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81. 发明专利

TWI304209B 資訊記錄方法,光資訊記錄媒體及資訊記錄裝置失效
简体标题：信息记录方法,光信息记录媒体及信息记录设备
公开(公告)号：TWI304209B
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：TW093125569
申请日：2004-08-26
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：加藤將紀 KATO, MASAKI , 大倉浩子 OHKURA, HIROKO , 伊藤和典 ITO, KAZUNORI , 出口浩司 DEGUCHI, HIROSHI , 安部美樹子 ABE, MIKIKO
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/0062 , G11B7/00454 , G11B7/00456
摘要：係對定角速度旋轉之光記錄媒體,以和旋轉半徑方向各位置之移動速度成反比變化之基本時脈週期為同步之方式,照射含有由加熱功率期間及冷卻功率期間所構成之同數之記號記錄期間之雷射束,用以實施線密度一定之資訊之記錄之光資訊記錄方法,利用以基本時脈週期之2倍之週期所產生之脈衝列來形成偶數倍之長度之記號,同時,使最初之記號記錄期間延遲第1時間且以只有最初之記號記錄期間及最後之前一之記號記錄期間長於基本時脈週期之2倍之週期所產生之脈衝列來形成奇數倍之長度之記號。
简体摘要：系对定角速度旋转之光记录媒体,以和旋转半径方向各位置之移动速度成反比变化之基本时脉周期为同步之方式,照射含有由加热功率期间及冷却功率期间所构成之同数之记号记录期间之激光束,用以实施线密度一定之信息之记录之光信息记录方法,利用以基本时脉周期之2倍之周期所产生之脉冲列来形成偶数倍之长度之记号,同时,使最初之记号记录期间延迟第1时间且以只有最初之记号记录期间及最后之前一之记号记录期间长于基本时脉周期之2倍之周期所产生之脉冲列来形成奇数倍之长度之记号。

82. 发明专利

TW200842167A 光學記錄材料,光學記錄媒體,及光學記錄媒體之記錄及複製方法 OPTICAL RECORDING MATERIAL, OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND RECORDING AND REPRODUCING METHOD OF OPTICAL RECORDING MEDIUM 审中-公开
简体标题：光学记录材料,光学记录媒体,及光学记录媒体之记录及复制方法 OPTICAL RECORDING MATERIAL, OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND RECORDING AND REPRODUCING METHOD OF OPTICAL RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TW200842167A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW097101242
申请日：2008-01-11
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：八代徹 YASHIRO, TOHRU , 近江文也 OHMI, FUMIYA , 水上智 MIZUKAMI, SATOSHI , 中村有希 NAKAMURA, YUKI , 林昌弘 HAYASHI, MASAHIRO , 松本一平 MATSUMOTO, IPPEI
IPC分类号： C09B , G11B , B41M
CPC分类号： G11B7/2492 , C09B23/0066 , C09B23/06 , C09B57/007 , C09B67/0033 , C09B69/02 , G11B7/24038 , G11B7/246 , G11B7/2472 , G11B7/259 , G11B2007/24612 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25716
摘要：本發明提供一種光學記錄材料,其即使在高速記錄下也能獲得優異的記錄信號性質且在單側單層光學記錄媒體及單側雙層光學記錄媒體中有優異持久性,該單側雙層光學記錄媒體具有第一記錄層及第二記錄層。該光學記錄材料含有當作光學記錄層的染料之具有特定結構的花青化合物及方酸(squarylium)化合物。
简体摘要：本发明提供一种光学记录材料,其即使在高速记录下也能获得优异的记录信号性质且在单侧单层光学记录媒体及单侧双层光学记录媒体中有优异持久性,该单侧双层光学记录媒体具有第一记录层及第二记录层。该光学记录材料含有当作光学记录层的染料之具有特定结构的花青化合物及方酸(squarylium)化合物。

83. 发明专利

TWI302231B 粉末容器及影像形成裝置 POWDER CONTAINER AND IMAGE FORMING APPARATUS 有权
简体标题：粉末容器及影像形成设备 POWDER CONTAINER AND IMAGE FORMING APPARATUS
公开(公告)号：TWI302231B
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：TW094124021
申请日：2005-07-14
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：栗田正博 KURITA, MASAHIRO , 內山美沙紀 UCHIYAMA, MISAKI
IPC分类号： G03G
CPC分类号： G03G15/0886 , G03G15/0872 , G03G2215/067 , G03G2215/0678
摘要：一種可拆卸地安裝於一影像形成裝置之容器容置單元內的粉末容器,包含有一容器本體,包含有一位在該容器本體之頭部上的開孔,以及一位在該容器本體之底部的嚙合部位,該嚙合部位係嚙合於該容器容置單元的嚙合接收部位;一可與該容器本體一體地轉動的驅動力傳遞構件;以及一蓋部,包含有一可將自該容器本體之開孔排放出來的粉末進一步地排放出去的排放出口,以及一可開啓及關閉該排放出口的擋門。該粉末容器在該容器容置單元內的位置是透過將該嚙合部位嚙合於該嚙合接收部位,並操作該蓋部使該擋門開啓該排放出口而加以決定的。
简体摘要：一种可拆卸地安装于一影像形成设备之容器容置单元内的粉末容器,包含有一容器本体,包含有一位在该容器本体之头部上的开孔,以及一位在该容器本体之底部的啮合部位,该啮合部位系啮合于该容器容置单元的啮合接收部位;一可与该容器本体一体地转动的驱动力传递构件;以及一盖部,包含有一可将自该容器本体之开孔排放出来的粉末进一步地排放出去的排放出口,以及一可开启及关闭该排放出口的挡门。该粉末容器在该容器容置单元内的位置是透过将该啮合部位啮合于该啮合接收部位,并操作该盖部使该挡门开启该排放出口而加以决定的。

84. 发明专利

TW200837854A 多層互連結構之製造方法及多層互連結構 METHOD OF MANUFACTURING MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE AND MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE 审中-公开
简体标题：多层互链接构之制造方法及多层互链接构 METHOD OF MANUFACTURING MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE AND MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE
公开(公告)号：TW200837854A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096141188
申请日：2007-11-01
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：荒海麻由佳 ARAUMI, MAYUKA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/07802 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：揭示一種使用網版印刷法之多層互連結構的製造方法。在多層互連結構中,層間絕緣膜與第二互連線係堆疊於基底上,層間絕緣膜具有內部設有導電凸塊之通孔,基底上形成有第一互連線。第一互連線係經由導電凸塊而被電連接至第二互連線。該方法包含下述步驟:在其上形成有第一互連線的基底上形成層間絕緣膜的第一區,第一區包含該通孔的周圍壁之部份;在其上形成有第一區的基底上形成層間絕緣膜的第二區,第二區包含該通孔之周圍壁的其餘部份;以及,形成導電凸塊。
简体摘要：揭示一种使用网版印刷法之多层互链接构的制造方法。在多层互链接构中,层间绝缘膜与第二互连接系堆栈于基底上,层间绝缘膜具有内部设有导电凸块之通孔,基底上形成有第一互连接。第一互连接系经由导电凸块而被电连接至第二互连接。该方法包含下述步骤:在其上形成有第一互连接的基底上形成层间绝缘膜的第一区,第一区包含该通孔的周围壁之部份;在其上形成有第一区的基底上形成层间绝缘膜的第二区,第二区包含该通孔之周围壁的其余部份;以及,形成导电凸块。

85. 发明专利

TW200832394A 多層相變化型光學記錄媒體 MULTI-LAYERED PHASE-CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM 审中-公开
简体标题：多层相变化型光学记录媒体 MULTI-LAYERED PHASE-CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TW200832394A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096133548
申请日：2007-09-07
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：關口洋義 SEKIGUCHI, HIROYOSHI , 篠塚道明 SHINOTSUKA, MICHIAKI , 真貝勝 SHINKAI, MASARU , 加藤將紀 KATO, MASAKI
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/24038 , G11B7/0901 , G11B7/24056 , G11B7/24079 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要：一種多層相變化型光學記錄媒體,其具有第一基材及第二基材,及多個資訊層,其中除了從該第一基材側觀看時配置於最內側的資訊層以外,資訊層的各個熱擴散層具有氧化銦、氧化鋅、氧化錫及氧化矽,且當其含量各自藉由“a"、“b"、“c"及“d"【【莫耳%】】來表示時,將滿足下列條件,且當該第一及第二基材的折射率藉由“n"來表示,該雷射光波長藉由“��"來表示,且該第一及第二基材的溝槽導引深度藉由H來表示時,該H將滿足下列條件,3≦a≦50 0≦d≦30 a+b+c+d=100 ��/17n≦H≦��/11.5n。
简体摘要：一种多层相变化型光学记录媒体,其具有第一基材及第二基材,及多个信息层,其中除了从该第一基材侧观看时配置于最内侧的信息层以外,信息层的各个热扩散层具有氧化铟、氧化锌、氧化锡及氧化硅,且当其含量各自借由“a"、“b"、“c"及“d"【【莫耳%】】来表示时,将满足下列条件,且当该第一及第二基材的折射率借由“n"来表示,该激光光波长借由“��"来表示,且该第一及第二基材的沟槽导引深度借由H来表示时,该H将满足下列条件,3≦a≦50 0≦d≦30 a+b+c+d=100 ��/17n≦H≦��/11.5n。

86. 发明专利

TW200830307A 光學記錄媒體之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL RECORDING MEDIUM 审中-公开
简体标题：光学记录媒体之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TW200830307A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096127056
申请日：2007-07-25
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：古賀昇 KOGA, NOBORU
IPC分类号： G11B
摘要：在製造具有中央孔且以紫外線硬化樹脂來使彼此互相黏合於其間之第一基板與第二基板之結構的光學記錄媒體時,該經黏合的基板首先被照射以使外圓周部之內側區域中的紫外線硬化樹脂硬化,且至少不照射該二經黏合之基板的該外圓周部,其次,在以僅接觸該二經黏合之基板之鉗夾區的中心銷而將該二經黏合之基板以靜態方式固定後,以紫外線照射該經黏合的基板,以使該紫外線硬化樹脂完全硬化。
简体摘要：在制造具有中央孔且以紫外线硬化树脂来使彼此互相黏合于其间之第一基板与第二基板之结构的光学记录媒体时,该经黏合的基板首先被照射以使外圆周部之内侧区域中的紫外线硬化树脂硬化,且至少不照射该二经黏合之基板的该外圆周部,其次,在以仅接触该二经黏合之基板之钳夹区的中心销而将该二经黏合之基板以静态方式固定后,以紫外线照射该经黏合的基板,以使该紫外线硬化树脂完全硬化。

87. 发明专利

TW200830192A 符合多種標準的記憶卡 MEMORY CARD COMPLYING WITH A PLURALITY OF STANDARDS 失效
简体标题：符合多种标准的记忆卡 MEMORY CARD COMPLYING WITH A PLURALITY OF STANDARDS
公开(公告)号：TW200830192A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096133138
申请日：2007-09-05
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：安達正治 ADACHI, MASAHARU
IPC分类号： G06K
摘要：一種記憶卡,包含:控制裝置;非揮發性記憶體;及程式儲存記憶體,其中,該程式儲存記憶體配置成儲存複數個對應於個別標準的控制程式,用於控制該非揮發性記憶體與外部裝置之間的資料存取。
简体摘要：一种记忆卡,包含:控制设备;非挥发性内存;及进程存储内存,其中,该进程存储内存配置成存储复数个对应于个别标准的控制进程,用于控制该非挥发性内存与外部设备之间的数据存取。

88. 发明专利

TW200825655A 定電壓電路 CONSTANT VOLTAGE CIRCUIT 失效
简体标题：定电压电路 CONSTANT VOLTAGE CIRCUIT
公开(公告)号：TW200825655A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096115753
申请日：2007-05-03
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：野田一平 NODA, IPPEI
IPC分类号： G05F
CPC分类号： G05F1/56
摘要：電壓變化檢測電路部件放大差動放大電路的輸出信號使得其轉換率可以是大於自第一誤差放大電路輸出至輸出電晶體之控制信號的轉換率,回應比自第一誤差放大電路輸出至第一電晶體的控制信號更快之自輸出端子所輸出之輸出電壓的變化,以及致使放電電路部件實施放電操作。
简体摘要：电压变化检测电路部件放大差动放大电路的输出信号使得其转换率可以是大于自第一误差放大电路输出至输出晶体管之控制信号的转换率,回应比自第一误差放大电路输出至第一晶体管的控制信号更快之自输出端子所输出之输出电压的变化,以及致使放电电路部件实施放电操作。

89. 发明专利

TW200822089A 追記型光記錄媒體及其記錄方法 WRITE-ONCE-READ-MANY OPTICAL RECORDING MEDIUM AND RECORDING METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：追记型光记录媒体及其记录方法 WRITE-ONCE-READ-MANY OPTICAL RECORDING MEDIUM AND RECORDING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200822089A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096132263
申请日：2007-08-30
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：藤原將行 FUJIWARA, MASAYUKI , 登 SASA, NOBORU , 林嘉隆 HAYASHI, YOSHITAKA , 藤井俊茂 FUJII, TOSHISHIGE , 山田勝幸 YAMADA, KATSUYUKI , 加藤將紀 KATO, MASAKI , 鳴海慎也 NARUMI, SHINYA , 大庭秀章 OBA, HIDEAKI , 關口洋義 SEKIGUCHI, HIROYOSHI , 佐佐木俊英 SASAKI, TOSHIHIDE
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/00456 , G11B7/246 , G11B7/2463 , G11B7/2585
摘要：一種記錄方法,包含:以CAV、ZCLV、或PCAV,在能夠由藍光雷射記錄及再生的追記型光記錄媒體上記錄,其中,包含記錄脈衝的雷射發射圖案包括二或更多不同位準的記錄功率,以及,不論記錄的線性速度為何,由該雷射發射圖案及參考時鐘標準化的雷射發射時間被固定。
简体摘要：一种记录方法,包含:以CAV、ZCLV、或PCAV,在能够由蓝光激光记录及再生的追记型光记录媒体上记录,其中,包含记录脉冲的激光发射图案包括二或更多不同位准的记录功率,以及,不论记录的线性速度为何,由该激光发射图案及参考时钟标准化的激光发射时间被固定。

90. 发明专利

TW200818563A 疊層結構,彼之製法,多層電路板,主動矩陣基板與電子顯示器 LAMINATED STRUCTURE, PRODUCTION METHOD OF THE SAME, MULTILAYER CIRCUIT BOARD, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DISPLAY 审中-公开
简体标题：叠层结构,彼之制法,多层电路板,主动矩阵基板与电子显示器 LAMINATED STRUCTURE, PRODUCTION METHOD OF THE SAME, MULTILAYER CIRCUIT BOARD, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DISPLAY
公开(公告)号：TW200818563A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096128628
申请日：2007-08-03
申请人：理光股份有限公司 RICOH COMPANY, LTD.
发明人：小野寺敦 ONODERA, ATSUSHI , 友野英紀 TOMONO, HIDENORI , 鈴木幸榮 SUZUKI, KOEI , 田野隆德 TANO, TAKANORI , 山賀匠 YAMAGA, TAKUMI
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L2924/0002 , Y10T428/24752 , Y10T428/2495 , H01L2924/00
摘要：提供一種疊層結構,包括含有潤濕性可變材料的潤濕性可變層,該層施以能量時,表面能量改變,並包括至少一具有高表面能量的高表面能量區和一具有低表面能量的低表面能量區;和形成於高表面能量區上的導電層。此高表面能量區包括第一區和自第一區延伸且寬度小於第一區的第二區。
简体摘要：提供一种叠层结构,包括含有润湿性可变材料的润湿性可变层,该层施以能量时,表面能量改变,并包括至少一具有高表面能量的高表面能量区和一具有低表面能量的低表面能量区;和形成于高表面能量区上的导电层。此高表面能量区包括第一区和自第一区延伸且宽度小于第一区的第二区。

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