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81. 发明专利

TW201731131A 使用靜電吸盤夾持及解夾持基板的方法及裝置审中-公开
简体标题：使用静电吸盘夹持及解夹持基板的方法及设备
公开(公告)号：TW201731131A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105140351
申请日：2016-12-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉正約翰 , YE, ZHENG JOHN , 塙廣二 , HANAWA, HIROJI , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 蔣文揚 , TSIANG, MICHAEL WENYOUNG , 葛艾倫 , KO, ALLEN , 王文佼 , WANG, WENJIAO , 林永景 , LIN, YONGJING , 庫許魯須薩派瑞尚特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 韓新海 , HAN, XINHAI , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 娜拉辛赫卡席克辛馬瓦朱拉 , NARASIMHA, KARTHIK THIMMAVAJJULA , 段子青 , DUAN, ZIQING , 帕奇迪尼斯 , PADHI, DEENESH
IPC分类号： H01L41/047 , H01L21/683 , H01L23/32
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556
摘要：揭示對於靜電吸盤的方法與設備的技術，此靜電吸盤適合在高操作溫度下操作。在一個實例中，提供一種基板支撐組件。基板支撐組件包含實質上碟形的陶瓷主體，陶瓷主體具有上表面、圓柱側壁以及下表面。上表面經配置以支撐基板於上表面上，以在真空處理腔室中處理基板。圓柱側壁界定陶瓷主體的外直徑。下表面放置為相對於上表面。電極被放置在陶瓷主體中。電路被電性連接至電極。電路包含DC吸附電路、第一RF驅動電路以及第二RF驅動電路。DC吸附電路、第一RF驅動電路以及第二RF驅動電路電性耦合至電極。
简体摘要：揭示对于静电吸盘的方法与设备的技术，此静电吸盘适合在高操作温度下操作。在一个实例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面放置为相对于上表面。电极被放置在陶瓷主体中。电路被电性连接至电极。电路包含DC吸附电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC吸附电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电性耦合至电极。

82. 发明专利

TW201721801A 陶瓷加熱器和具有增強的晶片邊緣效能的ESC 审中-公开
简体标题：陶瓷加热器和具有增强的芯片边缘性能的ESC
公开(公告)号：TW201721801A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124923
申请日：2016-08-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：林興 , LIN, XING , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 葉正約翰 , YE, ZHENG JOHN , 陳建J , CHEN, JIAN J. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32715 , H01L21/67103 , H01L21/68735
摘要：本案的實施方式提供一種用於支撐基板的改進的靜電卡盤。該靜電卡盤包括：卡盤主體，該卡盤主體耦合到支撐桿，該卡盤主體具有基板支撐表面；多個突片，該多個突片遠離該卡盤主體的該基板支撐表面突出，其中該突片繞該卡盤主體圓周設置；電極，該電極嵌入在該卡盤主體內，該電極從該卡盤主體的中心徑向地延伸到超出該多個突片的區域；及RF電源，該RF電源透過第一電連接耦合到該電極。
简体摘要：本案的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。该静电卡盘包括：卡盘主体，该卡盘主体耦合到支撑杆，该卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，该多个突片远离该卡盘主体的该基板支撑表面突出，其中该突片绕该卡盘主体圆周设置；电极，该电极嵌入在该卡盘主体内，该电极从该卡盘主体的中心径向地延伸到超出该多个突片的区域；及RF电源，该RF电源透过第一电连接耦合到该电极。

83. 发明专利

TW201718100A 具有多個流體輸送區的噴淋頭組件审中-公开
简体标题：具有多个流体输送区的喷淋头组件
公开(公告)号：TW201718100A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105132033
申请日：2016-10-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 金杉H , KIM, SAM H. , 阮段安 , NGUYEN, TUAN ANH
IPC分类号： B05B7/26 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要：本揭示關於一種半導體處理裝置。處理腔室包括限定內部容積腔室的腔室主體及蓋、設置於內部容積中的基板支撐件以及設置於蓋與基板支撐件之間的噴淋頭組件。所述噴淋頭組件包括：面板材，所述面板材被配置成將製程氣體輸送到限定在所述噴淋頭組件與所述基板支撐件之間的處理區域；以及底板材，所述底板材被定位在所述面板材上方，在所述蓋與所述底板材之間限定第一氣室，所述底板材具有多個區域，其中每個區域具有多個開口，所述多個開口被配置成使一定量的惰性氣體從所述第一氣室流入所述面板材與所述底板材之間限定的第二氣室，兩個氣室利用每個區中的所述多個開口流體連通，使得所述惰性氣體在離開所述噴淋頭組件之前與所述製程氣體混合。
简体摘要：本揭示关于一种半导体处理设备。处理腔室包括限定内部容积腔室的腔室主体及盖、设置于内部容积中的基板支撑件以及设置于盖与基板支撑件之间的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：皮肤材，所述皮肤材被配置成将制程气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板材，所述底板材被定位在所述皮肤材上方，在所述盖与所述底板材之间限定第一气室，所述底板材具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述皮肤材与所述底板材之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述制程气体混合。

84. 发明专利

TW201715628A 用於形成膜堆疊的雙通道噴淋頭审中-公开
简体标题：用于形成膜堆栈的双信道喷淋头
公开(公告)号：TW201715628A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105108844
申请日：2016-03-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：阿拉亞里庫許克 , ALAYAVALLI, KAUSHIK , 韓新海 , HAN, XINHAI , 加普拉凱特P , JHA, PRAKET P. , 尾方正樹 , OGATA, MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 葛艾倫 , KO, ALLEN , 募古提達卡O , MUKUTI, NDANKA O. , 班瑞奇拓 , BRITCHER, THUY , 班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32091
摘要：本公開提供了一種用於雙通道噴頭的方法和裝置。在一個實施例中，該噴頭包括主體，該主體包括導電材料，該導電材料具有通過該導電材料形成的多個第一開口和通過該導電材料形成的多個第二開口，該多個第一開口包括第一氣體通道，該多個第二開口包括第二氣體通道，該第二氣體通道與該第一氣體通道流體地分離，其中該第一開口中的每一個具有與該第二開口中的每一個不同的幾何形狀。
简体摘要：本公开提供了一种用于双信道喷头的方法和设备。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体信道，该多个第二开口包括第二气体信道，该第二气体信道与该第一气体信道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。

85. 发明专利

TW201637068A 用於控制電漿偏斜的遠程電漿源审中-公开
简体标题：用于控制等离子偏斜的远程等离子源
公开(公告)号：TW201637068A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105104649
申请日：2016-02-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克哈嘉艾比杜亞西斯 , KHAJA, ABDUL AZIZ , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB, MOHAMAD , 柏卡拉梅許 , BOKKA, RAMESH , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要：提供了一種電漿源，該電漿源包括沿第一軸從第一端延伸到第二端的核芯元件。電漿源進一步包括圍繞核芯元件的相應的一個或多個第一部分而設置的一個或多個線圈。電漿源進一步包括具有一個或多個內壁的電漿塊，該一個或多個內壁至少部分地包圍環形電漿生成容積，該環形電漿生成容積圍繞核芯元件的第二部分而設置。環形電漿生成容積包括第一區域，該第一區域關於多個垂直軸對稱，該多個垂直軸垂直於定位在第一軸上的第一點，該第一區域具有在平行於該第一軸的方向上的寬度以及在垂直於該第一軸的方向上的深度。第一區域具有至少比第一區域的深度大三倍的寬度。
简体摘要：提供了一种等离子源，该等离子源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯组件。等离子源进一步包括围绕核芯组件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子块，该一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子生成容积，该环形等离子生成容积围绕核芯组件的第二部分而设置。环形等离子生成容积包括第一区域，该第一区域关于多个垂直轴对称，该多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，该第一区域具有在平行于该第一轴的方向上的宽度以及在垂直于该第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。

86. 发明专利

TW201608047A 用於電漿處理的多區域基座审中-公开
简体标题：用于等离子处理的多区域基座
公开(公告)号：TW201608047A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118634
申请日：2015-06-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：林興 , LIN, XING , 楊博智 , YANG, BOZHI , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/687 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/32577 , H01J37/32724 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/68792
摘要：一種用於加熱的基座的方法及設備被提供。在一個實施例中，加熱的基座包含主體，該主體包括陶瓷材料、封裝於該主體內的複數個加熱元件，及一或更多個槽，該等槽形成於該主體的表面中且鄰近複數個加熱元件的每一個，該等槽的至少一側由陶瓷板材包圍。
简体摘要：一种用于加热的基座的方法及设备被提供。在一个实施例中，加热的基座包含主体，该主体包括陶瓷材料、封装于该主体内的复数个加热组件，及一或更多个槽，该等槽形成于该主体的表面中且邻近复数个加热组件的每一个，该等槽的至少一侧由陶瓷板材包围。

87. 发明专利

TW201536117A 在電漿源中引導磁場的方法及相關聯的系統审中-公开
简体标题：在等离子源中引导磁场的方法及相关联的系统
公开(公告)号：TW201536117A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103890
申请日：2015-02-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉正約翰 , YE, ZHENG JOHN , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 塙廣二 , HANAWA, HIROJI , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32458 , H01J37/32522 , H01J37/32669
摘要：本案係關於一種電漿源，其包括電漿容器，該電漿容器包括介電材料，該介電材料圍封環形形狀之空腔。環形形狀界定貫穿該環形形狀之環形軸。容器形成輸入及輸出連接裝置，每一輸入及輸出連接裝置與空腔流體連通。一或更多個金屬板安置於電漿容器鄰近處以用於冷卻電漿容器。磁芯沿該環形軸安置，以使得該磁芯之各別第一及第二端部延伸至電漿容器之軸向相對側之外。第一及第二感應線圈繞磁芯之各別第一及第二端部捲繞。當經由輸入連接裝置供應輸入氣體，且將振盪電流供應至第一及第二感應線圈時，電漿在空腔中產生。
简体摘要：本案系关于一种等离子源，其包括等离子容器，该等离子容器包括介电材料，该介电材料围封环形形状之空腔。环形形状界定贯穿该环形形状之环形轴。容器形成输入及输出连接设备，每一输入及输出连接设备与空腔流体连通。一或更多个金属板安置于等离子容器邻近处以用于冷却等离子容器。磁芯沿该环形轴安置，以使得该磁芯之各别第一及第二端部延伸至等离子容器之轴向相对侧之外。第一及第二感应线圈绕磁芯之各别第一及第二端部卷绕。当经由输入连接设备供应输入气体，且将振荡电流供应至第一及第二感应线圈时，等离子在空腔中产生。

88. 发明专利

TW201535567A 用於減少落下粒子缺陷之底部泵與淨化及底部臭氧清潔硬體审中-公开
简体标题：用于减少落下粒子缺陷之底部泵与净化及底部臭氧清洁硬件
公开(公告)号：TW201535567A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104102860
申请日：2015-01-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：甘古德阿布希吉 , KANGUDE, ABHIJIT , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/4408
摘要：本文所述的實施例一般係關於防止半導體處理腔室內的污染物沉積以及從半導體處理腔室移除污染物。底部淨化與泵送分別可防止基座加熱器之下的污染物沉積或從基座之下排出污染物。底部淨化可防止污染物沉積於基座之下，並且提供來自處理腔室的排氣係實質上定位成共平面於要處理的基板。底部泵送可從處理腔室移除基座之下存在的污染物。具體地，本文所述的實施例係關於經由基座波紋管及/或等化埠口之淨化與泵送。
简体摘要：本文所述的实施例一般系关于防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别可防止基座加热器之下的污染物沉积或从基座之下排出污染物。底部净化可防止污染物沉积于基座之下，并且提供来自处理腔室的排气系实质上定位成共平面于要处理的基板。底部泵送可从处理腔室移除基座之下存在的污染物。具体地，本文所述的实施例系关于经由基座波纹管及/或等化端口口之净化与泵送。

89. 发明专利

TW201535515A 用於減少腔室微粒之重大腔室部件表面改良审中-公开
简体标题：用于减少腔室微粒之重大腔室部件表面改良
公开(公告)号：TW201535515A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103610
申请日：2015-02-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/316
CPC分类号： C04B41/0081 , C03C23/007 , C04B35/111 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3225 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C23C14/564 , C23C16/4401 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D2007/063 , F27D2019/0028 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/584 , C04B35/48
摘要：本文描述的實施例大體而言係關於用於熱處理紫外線半導體處理腔室中使用的腔室部件之設備和方法。包含單一陶瓷或玻璃物件的腔室部件之熱處理可以減少腔室部件曝露於腐蝕性環境、例如曝露於紫外光和臭氧/氧自由基時產生微粒的可能性。一種熱處理腔室部件的方法包括以可接受的升降溫速率將單一物件加熱到所需的溫度持續所需的期間，並於隨後以該升降溫速率冷卻該單一物件。
简体摘要：本文描述的实施例大体而言系关于用于热处理紫外线半导体处理腔室中使用的腔室部件之设备和方法。包含单一陶瓷或玻璃对象的腔室部件之热处理可以减少腔室部件曝露于腐蚀性环境、例如曝露于紫外光和臭氧/氧自由基时产生微粒的可能性。一种热处理腔室部件的方法包括以可接受的升降温速率将单一对象加热到所需的温度持续所需的期间，并于随后以该升降温速率冷却该单一对象。

90. 发明专利

TW201525183A 介電膜的沉積审中-公开
简体标题：介电膜的沉积
公开(公告)号：TW201525183A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142873
申请日：2014-12-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳一宏 , CHEN, YIHONG , 穆克吉蕭納克 , MUKHERJEE, SHAUNAK , 恰特吉阿密特 , CHATTERJEE, AMIT , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 馬里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 劉寧利 , LIU, NINGLI , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/452 , H01J37/32357 , H01J37/32422
摘要：將一或多種前驅物氣體引入處理腔室且暴露至自由基，該一或多種前驅物氣體諸如一或多種含矽氣體，可以是一或多種有機矽及/或正矽酸四烷基酯氣體。使用本文揭露之技術沉積的介電膜可含有矽。沉積的膜可顯現極少缺陷、低縐縮、與高蝕刻選擇性、機械穩定性、與熱穩定性。一些實施例中，沉積的膜可無氫。沉積狀態可為非常溫和，所以來自UV輻射與離子轟擊的對基板與剛沉積的膜的損壞極微小或不存在。
简体摘要：将一或多种前驱物气体引入处理腔室且暴露至自由基，该一或多种前驱物气体诸如一或多种含硅气体，可以是一或多种有机硅及/或正硅酸四烷基酯气体。使用本文揭露之技术沉积的介电膜可含有硅。沉积的膜可显现极少缺陷、低绉缩、与高蚀刻选择性、机械稳定性、与热稳定性。一些实施例中，沉积的膜可无氢。沉积状态可为非常温和，所以来自UV辐射与离子轰击的对基板与刚沉积的膜的损坏极微小或不存在。

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