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71. 发明专利

TW201619417A 有機材料氣相噴射沈積期間調變流之系統及方法审中-公开
简体标题：有机材料气相喷射沉积期间调制流之系统及方法
公开(公告)号：TW201619417A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104120603
申请日：2015-06-25
申请人：環球展覽公司 , UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION
发明人：麥可葛羅桂葛瑞 , MCGRAW, GREGORY , 奎因威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 金馬修 , KING, MATTHEW , 海特佛德艾理特H 二世 , HARTFORD, ELLIOT H., JR. , 哈克斯納莫翰斯德哈西 , HARIKRISHNA MOHAN, SIDDHARTH , 詩威德羅芙班傑明 , SWEDLOVE, BENJAMIN , 寇塔司葛雷格 , KOTTAS, GREGG
IPC分类号： C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/54 , H01L51/56
摘要：所揭示之標的物之實施例提供方法及系統，其包括噴嘴、與該噴嘴成流體連通之待沈積在基板上之材料源、與待用該噴嘴沈積之該材料源成流體連通之遞送氣體源、鄰近於該噴嘴安置之排氣通道、與該噴嘴及該排氣通道成流體連通且鄰近於該排氣通道安置之圍束氣體源以及用以調節該噴嘴之沈積噴嘴孔口與沈積靶之間的飛行高度分隔之致動器。對該飛行高度分隔之調節可停止及/或開始來自該噴嘴之材料之沈積。
简体摘要：所揭示之标的物之实施例提供方法及系统，其包括喷嘴、与该喷嘴成流体连通之待沉积在基板上之材料源、与待用该喷嘴沉积之该材料源成流体连通之递送气体源、邻近于该喷嘴安置之排气信道、与该喷嘴及该排气信道成流体连通且邻近于该排气信道安置之围束气体源以及用以调节该喷嘴之沉积喷嘴孔口与沉积靶之间的飞行高度分隔之致动器。对该飞行高度分隔之调节可停止及/或开始来自该喷嘴之材料之沉积。

72. 发明专利

TW201615868A 蒸鍍系統以及蒸鍍方法审中-公开
简体标题：蒸镀系统以及蒸镀方法
公开(公告)号：TW201615868A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103137848
申请日：2014-10-31
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：董福慶 , TUNG, FU CHING , 王慶鈞 , WANG, CHING CHIUN , 賴識翔 , LAI, SHIH HSIANG
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/24 , C23C14/28
摘要：一種蒸鍍系統以及蒸鍍方法，適於對一欲蒸鍍基材表面進行蒸鍍。該蒸鍍系統係利用提供一蒸鍍材料及一蒸鍍源板，蒸鍍材料披覆於蒸鍍源板表面，藉由一加熱器對蒸鍍源板加熱，將蒸鍍材料由固態轉化為氣態，開啟一開閉裝置使氣態蒸鍍材料通過孔洞而擴散到欲蒸鍍基材表面，使其成膜。該蒸鍍系統具有一傳動裝置，可控制該孔洞之開閉。
简体摘要：一种蒸镀系统以及蒸镀方法，适于对一欲蒸镀基材表面进行蒸镀。该蒸镀系统系利用提供一蒸镀材料及一蒸镀源板，蒸镀材料披覆于蒸镀源板表面，借由一加热器对蒸镀源板加热，将蒸镀材料由固态转化为气态，打开一开闭设备使气态蒸镀材料通过孔洞而扩散到欲蒸镀基材表面，使其成膜。该蒸镀系统具有一传动设备，可控制该孔洞之开闭。

73. 发明专利

TW201614086A 蒸鍍遮罩的製造方法，及有機半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩的制造方法，及有机半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201614086A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW105100279
申请日：2013-01-11
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：武田利彥 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 西村祐行 , NISHIMURA, HIROYUKI , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI
IPC分类号： C23C14/24 , B32B15/08 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0011 , B05B12/20 , C23C14/042 , C23C16/042 , C23F1/02 , C23F1/12 , C23F1/14 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L51/0021 , H01L51/5012 , H01L51/5221 , H01L51/56
摘要：本發明係一種蒸鍍遮罩的製造方法，及有機半導體元件的製造方法，其課題為提供即使作為大型化亦可滿足高精細化與輕量化雙方之蒸鍍遮罩的製造方法，及可製造高精細之有機半導體元件之有機半導體元件的製造方法者。其解決手段係從準備設置有樹脂層於金屬板之一方的面之附樹脂層金屬板之工程，和對於在前述附樹脂層金屬板之金屬板而言，經由形成僅貫通該金屬板之縫隙者而形成附樹脂層金屬遮罩之工程，和之後，經由從前述金屬遮罩側照射雷射，將對應於蒸鍍製作於前述樹脂層之圖案的開口部，複數列形成於縱橫之時而形成樹脂遮罩之工程，製造蒸鍍遮罩。
简体摘要：本发明系一种蒸镀遮罩的制造方法，及有机半导体组件的制造方法，其课题为提供即使作为大型化亦可满足高精细化与轻量化双方之蒸镀遮罩的制造方法，及可制造高精细之有机半导体组件之有机半导体组件的制造方法者。其解决手段系从准备设置有树脂层于金属板之一方的面之附树脂层金属板之工程，和对于在前述附树脂层金属板之金属板而言，经由形成仅贯通该金属板之缝隙者而形成附树脂层金属遮罩之工程，和之后，经由从前述金属遮罩侧照射激光，将对应于蒸镀制作于前述树脂层之图案的开口部，复数列形成于纵横之时而形成树脂遮罩之工程，制造蒸镀遮罩。

74. 发明专利

TW201612144A 防污處理組成物、處理裝置、處理方法及處理物品审中-公开
简体标题：防污处理组成物、处理设备、处理方法及处理物品
公开(公告)号：TW201612144A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104124872
申请日：2015-07-31
申请人：大金工業股份有限公司 , DAIKIN INDUSTRIES, LTD. , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：伊丹康雄 , ITAMI, YASUO , 布瀬暁志 , FUSE, TAKASHI , 乙骨円華 , OKKOTSU, MADOKA , 木下秀俊 , KINOSHITA, HIDETOSHI , 深澤辰哉 , FUKASAWA, TATSUYA
IPC分类号： C07C43/17 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/02
CPC分类号： C09D171/00 , C03C17/30 , C03C17/32 , C03C23/006 , C03C2217/75 , C08G65/00 , C09D4/00 , C09D5/1637 , C09D7/40 , C09K3/18
摘要：本發明提供可形成具有更高耐鹼性層的表面處理劑，其係含有於分子末端上具有碳-碳不飽和鍵作為以-Y-A(式中，Y是表示單鍵、氧原子或2價的有機基，A是表示-CH=CH2或-C≡CH。)表示的基之含氟化合物而成者。
简体摘要：本发明提供可形成具有更高耐碱性层的表面处理剂，其系含有于分子末端上具有碳-碳不饱和键作为以-Y-A(式中，Y是表示单键、氧原子或2价的有机基，A是表示-CH=CH2或-C≡CH。)表示的基之含氟化合物而成者。

75. 发明专利

TW201608207A 水晶振盪式膜厚計审中-公开
简体标题：水晶振荡式膜厚计
公开(公告)号：TW201608207A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104111253
申请日：2015-04-08
申请人：佳能特機股份有限公司 , CANON TOKKI CORPORATION
发明人：田島三之 , TAJIMA, MIYUKI , 田村博之 , TAMURA, HIROYUKI
IPC分类号： G01B17/02 , C23C14/24 , C23C14/52
摘要：提供藉於水晶振動子(4)的蒸鍍面側的電極膜(5)上預先形成之基底膜的設定，抑制水晶振動子的等效串聯電阻之上升，謀求長壽命化的優異之水晶振盪式膜厚計。一種水晶振盪式膜厚計，係在真空槽(1)內使從蒸發源(2)予以蒸發之蒸鍍材料堆積於基板(3)表面而形成薄膜的真空蒸鍍裝置(D)下之膜厚控制用的水晶振盪式膜厚計(M)，構成為將與前述蒸鍍材料不同之由包含至少一個以上的碳原子之有機物所構成的有機材料，在水晶振動子(4)之蒸鍍面側的電極膜(5)上藉預先蒸鍍作被覆而形成有機材料基底膜(6)，在此有機材料基底膜(6)上予以蒸鍍前述蒸鍍材料而就此蒸鍍材料的膜厚或蒸鍍速度作計測。
简体摘要：提供藉于水晶振动子(4)的蒸镀面侧的电极膜(5)上预先形成之基底膜的设置，抑制水晶振动子的等效串联电阻之上升，谋求长寿命化的优异之水晶振荡式膜厚计。一种水晶振荡式膜厚计，系在真空槽(1)内使从蒸发源(2)予以蒸发之蒸镀材料堆积于基板(3)表面而形成薄膜的真空蒸镀设备(D)下之膜厚控制用的水晶振荡式膜厚计(M)，构成为将与前述蒸镀材料不同之由包含至少一个以上的碳原子之有机物所构成的有机材料，在水晶振动子(4)之蒸镀面侧的电极膜(5)上藉预先蒸镀作被覆而形成有机材料基底膜(6)，在此有机材料基底膜(6)上予以蒸镀前述蒸镀材料而就此蒸镀材料的膜厚或蒸镀速度作计测。

76. 发明专利

TW201608045A 蒸鍍遮罩，附框架蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩預備體，及有機半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩，附框架蒸镀遮罩，蒸镀遮罩预备体，及有机半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201608045A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118304
申请日：2015-06-05
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO , 川崎博司 , KAWASAKI, HIROSHI , 小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C16/042
摘要：提供一種能夠滿足高精細化與輕量化雙方，且正確地進行確認樹脂遮罩上形成之開口部的形狀圖樣是否正常等之蒸鍍遮罩，及提供用來得到該蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩預備體，以及提供具備該蒸鍍遮罩之附框架蒸鍍遮罩，更提供使用了該附框架蒸鍍遮罩之有機半導體元件之製造方法。在由形成有狹縫(15)之金屬遮罩(10)、及在與該狹縫重疊的位置形成有和蒸鍍製作的圖樣相對應的開口部(25)之樹脂遮罩(20)被層積而成之蒸鍍遮罩(100)中，使用波長550nm的光線透過率為40%以下之樹脂遮罩，藉此解決上述問題。
简体摘要：提供一种能够满足高精细化与轻量化双方，且正确地进行确认树脂遮罩上形成之开口部的形状图样是否正常等之蒸镀遮罩，及提供用来得到该蒸镀遮罩之蒸镀遮罩预备体，以及提供具备该蒸镀遮罩之附框架蒸镀遮罩，更提供使用了该附框架蒸镀遮罩之有机半导体组件之制造方法。在由形成有狭缝(15)之金属遮罩(10)、及在与该狭缝重叠的位置形成有和蒸镀制作的图样相对应的开口部(25)之树脂遮罩(20)被层积而成之蒸镀遮罩(100)中，使用波长550nm的光线透过率为40%以下之树脂遮罩，借此解决上述问题。

77. 发明专利

TW201604302A 蒸發源陣列审中-公开
简体标题：蒸发源数组
公开(公告)号：TW201604302A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104108945
申请日：2015-03-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：地古坎柏喬斯曼紐 , DIEGUEZ-CAMPO, JOSE MANUEL , 班格特史丹分 , BANGERT, STEFAN , 露博安德率斯 , LOPP, ANDREAS , 史奇伯勒佑維
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/042 , C23C14/56 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要：一種沉積2種或大於2種有機材料於基板上的蒸發源陣列。蒸發源陣列包括2個或大於2個蒸發坩鍋、2個或大於2個分配管、2個或大於2個熱屏蔽、一冷卻屏蔽配置、及一冷卻元件。蒸發坩鍋係配置以蒸發有機材料。分配管具有沿著分配管之長度所延伸的出口。分配管的第一分配管與蒸發坩鍋的第一蒸發坩鍋具有流體之交流。熱屏蔽環繞第一分配管。冷卻屏蔽配置提供於分配管之至少一側。此至少一側係提供出口之側。冷卻元件提供於冷卻屏蔽配置或冷卻屏蔽配置之中，使冷卻屏蔽配置進行冷卻。
简体摘要：一种沉积2种或大于2种有机材料于基板上的蒸发源数组。蒸发源数组包括2个或大于2个蒸发坩锅、2个或大于2个分配管、2个或大于2个热屏蔽、一冷却屏蔽配置、及一冷却组件。蒸发坩锅系配置以蒸发有机材料。分配管具有沿着分配管之长度所延伸的出口。分配管的第一分配管与蒸发坩锅的第一蒸发坩锅具有流体之交流。热屏蔽环绕第一分配管。冷却屏蔽配置提供于分配管之至少一侧。此至少一侧系提供出口之侧。冷却组件提供于冷却屏蔽配置或冷却屏蔽配置之中，使冷却屏蔽配置进行冷却。

78. 发明专利

TW201602373A 用於有機材料之蒸發源及蒸發源陣列审中-公开
简体标题：用于有机材料之蒸发源及蒸发源数组
公开(公告)号：TW201602373A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104108946
申请日：2015-03-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班格特史丹分 , BANGERT, STEFAN , 地古坎柏喬斯曼紐 , DIEGUEZ-CAMPO, JOSE MANUEL , 史奇伯勒佑維 , 露博安德率斯 , LOPP, ANDREAS
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/54
CPC分类号： H01L51/56 , C23C14/042 , C23C14/243 , C23C14/26 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/0012
摘要：一種用於有機材料的蒸發源。蒸發源包括一蒸發坩鍋及一分配管。蒸發坩鍋係配置以蒸發有機材料。分配管具有沿著分配管之長度所延伸的一個或複數個出口。分配管與蒸發坩鍋具有流體之交流。分配管具有非圓形的一剖面。分配管之此剖面係垂直於分配管之長度，且分配管包括一出口側。出口側提供一個或複數個出口。剖面之出口側的寬度係剖面之最大尺寸的30%或小於30%。
简体摘要：一种用于有机材料的蒸发源。蒸发源包括一蒸发坩锅及一分配管。蒸发坩锅系配置以蒸发有机材料。分配管具有沿着分配管之长度所延伸的一个或复数个出口。分配管与蒸发坩锅具有流体之交流。分配管具有非圆形的一剖面。分配管之此剖面系垂直于分配管之长度，且分配管包括一出口侧。出口侧提供一个或复数个出口。剖面之出口侧的宽度系剖面之最大尺寸的30%或小于30%。

79. 发明专利

TWI513838B 製程腔室以及半導體加工裝置有权
简体标题：制程腔室以及半导体加工设备
公开(公告)号：TWI513838B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103144876
申请日：2014-12-22
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
发明人：呂峰 , 張風港 , 趙夢欣 , 丁培軍
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/32642 , C23C14/0068 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32449 , H01J37/32633 , H01J37/32733 , H01J37/32853 , H01J37/34 , H01J37/3411 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207

80. 发明专利

TW201542353A 蒸鍍遮罩之拉伸方法、附有框架之蒸鍍遮罩之製造方法、有機半導體元件之製造方法及拉伸裝置审中-公开
简体标题：蒸镀遮罩之拉伸方法、附有框架之蒸镀遮罩之制造方法、有机半导体组件之制造方法及拉伸设备
公开(公告)号：TW201542353A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104110438
申请日：2015-03-31
申请人：大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：小幡勝也 , OBATA, KATSUNARI , 岡本英介 , OKAMOTO, HIDEYUKI , 本間良幸 , HONMA, YOSHIYUKI , 武田利彦 , TAKEDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： B32B15/08 , B32B3/10 , B32B38/12 , B29C73/28 , B32B38/00 , C23C14/04 , C23C14/24 , H01L51/00 , H01L21/67
CPC分类号： H01L51/0011 , B05B12/24 , B05D1/32 , C23C14/042 , H01L27/3211 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要：提供可以以簡便方法拉伸蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩之拉伸方法，及使用此拉伸方法之附有框架之蒸鍍遮罩之製造方法，以及可以精度佳地製造有機半導體元件之有機半導體元件之製造方法，或被用於該些方法之拉伸裝置。屬於疊層形成有縫隙(15)的金屬遮罩 (10)，和在與該縫隙重疊之位置形成有與蒸鍍製作之圖案對應之開口部(25)的樹脂遮罩(20)而所構成之蒸鍍遮罩(100)之拉伸方法，其中在蒸鍍遮罩(100)之一方之面上重疊拉伸輔助構件(50)，在蒸鍍遮罩(100)之一方之面和拉伸輔助構件(50)重疊之部分之至少一部，將拉伸輔助構件固定於蒸鍍遮罩，並藉由拉伸被固定在蒸鍍遮罩(100)之拉伸輔助構件(50)，拉伸被固定於該拉伸輔助構件(50)之蒸鍍遮罩，依此解決上述課題。
简体摘要：提供可以以简便方法拉伸蒸镀遮罩之蒸镀遮罩之拉伸方法，及使用此拉伸方法之附有框架之蒸镀遮罩之制造方法，以及可以精度佳地制造有机半导体组件之有机半导体组件之制造方法，或被用于该些方法之拉伸设备。属于叠层形成有缝隙(15)的金属遮罩 (10)，和在与该缝隙重叠之位置形成有与蒸镀制作之图案对应之开口部(25)的树脂遮罩(20)而所构成之蒸镀遮罩(100)之拉伸方法，其中在蒸镀遮罩(100)之一方之面上重叠拉伸辅助构件(50)，在蒸镀遮罩(100)之一方之面和拉伸辅助构件(50)重叠之部分之至少一部，将拉伸辅助构件固定于蒸镀遮罩，并借由拉伸被固定在蒸镀遮罩(100)之拉伸辅助构件(50)，拉伸被固定于该拉伸辅助构件(50)之蒸镀遮罩，依此解决上述课题。

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