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71. 发明专利

TW201410908A 用於維持貯存物質的安定性之圓柱型容器的製造审中-公开
简体标题：用于维持贮存物质的安定性之圆柱型容器的制造
公开(公告)号：TW201410908A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102121373
申请日：2013-06-17
申请人：普雷瑟科技股份有限公司 , PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.
发明人：史彭羅納 , SPOHN, RONALD F. , 辛哈夏威尼 , SINHA, ASHWINI , 瑞奇柏卡爾 , RICHENBERG, CARL B.
IPC分类号： C23C16/448 , C23C8/06 , F17C1/00
CPC分类号： F17C1/00 , C23C16/448 , F17C2203/0607 , F17C2209/232 , F17C2223/0123 , F17C2270/0518
摘要：描述一種新穎之圓柱型容器鈍化程序以增加氣態氘化錫(SnD4)之室溫安定性。當施加至槽及/或由該槽所延伸之導管表面上時，特定之含有機物的材料的併入可增加在此種經預處理之槽內所貯存之熱動力不安定之氣體的貯存期限安定性。
简体摘要：描述一种新颖之圆柱型容器钝化进程以增加气态氘化锡(SnD4)之室温安定性。当施加至槽及/或由该槽所延伸之导管表面上时，特定之含有机物的材料的并入可增加在此种经预处理之槽内所贮存之热动力不安定之气体的贮存期限安定性。

72. 发明专利

TWI427181B 氣化裝置、成膜裝置及成膜方法失效
简体标题：气化设备、成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI427181B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW097135558
申请日：2008-09-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：澤田郁夫 , SAWADA, IKUO , 瀨川澄江 , SEGAWA, SUMIE , 池田恭子 , IKEDA, KYOKO , 大下辰郎 , OHSHITA, TATSURO
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/4486 , H01L21/02181 , H01L21/31612 , H01L21/31645 , H01L21/3185

73. 发明专利

TWI421914B 汽化裝置及半導體製程系統有权
简体标题：汽化设备及半导体制程系统
公开(公告)号：TWI421914B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW096132664
申请日：2007-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部庸之 , OKABE, TSUNEYUKI , 大倉成幸 , OKURA, SHIGEYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/00 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/4481 , H01L28/55 , Y10S261/65

74. 发明专利

TWI421367B 成膜裝置、蒸發治具及測定方法失效
简体标题：成膜设备、蒸发治具及测定方法
公开(公告)号：TWI421367B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW095134807
申请日：2006-09-20
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 中山尚三 , NAKAYAMA, SHOZO , 伊藤日藝 , ITO, HIRONORI
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/54 , H01L21/205 , H05B33/14
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/246

75. 发明专利

TW201346057A 粉末粒子塗覆物审中-公开
简体标题：粉末粒子涂覆物
公开(公告)号：TW201346057A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102110654
申请日：2013-03-26
申请人：皮寇桑公司 , PICOSUN OY
发明人：琳佛斯史凡 , LINDFORS, SVEN , 蘇尼南佩卡J , SOININEN, PEKKA J.
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4412 , C23C16/4417 , C23C16/442 , C23C16/45502 , C23C16/45555
摘要：根據本發明之一實例實施例，係提供一包括以下之方法：藉快速耦合方法而使一原子層沉積(ALD)反應器之接受器接收一ALD筒。該ALD筒的裝配可作為一ALD反應室，且該方法包含藉連續自飽和表面反應而在該ALD筒內處理微粒材料的表面。
简体摘要：根据本发明之一实例实施例，系提供一包括以下之方法：藉快速耦合方法而使一原子层沉积(ALD)反应器之接受器接收一ALD筒。该ALD筒的装配可作为一ALD反应室，且该方法包含藉连续自饱和表面反应而在该ALD筒内处理微粒材料的表面。

76. 发明专利

TW201341574A 氣化原料供給裝置、具備此的基板處理裝置及氣化原料供給方法审中-公开
简体标题：气化原料供给设备、具备此的基板处理设备及气化原料供给方法
公开(公告)号：TW201341574A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101143450
申请日：2012-11-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西島和宏 , NISHIJIMA, KAZUHIRO
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： H01L21/02041 , C23C16/4482 , C23C16/45561 , C23C16/52
摘要：〔課題〕提供可提升載體氣體中之液體原料之蒸氣之飽和度的氣化原料供給裝置。〔解決手段〕藉由一種氣化原料供給裝置，達成上述課題，該氣化原料供給裝置，具備：貯留槽，其係用以貯留液體原料；第1溫度控制部，其係用以將上述貯留槽控制成第1溫度；載體氣體導入管，其係用以將載體氣體導入至上述貯留槽內；處理氣體導出管，其係被連接於上述貯留槽，使藉由從上述載體氣體導入管被導入至上述貯留槽內之上述載體氣體含有上述液體原料之蒸氣而生成之處理氣體從上述貯留槽流出；容器，其具備連接上述處理氣體導出管之流入口，及使從上述流入口流入之上述處理氣體流出的流出口；障礙構件，其係被設置在上述容器內之上述流入口和上述流出口之間，用以妨礙上述處理氣體之流動；及第2溫度控制部，其係用以將上述容器控制成較上述第1溫度低之第2溫度。
简体摘要：〔课题〕提供可提升载体气体中之液体原料之蒸气之饱和度的气化原料供给设备。〔解决手段〕借由一种气化原料供给设备，达成上述课题，该气化原料供给设备，具备：贮留槽，其系用以贮留液体原料；第1温度控制部，其系用以将上述贮留槽控制成第1温度；载体气体导入管，其系用以将载体气体导入至上述贮留槽内；处理气体导出管，其系被连接于上述贮留槽，使借由从上述载体气体导入管被导入至上述贮留槽内之上述载体气体含有上述液体原料之蒸气而生成之处理气体从上述贮留槽流出；容器，其具备连接上述处理气体导出管之流入口，及使从上述流入口流入之上述处理气体流出的流出口；障碍构件，其系被设置在上述容器内之上述流入口和上述流出口之间，用以妨碍上述处理气体之流动；及第2温度控制部，其系用以将上述容器控制成较上述第1温度低之第2温度。

77. 发明专利

TW201307606A 用於測定載氣流內已蒸發起始材料之蒸氣壓力的裝置與方法审中-公开
简体标题：用于测定载气流内已蒸发起始材料之蒸气压力的设备与方法
公开(公告)号：TW201307606A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101125676
申请日：2012-07-17
申请人：愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：朗麥克 , LONG, MICHAEL , 葛斯多夫馬庫斯 , GERSDORFF, MARKUS
IPC分类号： C23C16/448 , C23C14/52 , C23C16/52 , C23C14/24
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/52 , G01F1/684 , G01F1/696
摘要：本發明係有關於一種產生固態或液態起始材料之在運載氣體內輸送的蒸氣的方法，包含以下步驟：加熱具有進氣口(7)及排氣口(9)的蒸發器(8)；經由進氣口(7)將具有運載氣體的輸入氣流送入蒸發器(8)；在蒸發器(8)蒸發固態或液態起始材料；經由排氣口(9)將所產生的蒸氣連同運載氣體一起以輸出氣流之形式輸出；利用第一感測器(2)測定分配給輸入氣流中之運載氣體之質量流量的第一值；利用第二感測器(10)測定既與運載氣體之質量流量及分壓相關、亦與輸出氣流中之蒸氣之質量流量及分壓相關的第二值；為該二感測器(2，10)所測定的值建立關聯，從而算出輸出氣流中所輸送的蒸氣之分壓的相關值。本發明亦有關於一種用於在可加熱的蒸發器內蒸發液態或固態起始材料的裝置。
简体摘要：本发明系有关于一种产生固态或液态起始材料之在运载气体内输送的蒸气的方法，包含以下步骤：加热具有进气口(7)及排气口(9)的蒸发器(8)；经由进气口(7)将具有运载气体的输入气流送入蒸发器(8)；在蒸发器(8)蒸发固态或液态起始材料；经由排气口(9)将所产生的蒸气连同运载气体一起以输出气流之形式输出；利用第一传感器(2)测定分配给输入气流中之运载气体之质量流量的第一值；利用第二传感器(10)测定既与运载气体之质量流量及分压相关、亦与输出气流中之蒸气之质量流量及分压相关的第二值；为该二传感器(2，10)所测定的值创建关联，从而算出输出气流中所输送的蒸气之分压的相关值。本发明亦有关于一种用于在可加热的蒸发器内蒸发液态或固态起始材料的设备。

78. 发明专利

TW201303067A 原料氣體產生裝置审中-公开
简体标题：原料气体产生设备
公开(公告)号：TW201303067A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101116485
申请日：2012-05-09
申请人：歐姆龍股份有限公司 , OMRON CORPORATION
发明人：久住庸輔 , KUSUMI, YOSUKE , 尾崎公一 , OZAKI, KOICHI
IPC分类号： C23C16/448
摘要： [課題]抑制原料氣體之濃度的降低。[解決手段]原料氣體產生裝置101係對容器111內之固體原料102進行加熱，而產生CVD加工用原料氣體。透過通氣管113導入容器111內之運載氣體，藉由氣體擴散構件115之擴散體131擴散，自開口部115A朝垂直向下方向噴出。自固體原料102產生之原料氣體與運載氣體一起自固體原料102的上方，透過通氣管116排出至容器111之外部。本發明可應用於例如產生CVD加工用原料氣體的原料氣體產生裝置。
简体摘要： [课题]抑制原料气体之浓度的降低。[解决手段]原料气体产生设备101系对容器111内之固体原料102进行加热，而产生CVD加工用原料气体。透过通气管113导入容器111内之运载气体，借由气体扩散构件115之扩散体131扩散，自开口部115A朝垂直向下方向喷出。自固体原料102产生之原料气体与运载气体一起自固体原料102的上方，透过通气管116排出至容器111之外部。本发明可应用于例如产生CVD加工用原料气体的原料气体产生设备。

79. 发明专利

TWI701354B 利用CVD的碳化鉭（TaC）塗層的製造方法及利用該製造方法製造的TaC的性質有权
简体标题：利用CVD的碳化钽（TaC）涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质
公开(公告)号：TWI701354B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107145875
申请日：2018-12-19
申请人：南韓商韓國東海炭素股份有限公司 , TOKAI CARBON KOREA CO., LTD.
发明人：曹東完 , JO, DONG WAN
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/448

80. 发明专利

TW202026451A 透過氣相暫態物種之受控生成以沉積薄膜的方法审中-公开
简体标题：透过气相暂态物种之受控生成以沉积薄膜的方法
公开(公告)号：TW202026451A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108121077
申请日：2019-06-18
申请人：美商蓋列斯特科技股份有限公司 , GELEST TECHNOLOGIES, INC.
发明人：卡洛耶羅斯艾連恩 E , KALOYEROS, ALAIN E. , 阿爾克雷斯巴里 C , ARKLES, BARRY C.
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/24 , C23C16/448 , C23C16/452 , C23C16/455
摘要：本發明提供用於將薄膜沉積於基板上之方法。該方法包括提供含有構成該薄膜之一或多種元素之源前體，自該源前體產生暫態物種，及自該暫態物種將薄膜沉積於該基板上。該暫態物種係在凝聚相中在室溫下或高於室溫下具有有限壽命之反應性中間物。
简体摘要：本发明提供用于将薄膜沉积于基板上之方法。该方法包括提供含有构成该薄膜之一或多种元素之源前体，自该源前体产生暂态物种，及自该暂态物种将薄膜沉积于该基板上。该暂态物种系在凝聚相中在室温下或高于室温下具有有限寿命之反应性中间物。

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