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    • 85. 发明专利
    • 面光源裝置 SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE
    • 面光源设备 SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE
    • TW200504417A
    • 2005-02-01
    • TW093118949
    • 2004-06-29
    • 克拉瑞國際股份有限公司 CLARIANT INTERNATIONAL LTD
    • 原田隆正 HARADA, TAKAMASA北文雄 KITA, FUMIO
    • G02FH05B
    • G02B6/0051G02B6/0038G02B6/0061
    • 【課題】提供一種在使用一個燈的點光源作為光源的面光源裝置中,在觀察基於點光源的指向性的面光源裝置的亮斑、尤其是從傾斜方向觀察液晶顯示面板等的顯示影像的情況,其可辨視的亮斑少,且在畫面正面方向更為明亮、並可進行高效率的光照射的面光源裝置。【解決手段】一種面光源裝置,係具有點光源組成的發光部11及導光板12,在導光板的背面側設有反射面13,另外還具有稜鏡圖案15的面光源裝置,其特徵為:在導光板的出射面側配置指向性光擴散薄膜14,其中,該光擴散薄膜係由讓光散射的折射率各異的二相所構成,且包含使折射率大的一相沿薄膜的厚度方向延伸的具有柱狀構造的多數區域,且,該柱狀構造與薄膜的法線方向垂直,最大散射角為10度~40度。
    • 【课题】提供一种在使用一个灯的点光源作为光源的面光源设备中,在观察基于点光源的指向性的面光源设备的亮斑、尤其是从倾斜方向观察液晶显示皮肤等的显示影像的情况,其可辨视的亮斑少,且在画面正面方向更为明亮、并可进行高效率的光照射的面光源设备。【解决手段】一种面光源设备,系具有点光源组成的发光部11及导光板12,在导光板的背面侧设有反射面13,另外还具有棱镜图案15的面光源设备,其特征为:在导光板的出射面侧配置指向性光扩散薄膜14,其中,该光扩散薄膜系由让光散射的折射率各异的二相所构成,且包含使折射率大的一相沿薄膜的厚度方向延伸的具有柱状构造的多数区域,且,该柱状构造与薄膜的法线方向垂直,最大散射角为10度~40度。
    • 89. 发明专利
    • 微細圖案形成助劑及其製法 AUXILIARY FOR FINE PATTERN-FORMATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    • 微细图案形成助剂及其制法 AUXILIARY FOR FINE PATTERN-FORMATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    • TW200428166A
    • 2004-12-16
    • TW093108220
    • 2004-03-26
    • 克拉瑞國際股份有限公司 CLARIANT INTERNATIONAL LTD.
    • 西川雅人 NISHIKAWA, MASATO高橋清久 TAKAHASHI, KIYOHISA
    • G03F
    • G03F7/40C08F8/28C08F8/30C08F8/44C08F2810/20C08F16/06
    • 本發明之課題在於提供過濾性良好,沒有塗布缺陷、顯影缺陷且經時安定性極佳的一種微細圖案形成助劑,使用於該助劑之原料聚合物及其製法。本發明解決問題之技術手段係藉由離子交換處理,將乙縮醛化聚乙烯醇(PVA)等之水溶性改質PVA予以脫金屬離子、去氧之後,進行80℃以上之加熱處理。藉此,減低改質PVA中之具有重量平均分子量25萬以上之高分子量體成分量。將含有加熱處理後之改質PVA與交聯劑之微細圖案形成助劑,塗布於光阻圖案3上而形成被覆層4之後,藉由加熱光阻圖案3與被覆層4,酸從光阻圖案3擴散至被覆層。藉由擴散之酸,使光阻圖案表面附近之被覆層交聯與硬化。藉由將被讀層4予以顯影,於光阻圖案表面具有交聯.硬化層 5,且形成具有曝光波長解析度界限以下尺寸之無顯影缺陷的孔洞圖案。
    • 本发明之课题在于提供过滤性良好,没有涂布缺陷、显影缺陷且经时安定性极佳的一种微细图案形成助剂,使用于该助剂之原料聚合物及其制法。本发明解决问题之技术手段系借由离子交换处理,将乙缩醛化聚乙烯醇(PVA)等之水溶性改质PVA予以脱金属离子、去氧之后,进行80℃以上之加热处理。借此,减低改质PVA中之具有重量平均分子量25万以上之高分子量体成分量。将含有加热处理后之改质PVA与交联剂之微细图案形成助剂,涂布于光阻图案3上而形成被覆层4之后,借由加热光阻图案3与被覆层4,酸从光阻图案3扩散至被覆层。借由扩散之酸,使光阻图案表面附近之被覆层交联与硬化。借由将被读层4予以显影,于光阻图案表面具有交联.硬化层 5,且形成具有曝光波长分辨率界限以下尺寸之无显影缺陷的孔洞图案。
    • 90. 发明专利
    • 水溶性樹脂組成物、圖案形成方法及光阻圖案檢查方法 WATER-SOLUBLE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND RESIST PATTERN INSPECTION METHOD
    • 水溶性树脂组成物、图案形成方法及光阻图案检查方法 WATER-SOLUBLE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND RESIST PATTERN INSPECTION METHOD
    • TW200428165A
    • 2004-12-16
    • TW093103585
    • 2004-02-16
    • 克拉瑞國際股份有限公司 CLARIANT INTERNATIONAL LTD.
    • 高野祐輔 TAKANO, YUSUKE洪聖恩 HONG, SUNGEUN
    • G03F
    • G03F7/40Y10S430/115Y10S430/165
    • 【課題】由於在光阻圖案上施予被覆層,對光阻圖案附近之被覆層作改性,而使得在光阻圖案表面上形成經改性的被覆層時,即在ArF對應的感放射線性樹脂組成物等拒水性大的光阻圖案中,仍可尺寸控制性良好地來形成充分膜厚之改性膜,且藉此可有效地使光阻圖案變粗大,使光阻圖案之分離尺寸或孔開口尺寸微細化成臨界解像以下,或防止在長測SEM之電子線照射時光阻長測(即長度測量)變化。【解決手段】於基板上所形成的光阻圖案3上,塗佈含有水溶性樹脂與酸發生劑所成的水溶性樹脂組成物以形成被覆層4。藉由對光阻圖案3及被覆層4作加熱處理,而在光阻圖案3表面上形成顯像液不溶性之改性層5,且藉由顯像而得到在光阻圖案表面上具有改性層5之圖案。改性層5於電子線照射時具有作為光阻圖案之保護膜的功能。
    • 【课题】由于在光阻图案上施予被覆层,对光阻图案附近之被覆层作改性,而使得在光阻图案表面上形成经改性的被覆层时,即在ArF对应的感放射线性树脂组成物等拒水性大的光阻图案中,仍可尺寸控制性良好地来形成充分膜厚之改性膜,且借此可有效地使光阻图案变粗大,使光阻图案之分离尺寸或孔开口尺寸微细化成临界解像以下,或防止在长测SEM之电子线照射时光阻长测(即长度测量)变化。【解决手段】于基板上所形成的光阻图案3上,涂布含有水溶性树脂与酸发生剂所成的水溶性树脂组成物以形成被覆层4。借由对光阻图案3及被覆层4作加热处理,而在光阻图案3表面上形成显像液不溶性之改性层5,且借由显像而得到在光阻图案表面上具有改性层5之图案。改性层5于电子线照射时具有作为光阻图案之保护膜的功能。