH POWER ELECTRICAL CONNECTOR FOR A LAMINATED HEATER 审中-公开
简体标题：叠层加热器用之高功率电连接器 HIGH POWER ELECTRICAL CONNECTOR FOR A LAMINATED HEATER
公开(公告)号：TW200903647A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097109036
申请日：2008-03-14
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：阿諾德科洛丹可 KHOLODENKO, ARNOLD , 羅素馬汀 MARTIN, RUSSELL , 約翰瑞斯尼克 RASNICK, JOHN , 克利斯多夫肯伯 KIMBALL, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05B3/06
摘要：一種電連接器,包含一非導電外殼及一安裝於該外殼內的彈簧載入之導電組件。該非導電外殼具有一縱軸,該彈簧載入之導電組件可沿該縱軸而在任一方向上移動一有限範圍。該導電組件包含一導電接觸墊及一導電延長軸,其在該非導電外殼內配接在一起。沿接觸軸安裝並與此相接界之一彈簧,沿遠離接觸基部之方向偏壓接觸軸。當在具有整合疊層加熱器之腔室帽蓋組件的腔室帽蓋中採用該電連接器時,例如結合一晶圓處理室使用,彈簧偏壓該接觸軸之下表面對抗該加熱器。
简体摘要：一种电连接器,包含一非导电外壳及一安装于该外壳内的弹簧加载之导电组件。该非导电外壳具有一纵轴,该弹簧加载之导电组件可沿该纵轴而在任一方向上移动一有限范围。该导电组件包含一导电接触垫及一导电延长轴,其在该非导电外壳内配接在一起。沿接触轴安装并与此相接界之一弹簧,沿远离接触基部之方向偏压接触轴。当在具有集成叠层加热器之腔室帽盖组件的腔室帽盖中采用该电连接器时,例如结合一晶圆处理室使用,弹簧偏压该接触轴之下表面对抗该加热器。

84. 发明专利

TW200903629A 用以在面對晶圓的電極上感應產生直流電壓的方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING DC VOLTAGE ON WAFER-FACING ELECTRODE 审中-公开
简体标题：用以在面对晶圆的电极上感应产生直流电压的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING DC VOLTAGE ON WAFER-FACING ELECTRODE
公开(公告)号：TW200903629A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097111300
申请日：2008-03-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅金德漢沙 DHINDSA, RAJINDER , 艾力西瑪瑞塔諾 MARAKHTANOV, ALEXEI , 艾瑞克哈得森 HUDSON, ERIC , 安德里斯費雪 FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091
摘要：揭示一種基板處理之方法。此方法包含支撐基板於設置有第一電極及第二電極的電漿處理腔室中。此方法亦包含耦合被動射頻(RF)電路至第二電極,被動RF電路係用以調整RF阻抗、RF電壓電位、及第二電極上的DC偏壓電位其中之一或更多者。
简体摘要：揭示一种基板处理之方法。此方法包含支撑基板于设置有第一电极及第二电极的等离子处理腔室中。此方法亦包含耦合被动射频(RF)电路至第二电极,被动RF电路系用以调整RF阻抗、RF电压电位、及第二电极上的DC偏压电位其中之一或更多者。

85. 发明专利

TW200903626A 具有可變功率之邊緣電極 EDGE ELECTRODES WITH VARIABLE POWER 审中-公开
简体标题：具有可变功率之边缘电极 EDGE ELECTRODES WITH VARIABLE POWER
公开(公告)号：TW200903626A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097107513
申请日：2008-03-04
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：葛瑞格里S 薩克士頓 SEXTON, GREGORY S. , 安祖D 貝利三世 BAILEY III, ANDREW D. , 安卓斯庫提 KUTHI, ANDRAS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02087 , B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01L21/67069
摘要：本案實施例提供移除接近基板斜角邊緣、及腔室內部之蝕刻副產物、介電膜及金屬膜的構造及機構,以避免聚合物副產物及沉積薄膜的累積並改善製程良率。在一例示性實施例中,提供一種用以清理基板之斜角邊緣的電漿處理室。該電漿處理室包含一下電極,用以安置該基板,其中該下電極係耦合至一射頻(RF)電源。該電漿處理室亦包含一上邊緣電極,圍繞面對該下電極的一絕緣板。該上邊緣電極係為電性接地。該電漿處理室更包含一下邊緣電極,圍繞該下電極。該下邊緣電極面對該上邊緣電極。該上邊緣電極、配置於該下電極上的該基板、及該下邊緣電極係用以產生一清理電漿以清理該基板的該斜角邊緣。該下邊緣電極及該下電極係經由一RF電路而彼此電性耦合,該RF電路為可調以調整流經配置於該下電極上的該基板、該下邊緣電極與該上邊緣電極之間的RF電流量。
简体摘要：本案实施例提供移除接近基板斜角边缘、及腔室内部之蚀刻副产物、介电膜及金属膜的构造及机构,以避免聚合物副产物及沉积薄膜的累积并改善制程良率。在一例示性实施例中,提供一种用以清理基板之斜角边缘的等离子处理室。该等离子处理室包含一下电极,用以安置该基板,其中该下电极系耦合至一射频(RF)电源。该等离子处理室亦包含一上边缘电极,围绕面对该下电极的一绝缘板。该上边缘电极系为电性接地。该等离子处理室更包含一下边缘电极,围绕该下电极。该下边缘电极面对该上边缘电极。该上边缘电极、配置于该下电极上的该基板、及该下边缘电极系用以产生一清理等离子以清理该基板的该斜角边缘。该下边缘电极及该下电极系经由一RF电路而彼此电性耦合,该RF电路为可调以调整流经配置于该下电极上的该基板、该下边缘电极与该上边缘电极之间的RF电流量。

86. 发明专利

TW200903576A 電漿處理設備用之噴淋頭電極組件 SHOWERHEAD ELECTRODE ASSEMBLIES FOR PLASMA PROCESSING APPARATUSES 审中-公开
简体标题：等离子处理设备用之喷淋头电极组件 SHOWERHEAD ELECTRODE ASSEMBLIES FOR PLASMA PROCESSING APPARATUSES
公开(公告)号：TW200903576A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097121773
申请日：2008-06-11
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：湯瑪斯R 史蒂文生 STEVENSON, THOMAS R. , 安東尼德拉爾拉 LLERA, ANTHONY DE LA , 沙瑞伯艾略爾 ULLAL, SAURABH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32724
摘要：本發明揭露噴淋頭電極組件,其包含:一噴淋頭電極,安裝在一真空室的內部;一選用的支撐板,附接於該噴淋頭電極;一熱控制板,在橫越該支撐板或該噴淋頭電極的多個接觸點處,附接於該支撐板或該噴淋頭電極;以及至少一導熱導電襯墊,用以在該等接觸點處分隔該支撐板與該熱控制板、或分隔該熱控制板與該噴淋頭電極。本發明亦揭露使用該等噴淋頭電極組件來處理半導體基板的方法。
简体摘要：本发明揭露喷淋头电极组件,其包含:一喷淋头电极,安装在一真空室的内部;一选用的支撑板,附接于该喷淋头电极;一热控制板,在横越该支撑板或该喷淋头电极的多个接触点处,附接于该支撑板或该喷淋头电极;以及至少一导热导电衬垫,用以在该等接触点处分隔该支撑板与该热控制板、或分隔该热控制板与该喷淋头电极。本发明亦揭露使用该等喷淋头电极组件来处理半导体基板的方法。

87. 发明专利

TW200902751A 用於半導體材料處理設備之具有低微塵粒表現的噴淋頭電極與噴淋頭電極組件 SHOWERHEAD ELECTRODES AND SHOWERHEAD ELECTRODE ASSEMBLIES HAVING LOW-PARTICLE PERFORMANCE FOR SEMICONDUCTOR MATERIAL PROCESSING APPARATUSES 审中-公开
简体标题：用于半导体材料处理设备之具有低微尘粒表现的喷淋头电极与喷淋头电极组件 SHOWERHEAD ELECTRODES AND SHOWERHEAD ELECTRODE ASSEMBLIES HAVING LOW-PARTICLE PERFORMANCE FOR SEMICONDUCTOR MATERIAL PROCESSING APPARATUSES
公开(公告)号：TW200902751A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097111315
申请日：2008-03-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安德里斯費雪 FISCHER, ANDREAS , 羅金德漢沙 DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574
摘要：一種用於半導體材料處理設備之噴淋頭電極。噴淋頭電極之一實施例包含彼此接合之上電極與下電極。上電極包含一或更多氣室。下電極包含電漿暴露下表面及與氣室呈流體連通的複數之氣體孔。亦揭露包含噴淋頭電極的噴淋頭電極組件,該噴淋頭電極撓性懸吊在上板上。噴淋頭電極組件可與溫度控制元件呈流體連通,俾控制噴淋頭電極的溫度,該溫度控制元件在空間上與噴淋頭電極隔開。在包含噴淋頭電極組件之電漿處理室中處理基板的方法亦被揭露。
简体摘要：一种用于半导体材料处理设备之喷淋头电极。喷淋头电极之一实施例包含彼此接合之上电极与下电极。上电极包含一或更多气室。下电极包含等离子暴露下表面及与气室呈流体连通的复数之气体孔。亦揭露包含喷淋头电极的喷淋头电极组件,该喷淋头电极挠性悬吊在上板上。喷淋头电极组件可与温度控件呈流体连通,俾控制喷淋头电极的温度,该温度控件在空间上与喷淋头电极隔开。在包含喷淋头电极组件之等离子处理室中处理基板的方法亦被揭露。

88. 发明专利

TW200901309A 超高縱橫尺寸比之介電材料蝕刻 ULTRA-HIGH ASPECT RATIO DIELECTRIC ETCH 审中-公开
简体标题：超高纵横尺寸比之介电材料蚀刻 ULTRA-HIGH ASPECT RATIO DIELECTRIC ETCH
公开(公告)号：TW200901309A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097104241
申请日：2008-02-04
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：秦孔固 CHI, KYEONG-KOO , 艾瑞克A 依德柏格 EDELBERG, ERIK A.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76816
摘要：一種蝕刻方法,用以藉由一碳基底遮罩蝕刻一超高縱橫尺寸比特徵部於一介電層中。透過該碳基底遮罩選擇性蝕刻該介電層,其中該選擇性蝕刻步驟於該碳基底遮罩上產生氟碳基底聚合物的淨沉積。中止該選擇性蝕刻。利用一修整步驟自該碳基底遮罩選擇性移除該氟碳聚合物,使得該碳基底遮罩殘留。中止該選擇性移除氟碳聚合物步驟。透過該碳基底遮罩再一次選擇性蝕刻該介電層,其中該第二選擇性蝕刻步驟於該碳基底遮罩上產生氟碳基底聚合物的淨沉積。
简体摘要：一种蚀刻方法,用以借由一碳基底遮罩蚀刻一超高纵横尺寸比特征部于一介电层中。透过该碳基底遮罩选择性蚀刻该介电层,其中该选择性蚀刻步骤于该碳基底遮罩上产生氟碳基底聚合物的净沉积。中止该选择性蚀刻。利用一修整步骤自该碳基底遮罩选择性移除该氟碳聚合物,使得该碳基底遮罩残留。中止该选择性移除氟碳聚合物步骤。透过该碳基底遮罩再一次选择性蚀刻该介电层,其中该第二选择性蚀刻步骤于该碳基底遮罩上产生氟碳基底聚合物的净沉积。

89. 发明专利

TW200845188A 可建構之傾斜蝕刻機 CONFIGURABLE BEVEL ETCHER 审中-公开
简体标题：可建构之倾斜蚀刻机 CONFIGURABLE BEVEL ETCHER
公开(公告)号：TW200845188A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097102885
申请日：2008-01-25
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安祖D 貝利三世 BAILEY III, ANDREW D. , 亞倫M 休普 SCHOEPP, ALAN M. , 葛瑞格里薩克士頓 SEXTON, GREGORY , 金允聖 KIM, YUNSANG , 威廉S 甘迺迪 KENNEDY, WILLIAM S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0209 , H01J37/32366 , H01J37/32568 , H01J2237/335 , H01L21/67069
摘要：本發明提供一種用於半導體基板斜邊之裝置。該裝置包括:一下支持體,具一圓柱狀頂部;一下電漿排除區域(PEZ)環,圍繞該頂部外緣且用以支持該基板;一上介電構件,與該下支持體相對,且具一圓柱狀的底部;一上PEZ環,圍繞該底部之外緣且與該下PEZ環相對;及至少一射頻(RF)功率源,操作為於該上PEZ環及下PEZ環所定義之一環狀空間內將處理氣體激發成為電漿,其中,該環狀空間圍住該斜邊。
简体摘要：本发明提供一种用于半导体基板斜边之设备。该设备包括:一下支持体,具一圆柱状顶部;一下等离子排除区域(PEZ)环,围绕该顶部外缘且用以支持该基板;一上介电构件,与该下支持体相对,且具一圆柱状的底部;一上PEZ环,围绕该底部之外缘且与该下PEZ环相对;及至少一射频(RF)功率源,操作为于该上PEZ环及下PEZ环所定义之一环状空间内将处理气体激发成为等离子,其中,该环状空间围住该斜边。

90. 发明专利

TW200845184A 蝕刻進行中之線端縮短的減小 LINE END SHORTENING REDUCTION DURING ETCH 审中-公开
简体标题：蚀刻进行中之线端缩短的减小 LINE END SHORTENING REDUCTION DURING ETCH
公开(公告)号：TW200845184A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097100625
申请日：2008-01-07
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：山口洋子亞當斯 ADAMS, YOKO YAMAGUCHI , 葛瑞柯塔 KOTA, GOWRI , 法蘭克Y 林 LIN, FRANK Y. , 鍾青華 ZHONG, QINGHUA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/0273 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/3127 , H01L21/32139
摘要：茲提供一種蝕刻特徵部的方法,用以在一蝕刻層中蝕刻特徵部。設置一圖型化光阻遮罩於該蝕刻層上,該光阻遮罩具有至少一光阻線,該光阻線具有終止於一線端之一對側壁。設置一聚合物層於該至少一光阻線上,其中在該光阻線之該線端處的該聚合層之一厚度係大於在該光阻線之該側壁上的該聚合層之一厚度。經由該光阻遮罩將特徵部蝕刻入該蝕刻層,其中一線端縮短(LES)比係小於或等於1。
简体摘要：兹提供一种蚀刻特征部的方法,用以在一蚀刻层中蚀刻特征部。设置一图型化光阻遮罩于该蚀刻层上,该光阻遮罩具有至少一光阻线,该光阻线具有终止于一线端之一对侧壁。设置一聚合物层于该至少一光阻在线,其中在该光阻线之该线端处的该聚合层之一厚度系大于在该光阻线之该侧壁上的该聚合层之一厚度。经由该光阻遮罩将特征部蚀刻入该蚀刻层,其中一线端缩短(LES)比系小于或等于1。

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