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81. 发明专利

TWI246750B 堆疊式晶片承載件及其製法以及具有該堆疊式晶片承載件之半導體封裝件 A CARRIER FOR STACKED CHIPS AND A METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND A SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH THE CHIP CARRIER 有权
简体标题：堆栈式芯片承载件及其制法以及具有该堆栈式芯片承载件之半导体封装件 A CARRIER FOR STACKED CHIPS AND A METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND A SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH THE CHIP CARRIER
公开(公告)号：TWI246750B
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW092137574
申请日：2003-12-31
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：王愉博 WANG, YU PO , 黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 黃致明 HUANG, CHIH MING , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：一種堆疊式晶片承載件及其製法以及具有該堆疊式晶片承載件之半導體封裝件，該堆疊式晶片承載件包含一壓合式基板(Laminated Substrate)及至少一接置於該壓合式基板上之增層式基板(Build-up Substrate)，其中，該壓合式基板及增層式基板上之拒銲劑層係分別形成有複數個得供該壓合式基板之內層線路層及該增層式基板之增層線路層外露之對應開口，以供銲錫膏填佈而將該壓合式基板及增層式基板導電連接；利用增層式基板線路精密度優於壓合式基板之特性，可將相鄰銲球墊間距及銲球墊寬控制到20μm以下，使得銲球墊佔據的圓周直徑可從6mm縮減至2.5mm以降低基板之使用面積。
简体摘要：一种堆栈式芯片承载件及其制法以及具有该堆栈式芯片承载件之半导体封装件，该堆栈式芯片承载件包含一压合式基板(Laminated Substrate)及至少一接置于该压合式基板上之增层式基板(Build-up Substrate)，其中，该压合式基板及增层式基板上之拒焊剂层系分别形成有复数个得供该压合式基板之内层线路层及该增层式基板之增层线路层外露之对应开口，以供焊锡膏填布而将该压合式基板及增层式基板导电连接；利用增层式基板线路精密度优于压合式基板之特性，可将相邻焊球垫间距及焊球垫宽控制到20μm以下，使得焊球垫占据的圆周直径可从6mm缩减至2.5mm以降低基板之使用面积。

82. 发明专利

TWI246135B 具銲塊底部金屬化結構之半導體元件及其製法 SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH UNDER BUMP METALLURGY STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：具焊块底部金属化结构之半导体组件及其制法 SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH UNDER BUMP METALLURGY STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI246135B
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：TW094101391
申请日：2005-01-18
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：普翰屏 PU, HAN PING , 柯俊吉 KE, CHUN CHI , 戴國瑞 TAI, KOOK JUI , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2924/0001 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
摘要：一種具銲塊底部金屬化結構之半導體元件及其製法，主要係在一完成線路佈局之半導體元件上，對應於其表面之信號銲墊及接地銲墊上形成銲塊底部金屬化結構時，保留構成該銲塊底部金屬化結構之金屬層，並使該接地銲墊上之銲塊底部金屬化結構與該金屬層形成電性連接，且使該信號銲墊上之銲塊底部金屬化結構與該金屬層形成電性絕緣，以直接利用構成該銲塊底部金屬化結構之金屬層作為該半導體元件之接地層。
简体摘要：一种具焊块底部金属化结构之半导体组件及其制法，主要系在一完成线路布局之半导体组件上，对应于其表面之信号焊垫及接地焊垫上形成焊块底部金属化结构时，保留构成该焊块底部金属化结构之金属层，并使该接地焊垫上之焊块底部金属化结构与该金属层形成电性连接，且使该信号焊垫上之焊块底部金属化结构与该金属层形成电性绝缘，以直接利用构成该焊块底部金属化结构之金属层作为该半导体组件之接地层。

83. 发明专利

TWI242858B 組合式晶片承載件及其製法以及具有該組合式晶片承載件之半導體封裝件 ASSEMBLED CHIP CARRIER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH THE SAME 失效
简体标题：组合式芯片承载件及其制法以及具有该组合式芯片承载件之半导体封装件 ASSEMBLED CHIP CARRIER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH THE SAME
公开(公告)号：TWI242858B
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW092133129
申请日：2003-11-26
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：王愉博 WANG, YU PO , 黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 黃致明 HUANG, CHIH MING , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014
摘要：一種組合式晶片承載件及其製法以及具有該組合式晶片承載件之半導體封裝件，該組合式晶片承載件包含一壓合式基板(Laminated Substrate)及至少一接置於該壓合式基板上並開設有晶片收納開槽之增層式基板(Build-up Substrate)，其中，該壓合式基板及增層式基板上之拒銲劑層係分別形成有複數個得供該壓合式基板之內層線路層及該增層式基板之增層線路層外露之對應開口，以供銲錫膏填佈而將該壓合式基板及增層式基板導電連接；利用增層式基板線路精密度優於習知基板之特性，可將相鄰銲線墊間距及銲線墊寬控制到20μm以下，使得銲線墊佔據的圓周直徑可從6mm縮減至2.5mm而降低基板之使用面積。
简体摘要：一种组合式芯片承载件及其制法以及具有该组合式芯片承载件之半导体封装件，该组合式芯片承载件包含一压合式基板(Laminated Substrate)及至少一接置于该压合式基板上并开设有芯片收纳开槽之增层式基板(Build-up Substrate)，其中，该压合式基板及增层式基板上之拒焊剂层系分别形成有复数个得供该压合式基板之内层线路层及该增层式基板之增层线路层外露之对应开口，以供焊锡膏填布而将该压合式基板及增层式基板导电连接；利用增层式基板线路精密度优于习知基板之特性，可将相邻焊线垫间距及焊线垫宽控制到20μm以下，使得焊线垫占据的圆周直径可从6mm缩减至2.5mm而降低基板之使用面积。

84. 发明专利

TWI241697B 半導體封裝結構及其製法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体封装结构及其制法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI241697B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW094100326
申请日：2005-01-06
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：張錦煌 CHANG, CHIN HUANG , 黃致明 HUANG, CHIH MING , 黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：一種半導體封裝結構及其製法，係提供作用面形成有複數個電極銲墊之晶片以及具有第一表面及相對第二表面之基板，且該基板形成有至少一貫穿開口，以將部份該晶片之電極銲墊透過穿過該基板貫穿開口之銲線而電性連接至該基板第二表面，並將部份該晶片之電極銲墊透過導電凸塊而接置並電性連接至該基板第一表面上，接著，進行封裝壓模製程，以分別於該基板第一表面上形成包覆該晶片之第一封裝膠體，及於該基板第二表面上形成包覆該銲線之第二封裝膠體，並於該基板第二表面上植置複數個銲球，以完成本發明之半導體封裝結構。
简体摘要：一种半导体封装结构及其制法，系提供作用面形成有复数个电极焊垫之芯片以及具有第一表面及相对第二表面之基板，且该基板形成有至少一贯穿开口，以将部份该芯片之电极焊垫透过穿过该基板贯穿开口之焊线而电性连接至该基板第二表面，并将部份该芯片之电极焊垫透过导电凸块而接置并电性连接至该基板第一表面上，接着，进行封装压模制程，以分别于该基板第一表面上形成包覆该芯片之第一封装胶体，及于该基板第二表面上形成包覆该焊线之第二封装胶体，并于该基板第二表面上植置复数个焊球，以完成本发明之半导体封装结构。

85. 发明专利

TW200511509A 光感式半導體結構及其製法 PHOTOSENSITIVE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATION THE SAME 审中-公开
简体标题：光感式半导体结构及其制法 PHOTOSENSITIVE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATION THE SAME
公开(公告)号：TW200511509A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW092124070
申请日：2003-09-01
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 黃致明 HUANG, CHIH MING , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
摘要：一種光感式半導體結構及其製法，其步驟係包括：製備一具有開口的膠片載具，且其表面上係敷設有多數延伸至該開口中的導電件；製備一表面形成有多數個導電凸塊(Stud Bump)的光感式晶片，並藉該導電凸塊而將該光感式晶片接合於該膠片載具之導電件上，以令該光感式晶片容設於該膠片載具之開口中；於該膠片載具之表面上包覆一封裝膠體，以封蓋住該開口；再於該膠片載具上相對於該封裝膠體之表面上接置一透光單元，以封蓋住該開口之另一側；以及於該膠片載具上接置一透鏡載具，以令該透光單元位列於該透鏡載具之透鏡與該光感式晶片間，從而製得一低成本且薄型化的光感式半導體結構。
简体摘要：一种光感式半导体结构及其制法，其步骤系包括：制备一具有开口的胶片载具，且其表面上系敷设有多数延伸至该开口中的导电件；制备一表面形成有多数个导电凸块(Stud Bump)的光感式芯片，并藉该导电凸块而将该光感式芯片接合于该胶片载具之导电件上，以令该光感式芯片容设于该胶片载具之开口中；于该胶片载具之表面上包覆一封装胶体，以封盖住该开口；再于该胶片载具上相对于该封装胶体之表面上接置一透光单元，以封盖住该开口之另一侧；以及于该胶片载具上接置一透镜载具，以令该透光单元位列于该透镜载具之透镜与该光感式芯片间，从而制得一低成本且薄型化的光感式半导体结构。

86. 发明专利

TW200419742A 接置有散熱片之半導體封裝件 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH EMBEDDED HEAT SPREADERABSTRACT OF THE DISCLOSURE 审中-公开
简体标题：接置有散热片之半导体封装件 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH EMBEDDED HEAT SPREADERABSTRACT OF THE DISCLOSURE
公开(公告)号：TW200419742A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092106880
申请日：2003-03-27
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：吳集銓 WU, CHI CHUAN , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/36 , H01L21/563 , H01L23/10 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16315 , Y10S257/93 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：一種接置有散熱片之半導體封裝件，其可讓接置之散熱片較先前技術更為穩固而牢靠地黏結至基板上。此半導體封裝件之結構的特點在於形成栓孔部於基板的散熱片接置區、或形成於散熱片的支撐部的底面、或同時形成於基板的散熱片接置區和散熱片的支撐部的底面，使得黏膠可填入至此些栓孔部之中，並於固化後形成一栓銷結構來協助散熱片抵抗橫向剪力。此外，由於形成此些栓孔部可增加基板和散熱片與黏膠層之間的接觸面積，因此可增加散熱片與基板之間的黏結力，使得散熱片更穩固而且牢靠地黏結至基板而不易脫落。
简体摘要：一种接置有散热片之半导体封装件，其可让接置之散热片较先前技术更为稳固而牢靠地黏结至基板上。此半导体封装件之结构的特点在于形成栓孔部于基板的散热片接置区、或形成于散热片的支撑部的底面、或同时形成于基板的散热片接置区和散热片的支撑部的底面，使得黏胶可填入至此些栓孔部之中，并于固化后形成一栓销结构来协助散热片抵抗横向剪力。此外，由于形成此些栓孔部可增加基板和散热片与黏胶层之间的接触面积，因此可增加散热片与基板之间的黏结力，使得散热片更稳固而且牢靠地黏结至基板而不易脱落。

87. 发明专利

TW574750B 具散熱片之半導體封裝件有权
简体标题：具散热片之半导体封装件
公开(公告)号：TW574750B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW090113448
申请日：2001-06-04
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 何宗達 , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
摘要：一種具散熱片之半導體封裝件，係包括一晶片承載件以供一晶片黏置其上，該晶片乃藉其第一表面與該晶片承載件黏接，而與該第一表面對應之第二表面上則藉一熱導性膠黏劑與一散熱片黏接，以供晶片產生之熱量得傳遞至該散熱片；其中，該散熱片於晶片為一封裝膠體包覆後，其頂面及與該頂面周邊接連之側面均係外露出該封裝膠體，使該散熱片僅其與該頂面相對之底面與封裝膠體相黏接，故該晶片產生之熱量得直接由該散熱片逸散至大氣中，且該散熱片之頂面上係預形成有一與形成封裝膠體之封裝樹脂具不良黏結性的介面層(Interface Layer)，使該介面層與封裝樹脂之黏結性小於該散熱片與封裝樹脂之黏結性，俾在形成該封裝膠體之模壓製程結束後，得便利地將形成於該介面層上之封裝樹脂去除，且於去除過程中不致造成散熱片與該晶片及封裝膠體間之脫層，並得確保該晶片於模壓製程中不會受散熱片壓迫而裂損之問題發生。
简体摘要：一种具散热片之半导体封装件，系包括一芯片承载件以供一芯片黏置其上，该芯片乃藉其第一表面与该芯片承载件黏接，而与该第一表面对应之第二表面上则藉一热导性胶黏剂与一散热片黏接，以供芯片产生之热量得传递至该散热片；其中，该散热片于芯片为一封装胶体包覆后，其顶面及与该顶面周边接连之侧面均系外露出该封装胶体，使该散热片仅其与该顶面相对之底面与封装胶体相黏接，故该芯片产生之热量得直接由该散热片逸散至大气中，且该散热片之顶面上系预形成有一与形成封装胶体之封装树脂具不良黏结性的界面层(Interface Layer)，使该界面层与封装树脂之黏结性小于该散热片与封装树脂之黏结性，俾在形成该封装胶体之模压制程结束后，得便利地将形成于该界面层上之封装树脂去除，且于去除过程中不致造成散热片与该芯片及封装胶体间之脱层，并得确保该芯片于模压制程中不会受散热片压迫而裂损之问题发生。

88. 发明专利

TW200919600A 打線結構及方法 WIRE BONDING STRUCTURE AND METHOD 审中-公开
简体标题：打线结构及方法 WIRE BONDING STRUCTURE AND METHOD
公开(公告)号：TW200919600A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW096139466
申请日：2007-10-22
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：黃榮彬 HUANG, JUNG PIN , 張錦煌 CHANG, CHIN HUANG , 劉正仁 LIU, CHUNG LUN , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/4899 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種打線結構及方法,係將夾置有銲線之銲嘴先在第一電子元件之電性接點形成一金屬凸塊,再令該銲嘴於該電性接點上形成一球形銲點,並上移及下引該銲嘴至第二電子元件,以於第二電子元件之電性接點上形成縫接銲點,進而形成第一及第二電子元件之電性連接,並使該銲線位於第一電子元件電性接點上方轉折處附近係支撐且抵靠於該金屬凸塊上,達到壓低線弧高度目的,並且可避免在後續運送過程或封裝模壓製程中因模流衝擊發生銲線頸部斷裂問題。
简体摘要：一种打线结构及方法,系将夹置有焊线之焊嘴先在第一电子组件之电性接点形成一金属凸块,再令该焊嘴于该电性接点上形成一球形焊点,并上移及下引该焊嘴至第二电子组件,以于第二电子组件之电性接点上形成缝接焊点,进而形成第一及第二电子组件之电性连接,并使该焊线位于第一电子组件电性接点上方转折处附近系支撑且抵靠于该金属凸块上,达到压低线弧高度目的,并且可避免在后续运送过程或封装模压制程中因模流冲击发生焊线颈部断裂问题。

89. 发明专利

TW200910582A 感測式半導體裝置及其製法 SENSOR-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：传感式半导体设备及其制法 SENSOR-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200910582A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096131618
申请日：2007-08-27
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：詹長岳 CHAN, CHANG YUEH , 黃致明 HUANG, CHIH MING , 黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 張錦煌 CHANG, CHIN HUANG , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0203 , H01L31/02164 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種感測式半導體裝置及其製法,係將至少一感測晶片接置且電性連接至導線架,並依序進行第一次及第二次之封裝模壓作業,以形成包覆該感測晶片及部分導線架之透明封裝膠體,及形成包覆該透明封裝膠體之非透光膠體,其中於該透明封裝膠體上對應該感測晶片之感測區上方設有一光線穿透部,且使該透明封裝膠體之光線穿透部外露出該非透光膠體,俾使該光線穿透部作為外界光線之穿透面,而不須額外設置蓋板以減少製程步驟及成本,並可避免習知技術使用射出成型之多孔膠體結構所導致信賴性不佳問題,及習知技術中僅利用透明樹脂包覆感測晶片時,因周圍干擾光線進入感測晶片而產生不良訊號之問題。
简体摘要：一种传感式半导体设备及其制法,系将至少一传感芯片接置且电性连接至导线架,并依序进行第一次及第二次之封装模压作业,以形成包覆该传感芯片及部分导线架之透明封装胶体,及形成包覆该透明封装胶体之非透光胶体,其中于该透明封装胶体上对应该传感芯片之传感区上方设有一光线穿透部,且使该透明封装胶体之光线穿透部外露出该非透光胶体,俾使该光线穿透部作为外界光线之穿透面,而不须额外设置盖板以减少制程步骤及成本,并可避免习知技术使用射出成型之多孔胶体结构所导致信赖性不佳问题,及习知技术中仅利用透明树脂包覆传感芯片时,因周围干扰光线进入传感芯片而产生不良信号之问题。

90. 发明专利

TW200845237A 感測式半導體裝置及其製法 SENSOR-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：传感式半导体设备及其制法 SENSOR-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200845237A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116053
申请日：2007-05-07
申请人：矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：詹長岳 CHAN, CHANG YUEH , 黃建屏 HUANG, CHIEN PING , 黃致明 HUANG, CHIH MING , 蕭承旭 HSIAO, CHENG HSU , 柯俊吉 KE, CHUN CHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：一種感測式半導體裝置及其製法,係在一透光載板上形成複數金屬線路,以將預先進行薄化、測試(chip probing)且於其銲墊上設有導電凸塊之複數感測晶片藉該導電凸塊而電性連接於該透光載板之金屬線路上,接著於各該感測晶片間填充第一介電層,以覆蓋該金屬線路及感測晶片周圍,並於該感測晶片及第一介電層上形成一第二介電層且形成有外露出該金屬線路之凹槽,以於該第二介電層上形成複數電性連接至該金屬線路之導線,之後沿各該感測晶片間進行切割,以形成複數感測式半導體裝置。如此即可避免習知製程中,因線路連接處之夾角尖銳而發生線路斷裂、從晶圓背面進行切割時因對位誤差導致線路電性連接不良與晶片毀損、以及因多次直接濺鍍形成線路時所導致製程成本增加等問題。
简体摘要：一种传感式半导体设备及其制法,系在一透光载板上形成复数金属线路,以将预雪铁龙行薄化、测试(chip probing)且于其焊垫上设有导电凸块之复数传感芯片藉该导电凸块而电性连接于该透光载板之金属线路上,接着于各该传感芯片间填充第一介电层,以覆盖该金属线路及传感芯片周围,并于该传感芯片及第一介电层上形成一第二介电层且形成有外露出该金属线路之凹槽,以于该第二介电层上形成复数电性连接至该金属线路之导线,之后沿各该传感芯片间进行切割,以形成复数传感式半导体设备。如此即可避免习知制程中,因线路连接处之夹角尖锐而发生线路断裂、从晶圆背面进行切割时因对位误差导致线路电性连接不良与芯片毁损、以及因多次直接溅镀形成线路时所导致制程成本增加等问题。

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