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    • 86. 发明专利
    • 蝕刻液組成物及蝕刻方法
    • 蚀刻液组成物及蚀刻方法
    • TW201336972A
    • 2013-09-16
    • TW102101971
    • 2013-01-18
    • ADEKA股份有限公司ADEKA CORPORATION
    • 田口雄太TAGUCHI, YUTA齊藤康太SAITOH, KOUTA
    • C09K13/06H01L21/3213
    • C23F1/18C09K13/06C23F1/16H01L21/32134H01L31/022425Y02E10/50
    • 本發明之目的係提供一種在由氧化銦系被膜與金屬系被膜所成之層合膜之總括蝕刻時,不會在氧化銦系被膜與金屬系被膜之間出現大的段差,由氧化銦系被膜與金屬系被膜所成之細線之變細幅度少,且,可直線性良好地蝕刻之蝕刻液組成物及蝕刻方法。本發明之蝕刻液組成物之特徵為包含鐵離子成分;氯化氫成分;及由以下述通式(1)表示之化合物及碳數1~4之直鏈或分支狀醇所組成群組選出之至少一種以上之化合物成分: (式中,R1、R3各獨立表示氫或碳數1~4之直鏈或分支狀烷基,R2表示碳數1~4之直鏈或分支狀之烷基,且n表示1~3之數)。
    • 本发明之目的系提供一种在由氧化铟系被膜与金属系被膜所成之层合膜之总括蚀刻时,不会在氧化铟系被膜与金属系被膜之间出现大的段差,由氧化铟系被膜与金属系被膜所成之细线之变细幅度少,且,可直线性良好地蚀刻之蚀刻液组成物及蚀刻方法。本发明之蚀刻液组成物之特征为包含铁离子成分;氯化氢成分;及由以下述通式(1)表示之化合物及碳数1~4之直链或分支状醇所组成群组选出之至少一种以上之化合物成分: (式中,R1、R3各独立表示氢或碳数1~4之直链或分支状烷基,R2表示碳数1~4之直链或分支状之烷基,且n表示1~3之数)。