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81. 发明专利

TW201448124A 垂直集成系統审中-公开
简体标题：垂直集成系统
公开(公告)号：TW201448124A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131988
申请日：2011-12-15
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：歐唐尼爾亞倫 , O'DONNELL, ALAN , 艾瑞特聖地牙哥 , IRIARTE, SANTIAGO , 莫菲馬克J , MURPHY, MARK J. , 萊登柯林 , LYDEN, COLIN , 凱西蓋瑞 , CASEY, GARY , 英格利許佑恩艾德華 , ENGLISH, EOIN EDWARD
IPC分类号： H01L23/045 , H01L23/488 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L25/16
CPC分类号： G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：本發明之實施例提供一種積體電路系統，其包括：一第一作用層，其製造於一半導體晶粒之一前側上；及一第二預先製造層，其在該半導體晶粒之一背側上且具有體現於其中之電組件，其中該等電組件包括至少一離散被動組件。該積體電路系統亦包括將該第一作用層與該第二預先製造層耦接之至少一電路徑。
简体摘要：本发明之实施例提供一种集成电路系统，其包括：一第一作用层，其制造于一半导体晶粒之一前侧上；及一第二预先制造层，其在该半导体晶粒之一背侧上且具有体现于其中之电组件，其中该等电组件包括至少一离散被动组件。该集成电路系统亦包括将该第一作用层与该第二预先制造层耦接之至少一电路径。

82. 发明专利

TWI438446B 測量電容之系統及方法有权
简体标题：测量电容之系统及方法
公开(公告)号：TWI438446B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW099128984
申请日：2010-08-27
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：艾瑞特聖地牙哥 , IRIARTE, SANTIAGO , 墨菲馬克 , MURPHY, MARK
IPC分类号： G01R27/26
CPC分类号： G01R27/2605

83. 发明专利

TW201406074A 用於高速串列傳輸器之架構审中-公开
简体标题：用于高速串行传输器之架构
公开(公告)号：TW201406074A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102126369
申请日：2013-07-23
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：薩福拉彼得森艾克瑟爾 , ZAFRA-PETERSSON, AXEL , 曼森喬漢H , MANSSON, JOHAN H. , 艾列特麥可R , ELLIOTT, MICHAEL R. , 傑夫萊斯布萊德P , JEFFRIES, BRAD P.
IPC分类号： H04B1/04 , H03K17/693
CPC分类号： H04L25/0278
摘要：本發明提供了一種用於串列傳輸器之系統，該串列傳輸器具有被組合到一個單級中的多工和驅動功能性，以增加該串列傳輸器之總體速度。該單級包括與一多工驅動器平行配置的一動態阻抗，以便減小輸入電容並設置正確輸出阻抗。可實施該單級作為一疊層式或交叉耦合式XOR邏輯電路或一疊層式或交叉耦合式多工器(「mux」)作為該多工驅動器。在一mux用作多工驅動器之實施方式中，可將一時鐘插入該mux驅動器中，以克服符碼間干擾。
简体摘要：本发明提供了一种用于串行传输器之系统，该串行传输器具有被组合到一个单级中的多任务和驱动功能性，以增加该串行传输器之总体速度。该单级包括与一多任务驱动器平行配置的一动态阻抗，以便减小输入电容并设置正确输出阻抗。可实施该单级作为一叠层式或交叉耦合式XOR逻辑电路或一叠层式或交叉耦合式多任务器(“mux”)作为该多任务驱动器。在一mux用作多任务驱动器之实施方式中，可将一时钟插入该mux驱动器中，以克服符码间干扰。

84. 发明专利

TW201401517A 互補金氧半導體電晶體線性化之方法审中-公开
简体标题：互补金属氧化物半导体晶体管线性化之方法
公开(公告)号：TW201401517A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102117944
申请日：2013-05-21
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：漢斯里喬瑟夫M , HENSLEY, JOSEPH M. , 馬爾登富蘭克林M , MURDEN, FRANKLIN M.
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/092
CPC分类号： H03K17/687 , H03M1/06 , H03M1/1245 , H03M1/38
摘要：一種用於取樣一類比輸入信號之電路可包含佈置於一基板上之一電晶體及耦合至該電晶體之源極及汲極之一者之一取樣電容器。該電晶體可佈置於耦合至接地之一基板上。該電晶體之一源極及一汲極可佈置於該電晶體之一背閘極中。可將該類比輸入供應至該電晶體之該源極及該汲極之一者，且該背閘極可接收具有低於接地之一值之一背閘極電壓。
简体摘要：一种用于采样一模拟输入信号之电路可包含布置于一基板上之一晶体管及耦合至该晶体管之源极及汲极之一者之一采样电容器。该晶体管可布置于耦合至接地之一基板上。该晶体管之一源极及一汲极可布置于该晶体管之一背闸极中。可将该模拟输入供应至该晶体管之该源极及该汲极之一者，且该背闸极可接收具有低于接地之一值之一背闸极电压。

85. 发明专利

TW201338149A 感測器以及製造感測器的方法审中-公开
简体标题：传感器以及制造传感器的方法
公开(公告)号：TW201338149A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102106809
申请日：2013-02-27
申请人：美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：史丹森伯納 , STENSON, BERNARD , 歐布里恩史蒂芬 , O'BRIEN, STEPHEN , 肯提馬修湯瑪士 , CANTY, MATTHEW THOMAS
IPC分类号： H01L27/22 , G01R33/09
CPC分类号： G01R33/096 , G01R33/0052 , Y10T29/49117
摘要：一種製造一感測器之方法，該方法包括：在一第一加工設施中，於一基板上形成該感測器之一或多個組件；及在一第二加工設施中，於該基板上或於該一或多個組件上沈積一感測器層，諸如一磁電阻感測器。沈積磁電阻材料之其他方面的污染效應可因此被限制於該第二加工設施，從而准許在該第一加工設施中使用更先進之加工設備及技術。
简体摘要：一种制造一传感器之方法，该方法包括：在一第一加工设施中，于一基板上形成该传感器之一或多个组件；及在一第二加工设施中，于该基板上或于该一或多个组件上沉积一传感器层，诸如一磁电阻传感器。沉积磁电阻材料之其他方面的污染效应可因此被限制于该第二加工设施，从而准许在该第一加工设施中使用更雪铁龙之加工设备及技术。

86. 发明专利

TW201230295A 用於電子電路保護之設備和方法 APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC CIRCUIT PROTECTION 审中-公开
简体标题：用于电子电路保护之设备和方法 APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC CIRCUIT PROTECTION
公开(公告)号：TW201230295A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100123812
申请日：2011-07-06
申请人：美國亞德諾半導體公司
发明人：薩爾賽多賈維爾A
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L27/0259
摘要：揭示用於電子電路保護之設備和方法。在一具體實例中,一種設備(1)包含一基板(247),該基板包括一n井(251b)及鄰近該n井之一p井(254b)。一n型作用區(243c)及一p型作用區(242c)安置於該n井中。該p型作用區、該n井及該p井經組態以分別作為一PNP雙極電晶體(22)之一射極、一基極及一集極的操作,且該p型作用區包圍該n型作用區之至少一部分,以便在自該p井注入至該n井內之載流子到達該n型作用區前輔助再結合該等載流子。該n井及該p井經組態以作為一崩潰二極體(27)操作,且在該n井與該p井之間的一擊穿崩潰電壓低於或約等於在該p型作用區與該n井之間的一崩潰電壓。
简体摘要：揭示用于电子电路保护之设备和方法。在一具体实例中,一种设备(1)包含一基板(247),该基板包括一n井(251b)及邻近该n井之一p井(254b)。一n型作用区(243c)及一p型作用区(242c)安置于该n井中。该p型作用区、该n井及该p井经组态以分别作为一PNP双极晶体管(22)之一射极、一基极及一集极的操作,且该p型作用区包围该n型作用区之至少一部分,以便在自该p井注入至该n井内之载流子到达该n型作用区前辅助再结合该等载流子。该n井及该p井经组态以作为一崩溃二极管(27)操作,且在该n井与该p井之间的一击穿崩溃电压低于或约等于在该p型作用区与该n井之间的一崩溃电压。

87. 发明专利

TW201212208A 用於電壓保護之接面場效電晶體 JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR VOLTAGE PROTECTION 审中-公开
简体标题：用于电压保护之接面场效应管 JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR VOLTAGE PROTECTION
公开(公告)号：TW201212208A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100132409
申请日：2011-09-08
申请人：美國亞德諾半導體公司
发明人：摩地卡艾瑞克 , 科尹艾德華約翰 , 包爾斯德瑞克費瑞德立克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0251
摘要：例如是涉及一種用於電壓保護的接面場效電晶體之裝置及方法係被揭示。一種此類的裝置係包含一保護電路,該保護電路係包含一輸入、一輸出以及一JFET(300/600)。該JFET係具有一電耦接至該輸入的源極(340/640)以及一電耦接至該輸出的汲極(360/660),其中該JFET具有一在大小上大於2V的夾止電壓(Vp)。該裝置進一步包含一內部電路,該內部電路具有一被配置以從該保護電路的輸出接收一信號的輸入。該保護電路係對該內部電路提供保護以避免過電壓及/或欠電壓的狀況,同時相較於一具有在大小上小於2V的Vp的JFET,其係具有一縮小的尺寸。
简体摘要：例如是涉及一种用于电压保护的接面场效应管之设备及方法系被揭示。一种此类的设备系包含一保护电路,该保护电路系包含一输入、一输出以及一JFET(300/600)。该JFET系具有一电耦接至该输入的源极(340/640)以及一电耦接至该输出的汲极(360/660),其中该JFET具有一在大小上大于2V的夹止电压(Vp)。该设备进一步包含一内部电路,该内部电路具有一被配置以从该保护电路的输出接收一信号的输入。该保护电路系对该内部电路提供保护以避免过电压及/或欠电压的状况,同时相较于一具有在大小上小于2V的Vp的JFET,其系具有一缩小的尺寸。

88. 发明专利

TW201205689A 用以蝕刻及分割蓋晶圓之方法 METHOD OF ETCHING AND SINGULATING A CAP WAFER 审中-公开
简体标题：用以蚀刻及分割盖晶圆之方法 METHOD OF ETCHING AND SINGULATING A CAP WAFER
公开(公告)号：TW201205689A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100121621
申请日：2011-06-21
申请人：美國亞德諾半導體公司
发明人：達拉爾米托 , 陳立
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B7/0058 , B81C1/00333 , B81C1/00523 , B81C2203/0118 , H01L21/4803 , H01L21/50 , H01L23/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種形成一加蓋晶片之方法形成一蓋晶圓,該蓋晶圓具有一頂側及一底側。該底側形成有1)具有一第一深度之多數裝置空腔,及2)多數第二空腔,各第二空腔具有一大於該第一深度之深度。至少某些該等多數第二空腔各大致界限該等裝置空腔中之至少一者。該方法接著以使多數該等裝置空腔各界限在該裝置晶圓上之電路及結構中之至少一者的方式,將該蓋晶圓固定在一裝置晶圓上。然後,該方法將該蓋晶圓之頂側之至少一部份移除以暴露該等第二空腔。這形成多數蓋,且各蓋保護上述電路及結構。
简体摘要：一种形成一加盖芯片之方法形成一盖晶圆,该盖晶圆具有一顶侧及一底侧。该底侧形成有1)具有一第一深度之多数设备空腔,及2)多数第二空腔,各第二空腔具有一大于该第一深度之深度。至少某些该等多数第二空腔各大致界限该等设备空腔中之至少一者。该方法接着以使多数该等设备空腔各界限在该设备晶圆上之电路及结构中之至少一者的方式,将该盖晶圆固定在一设备晶圆上。然后,该方法将该盖晶圆之顶侧之至少一部份移除以暴露该等第二空腔。这形成多数盖,且各盖保护上述电路及结构。

89. 发明专利

TW201203508A 用於電子電路保護之設備和方法 APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC CIRCUIT PROTECTION 审中-公开
简体标题：用于电子电路保护之设备和方法 APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC CIRCUIT PROTECTION
公开(公告)号：TW201203508A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099134997
申请日：2010-10-14
申请人：美國亞德諾半導體公司
发明人：薩爾賽多賈維爾A
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L27/0259
摘要：揭示用於電子電路保護之設備和方法。在一具體實例中，一種設備包含：一內部電路，其電連接於一第一節點與一第二節點之間；及一保護電路，其電連接於該第一節點與該第二節點之間且經組態以保護該內部電路免受短暫電事件之危害。該保護電路包含一雙極電晶體，其具有一連接至該第一節點之射極、一連接至一第三節點之基極及一連接至一第四節點之集極。該保護電路進一步包含一電連接於該第三節點與該第四節點之間的第一二極體及一電連接於該第二節點與該第四節點之間的第二二極體。該第一二極體為一突崩擊穿二極體，其具有一低於或約等於與該雙極電晶體之基極及集極相關聯之一擊穿電壓的突崩擊穿電壓。
简体摘要：揭示用于电子电路保护之设备和方法。在一具体实例中，一种设备包含：一内部电路，其电连接于一第一节点与一第二节点之间；及一保护电路，其电连接于该第一节点与该第二节点之间且经组态以保护该内部电路免受短暂电事件之危害。该保护电路包含一双极晶体管，其具有一连接至该第一节点之射极、一连接至一第三节点之基极及一连接至一第四节点之集极。该保护电路进一步包含一电连接于该第三节点与该第四节点之间的第一二极管及一电连接于该第二节点与该第四节点之间的第二二极管。该第一二极管为一突崩击穿二极管，其具有一低于或约等于与该双极晶体管之基极及集极相关联之一击穿电压的突崩击穿电压。

90. 发明专利

TW201203040A 用以偵測使用者輸入之方法和裝置 METHOD AND DEVICE FOR DETECTING USER INPUT 审中-公开
简体标题：用以侦测用户输入之方法和设备 METHOD AND DEVICE FOR DETECTING USER INPUT
公开(公告)号：TW201203040A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100102343
申请日：2011-01-21
申请人：美國亞德諾半導體公司
发明人：莫菲馬克J , 莫洛尼尤漢 , 英格利許佑恩艾德華 , 康威墨爾 , 凱西蓋瑞 , 柏利奇克萊斯丁
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F3/016 , G06F3/0414
摘要：本發明揭示用以偵測使用者輸入之一種方法及一種裝置，其包含在一使用者介面之一輸入配置接收一使用者輸入。該輸入配置具有回應於該輸入而產生一電信號的至少一個壓電感測器。該電信號經處理以判定該輸入之存在。該處理除了可指示該輸入之位置以外，亦可指示該輸入之力的量值。該使用者介面之一輸出配置回應於該處理而產生一輸出。該輸出配置可為一觸覺、音訊或視覺輸出。
简体摘要：本发明揭示用以侦测用户输入之一种方法及一种设备，其包含在一用户界面之一输入配置接收一用户输入。该输入配置具有回应于该输入而产生一电信号的至少一个压电传感器。该电信号经处理以判定该输入之存在。该处理除了可指示该输入之位置以外，亦可指示该输入之力的量值。该用户界面之一输出配置回应于该处理而产生一输出。该输出配置可为一触觉、音频或视觉输出。

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