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81. 发明专利

TW201029161A 使用選擇性磊晶之影像感測器電晶體之輕度摻雜汲極 LIGHTLY-DOPED DRAINS (LDD) OF IMAGE SENSOR TRANSISTORS USING SELECTIVE EPITAXY 审中-公开
简体标题：使用选择性磊晶之影像传感器晶体管之轻度掺杂汲极 LIGHTLY-DOPED DRAINS (LDD) OF IMAGE SENSOR TRANSISTORS USING SELECTIVE EPITAXY
公开(公告)号：TW201029161A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098139156
申请日：2009-11-18
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：貿伊都力 , 戴幸志 , 羅狄絲霍華E , 凡尼賈文生 , 錢胤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L29/6659 , H01L29/66636
摘要：本發明之實施例係針對一影像感測器，該影像感測器具有安置於一矽基板中之像素電晶體及周邊電晶體。對於一些實施例，一保護性塗層係安置於該等周邊電晶體上，且摻雜矽磊晶地生長於該基板上以形成該等像素電晶體的輕度摻雜汲極(LDD)區。該保護性氧化物可用於防止在該等像素電晶體之該等LDD區的形成期間，矽於該等周邊電晶體上的磊晶生長。
简体摘要：本发明之实施例系针对一影像传感器，该影像传感器具有安置于一硅基板中之像素晶体管及周边晶体管。对于一些实施例，一保护性涂层系安置于该等周边晶体管上，且掺杂硅磊晶地生长于该基板上以形成该等像素晶体管的轻度掺杂汲极(LDD)区。该保护性氧化物可用于防止在该等像素晶体管之该等LDD区的形成期间，硅于该等周边晶体管上的磊晶生长。

82. 发明专利

TW200947687A 具有光衰減層之背面受光影像感測器 BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSOR WITH LIGHT ATTENUATING LAYER 审中-公开
简体标题：具有光衰减层之背面受光影像传感器 BACKSIDE ILLUMINATED IMAGING SENSOR WITH LIGHT ATTENUATING LAYER
公开(公告)号：TW200947687A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098101416
申请日：2009-01-15
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：戴幸志 , 羅狄絲霍華E , 貿伊都力 , 凡尼賈文生 , 錢胤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1464
摘要：本發明是關於一種背面受光影像感測器，其包含一半導體基板、一金屬互連層及一光衰減層。該半導體基板具有一前表面、一背表面並且包含至少一形成在該半導體基板之該前表面上之成像像素。該金屬互連層是電性耦合到該成像像素，且該光衰減層是耦合在該金屬互連層與該半導體基板之該前表面之間。在操作中，該成像像素從該半導體基板之該背表面接收光，其中該接收到的光之一部分穿過該成像像素傳播到該光衰減層。該光衰減層是經配置以實質上衰減從該成像像素接收到之該部分光。
简体摘要：本发明是关于一种背面受光影像传感器，其包含一半导体基板、一金属互连层及一光衰减层。该半导体基板具有一前表面、一背表面并且包含至少一形成在该半导体基板之该前表面上之成像像素。该金属互连层是电性耦合到该成像像素，且该光衰减层是耦合在该金属互连层与该半导体基板之该前表面之间。在操作中，该成像像素从该半导体基板之该背表面接收光，其中该接收到的光之一部分穿过该成像像素传播到该光衰减层。该光衰减层是经配置以实质上衰减从该成像像素接收到之该部分光。

83. 发明专利

TW201233167A 具有雙元件彩色濾光器陣列及三通道彩色輸出之影像感測器 IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLOR FILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOR OUTPUT 审中-公开
简体标题：具有双组件彩色滤光器数组及三信道彩色输出之影像传感器 IMAGE SENSOR WITH DUAL ELEMENT COLOR FILTER ARRAY AND THREE CHANNEL COLOR OUTPUT
公开(公告)号：TW201233167A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100115804
申请日：2011-05-05
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：戴幸志 , 錢胤 , 毛杜立 , 凡尼賈文生
IPC分类号： H04N , H01L
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14621 , H01L27/14643
摘要：揭示一種彩色影像感測器。該彩色影像感測器包括一像素陣列,該像素陣列包括覆疊光感測器之一陣列以獲取一彩色影像的一彩色濾光器陣列(「CFA」)。該CFA包括覆疊該等光感測器之一第一群組的具有一第一色彩之第一彩色濾光器元件及覆疊該等光感測器之一第二群組的具有一第二色彩之第二彩色濾光器元件。該等第一彩色濾光器元件貢獻於該彩色影像之一第一色彩通道,且該等第二彩色濾光器元件貢獻於該彩色影像之一第二色彩通道。該彩色影像感測器進一步包括一色彩組合器單元,該色彩組合器單元經耦合以將該第一色彩通道與該第二色彩通道組合以基於該第一色彩通道及該第二色彩通道而產生該彩色影像之一第三色彩通道。一輸出埠耦合至該像素陣列以輸出具有三個色彩通道之彩色影像,該三個色彩通道包括該第一色彩通道、該第二色彩通道及該第三色彩通道。
简体摘要：揭示一种彩色影像传感器。该彩色影像传感器包括一像素数组,该像素数组包括覆叠光传感器之一数组以获取一彩色影像的一彩色滤光器数组(“CFA”)。该CFA包括覆叠该等光传感器之一第一群组的具有一第一色彩之第一彩色滤光器组件及覆叠该等光传感器之一第二群组的具有一第二色彩之第二彩色滤光器组件。该等第一彩色滤光器组件贡献于该彩色影像之一第一色彩信道,且该等第二彩色滤光器组件贡献于该彩色影像之一第二色彩信道。该彩色影像传感器进一步包括一色彩组合器单元,该色彩组合器单元经耦合以将该第一色彩信道与该第二色彩信道组合以基于该第一色彩信道及该第二色彩信道而产生该彩色影像之一第三色彩信道。一输出端口耦合至该像素数组以输出具有三个色彩信道之彩色影像,该三个色彩信道包括该第一色彩信道、该第二色彩信道及该第三色彩信道。

84. 发明专利

TW201133813A 具有自對準光電二極體植入物之互補金氧半導體影像感測器 CMOS IMAGE SENSOR WITH SELF-ALIGNED PHOTODIODE IMPLANTS 审中-公开
简体标题：具有自对准光电二极管植入物之互补金属氧化物半导体影像传感器 CMOS IMAGE SENSOR WITH SELF-ALIGNED PHOTODIODE IMPLANTS
公开(公告)号：TW201133813A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099142672
申请日：2010-12-07
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：錢胤 , 戴幸志 , 貿伊都力 , 凡尼賈文生 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L21/26586 , H01L27/1461
摘要：本發明揭示一種形成一釘紮光電二極體之例示性方法,該方法包含施加一光阻遮罩於一半導體層之將隨後形成一轉移閘極之一位置處。接著以一第一角度植入第一摻雜離子以在該光阻遮罩之一邊緣下方形成一第一摻雜區域。接著,蝕刻一光阻遮罩使得該光阻遮罩之一厚度減小以形成一經修整光阻遮罩。接著以一第二角度植入第二摻雜離子以形成一第二摻雜區域,其中該等第二摻雜離子係藉由該經修整光阻遮罩遮蔽以自部分位於該第一摻雜區域上方且鄰近該經修整光阻遮罩之一邊緣之一區域排除該等第二摻雜離子。
简体摘要：本发明揭示一种形成一钉扎光电二极管之例示性方法,该方法包含施加一光阻遮罩于一半导体层之将随后形成一转移闸极之一位置处。接着以一第一角度植入第一掺杂离子以在该光阻遮罩之一边缘下方形成一第一掺杂区域。接着,蚀刻一光阻遮罩使得该光阻遮罩之一厚度减小以形成一经修整光阻遮罩。接着以一第二角度植入第二掺杂离子以形成一第二掺杂区域,其中该等第二掺杂离子系借由该经修整光阻遮罩屏蔽以自部分位于该第一掺杂区域上方且邻近该经修整光阻遮罩之一边缘之一区域排除该等第二掺杂离子。

85. 发明专利

TW201130125A 具有熱管理結構之互補金氧半導體影像感測器 CMOS IMAGE SENSOR WITH HEAT MANAGEMENT STRUCTURES 审中-公开
简体标题：具有热管理结构之互补金属氧化物半导体影像传感器 CMOS IMAGE SENSOR WITH HEAT MANAGEMENT STRUCTURES
公开(公告)号：TW201130125A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099133415
申请日：2010-09-30
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：凡尼賈文生 , 貿伊都力 , 戴幸志 , 錢胤 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/1464
摘要：本發明揭示一種影像感測器,其包含:一裝置晶圓之一裝置晶圓基板、該裝置晶圓之一裝置層,及選擇性地一熱控制結構及/或一散熱片。該裝置層被設置於該裝置晶圓基板之一前側上且包含複數個被設置於一像素陣列區域內之光敏性元件及被設置於一周邊電路區域內之周邊電路。該等光敏性元件對入射於該裝置晶圓基板之一背側上之光敏感。該熱控制結構被設置於該裝置晶圓基板內且使該像素陣列區域與該周邊電路區域熱隔離,以減少該周邊電路區域與該像素陣列區域之間之熱轉移。該散熱片使熱傳導離開該裝置層。
简体摘要：本发明揭示一种影像传感器,其包含:一设备晶圆之一设备晶圆基板、该设备晶圆之一设备层,及选择性地一热控制结构及/或一散热片。该设备层被设置于该设备晶圆基板之一前侧上且包含复数个被设置于一像素数组区域内之光敏性组件及被设置于一周边电路区域内之周边电路。该等光敏性组件对入射于该设备晶圆基板之一背侧上之光敏感。该热控制结构被设置于该设备晶圆基板内且使该像素数组区域与该周边电路区域热隔离,以减少该周边电路区域与该像素数组区域之间之热转移。该散热片使热传导离开该设备层。

86. 发明专利

TW201126708A 具有外延自對準光感測器之影像感測器 IMAGE SENSOR WITH EPITAXIALLY SELF-ALIGNED PHOTO SENSORS 审中-公开
简体标题：具有外延自对准光传感器之影像传感器 IMAGE SENSOR WITH EPITAXIALLY SELF-ALIGNED PHOTO SENSORS
公开(公告)号：TW201126708A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099139842
申请日：2010-11-18
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：顧克強 , 劉家穎 , 戴幸志 , 凡尼賈文生 , 錢胤 , 貿伊都力
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/1463
摘要：一種影像感測器像素包括經摻雜而具有一第一導電型的一基板。一第一磊晶層安置於該基板之上且經摻雜而亦具有該第一導電型。一傳送電晶體閘極形成於該第一磊晶層上。一磊晶生長之光感測器區域安置於該第一磊晶層中且具有一第二導電型。該磊晶生長之光感測器區域包括在該傳送電晶體閘極之一部分下延伸的一延伸區域。
简体摘要：一种影像传感器像素包括经掺杂而具有一第一导电型的一基板。一第一磊晶层安置于该基板之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。一发送晶体管闸极形成于该第一磊晶层上。一磊晶生长之光传感器区域安置于该第一磊晶层中且具有一第二导电型。该磊晶生长之光传感器区域包括在该发送晶体管闸极之一部分下延伸的一延伸区域。

87. 发明专利

TW201101474A 用於減少串擾之多層影像感測器像素結構 MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTURE FOR REDUCING CROSSTALK 审中-公开
简体标题：用于减少串扰之多层影像传感器像素结构 MULTILAYER IMAGE SENSOR PIXEL STRUCTURE FOR REDUCING CROSSTALK
公开(公告)号：TW201101474A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112883
申请日：2010-04-23
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：凡尼賈文生 , 沙哈亞雪許 , 楊榮生 , 貿伊都力 , 錢胤 , 戴幸志 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14601
摘要：一種影像感測器像素包括一基板、一第一磊晶層、一集極層、一第二磊晶層及一光收集區域。該基板經摻雜以具有一第一導電型。該第一磊晶層安置於該基板上方且經摻雜以亦具有該第一導電型。該集極層選擇性地安置於該第一磊晶層之至少一部分上方且經摻雜以具有一第二導電型。該第二磊晶層安置於該集極層上方且經摻雜以具有該第一導電型。該光收集區域收集光生電荷載流子且安置於該第二磊晶層內。該光收集區域亦經摻雜以具有該第二導電型。
简体摘要：一种影像传感器像素包括一基板、一第一磊晶层、一集极层、一第二磊晶层及一光收集区域。该基板经掺杂以具有一第一导电型。该第一磊晶层安置于该基板上方且经掺杂以亦具有该第一导电型。该集极层选择性地安置于该第一磊晶层之至少一部分上方且经掺杂以具有一第二导电型。该第二磊晶层安置于该集极层上方且经掺杂以具有该第一导电型。该光收集区域收集光生电荷载流子且安置于该第二磊晶层内。该光收集区域亦经掺杂以具有该第二导电型。

88. 发明专利

TW201039439A 具有用於光偵測器陣列之較細的互連線及用於週邊區域之較粗的互連線之裝置 APPARATUS HAVING THINNER INTERCONNECT LINE FOR PHOTODETECTOR ARRAY AND THICKER INTERCONNECT LINE FOR PERIPHERY REGION 审中-公开
简体标题：具有用于光侦测器数组之较细的互连接及用于周边区域之较粗的互连接之设备 APPARATUS HAVING THINNER INTERCONNECT LINE FOR PHOTODETECTOR ARRAY AND THICKER INTERCONNECT LINE FOR PERIPHERY REGION
公开(公告)号：TW201039439A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099116406
申请日：2010-05-21
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：貿伊都力 , 凡尼賈文生 , 羅狄絲霍華 , 戴幸志 , 錢胤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14683
摘要：一態樣之裝置包括:一光偵測器陣列;及一周邊區域,其位於該光偵測器陣列之一周邊處。對應於該光偵測器陣列之一較細互連線安置於一或多個絕緣層內。對應於該周邊區域之一較粗互連線安置於該一或多個絕緣層內。亦揭示其他裝置、方法及系統。
简体摘要：一态样之设备包括:一光侦测器数组;及一周边区域,其位于该光侦测器数组之一周边处。对应于该光侦测器数组之一较细互连接安置于一或多个绝缘层内。对应于该周边区域之一较粗互连接安置于该一或多个绝缘层内。亦揭示其他设备、方法及系统。

89. 发明专利

TW201025586A 具有低串擾及高紅色靈敏度之影像感測器 IMAGE SENSOR WITH LOW CROSSTALK AND HIGH RED SENSITIVITY 审中-公开
简体标题：具有低串扰及高红色灵敏度之影像传感器 IMAGE SENSOR WITH LOW CROSSTALK AND HIGH RED SENSITIVITY
公开(公告)号：TW201025586A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098129751
申请日：2009-09-03
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：貿伊都力 , 凡尼賈文生 , 戴幸志 , 錢胤 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1463
摘要：本發明揭示一種彩色像素陣列,其包含第一、第二與第三複數個彩色像素,每個彩色像素包含一安置於一第一半導體層內的光敏區域。在一項實施例中,將包含深摻雜區域之一第二半導體層安置於該第一半導體層下方。該等深摻雜區域每個係駐存於該第一複數個彩色像素之一對應像素的下方,但大體上不在該第二複數個彩色像素與該第三複數個彩色像素下方。在一項實施例中,將若干埋入井安置於該第二複數個彩色像素與該第三複數個彩色像素之下,但大體上不在該第一複數個彩色像素下方。
简体摘要：本发明揭示一种彩色像素数组,其包含第一、第二与第三复数个彩色像素,每个彩色像素包含一安置于一第一半导体层内的光敏区域。在一项实施例中,将包含深掺杂区域之一第二半导体层安置于该第一半导体层下方。该等深掺杂区域每个系驻存于该第一复数个彩色像素之一对应像素的下方,但大体上不在该第二复数个彩色像素与该第三复数个彩色像素下方。在一项实施例中,将若干埋入井安置于该第二复数个彩色像素与该第三复数个彩色像素之下,但大体上不在该第一复数个彩色像素下方。

90. 发明专利

TW201143066A 具有遞變式光偵測器植入之高全井電容像素 HIGH FULL-WELL CAPACITY PIXEL WITH GRADED PHOTODETECTOR IMPLANT 审中-公开
简体标题：具有递变式光侦测器植入之高全井电容像素 HIGH FULL-WELL CAPACITY PIXEL WITH GRADED PHOTODETECTOR IMPLANT
公开(公告)号：TW201143066A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100104019
申请日：2011-02-01
申请人：豪威科技股份有限公司
发明人：毛杜立 , 戴幸志 , 凡尼賈文生 , 錢胤 , 羅狄絲霍華E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L21/26586 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N5/378
摘要：本發明提供一種用於藉由摻雜劑植入而形成一CMOS像素中之一光偵測器區之程序的實施例,該程序包含:遮罩一基板之一表面之一光偵測器區域以用於形成該光偵測器區;以複數個扭轉角定位該基板;及在該複數個扭轉角中之每一者下,以一選定傾斜角將摻雜劑導引指向該光偵測器區域。一CMOS像素之實施例包含:一光偵測器區,其形成於一基板中,該光偵測器區包含重疊之第一摻雜劑植入物及第二摻雜劑植入物,其中該重疊區具有不同於該第一植入物及該第二植入物之非重疊部分之一摻雜劑濃度;一浮動擴散體,其形成於該基板中;及一轉移閘極,其形成於該基板上在該光偵測器與該轉移閘極之間。揭示且主張其他實施例。
简体摘要：本发明提供一种用于借由掺杂剂植入而形成一CMOS像素中之一光侦测器区之进程的实施例,该进程包含:遮罩一基板之一表面之一光侦测器区域以用于形成该光侦测器区;以复数个扭转角定位该基板;及在该复数个扭转角中之每一者下,以一选定倾斜角将掺杂剂导引指向该光侦测器区域。一CMOS像素之实施例包含:一光侦测器区,其形成于一基板中,该光侦测器区包含重叠之第一掺杂剂植入物及第二掺杂剂植入物,其中该重叠区具有不同于该第一植入物及该第二植入物之非重叠部分之一掺杂剂浓度;一浮动扩散体,其形成于该基板中;及一转移闸极,其形成于该基板上在该光侦测器与该转移闸极之间。揭示且主张其他实施例。

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