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71. 发明专利

TW201513571A 具有防短路功能的輸出級审中-公开
简体标题：具有防短路功能的输出级
公开(公告)号：TW201513571A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102146418
申请日：2013-12-16
申请人：原景科技股份有限公司 , HIMAX ANALOGIC, INC.
发明人：李秋平 , LEE, CHOWPENG
IPC分类号： H03K19/007
CPC分类号： H03K17/0822 , H02H3/087 , H02H9/02 , H03K17/08122 , H03K19/007 , H03K19/017509
摘要：一種具有防短路功能的輸出級包括一功率電晶體、一偵測模組、一去能模組、以及一驅動模組。該功率電晶體電性連接於一電壓源以及一輸出節點之間，且該功率電晶體的一閘極端用以接收一驅動訊號。該偵測模組用以偵測該輸出節點上的一輸出電壓，以判斷一短路情況是否發生，並在該短路情況下根據該輸出節點上的該輸出電壓提供一偵測訊號。該去能模組用以在該短路情況下根據該偵測訊號提供一去能訊號。該驅動模組用以根據該去能訊號以及一時脈訊號決定是否提供該驅動訊號。
简体摘要：一种具有防短路功能的输出级包括一功率晶体管、一侦测模块、一去能模块、以及一驱动模块。该功率晶体管电性连接于一电压源以及一输出节点之间，且该功率晶体管的一闸极端用以接收一驱动信号。该侦测模块用以侦测该输出节点上的一输出电压，以判断一短路情况是否发生，并在该短路情况下根据该输出节点上的该输出电压提供一侦测信号。该去能模块用以在该短路情况下根据该侦测信号提供一去能信号。该驱动模块用以根据该去能信号以及一时脉信号决定是否提供该驱动信号。

72. 发明专利

TW201448411A 在非同步模式中使用同步轉換器以避免在電池充電期間之電流反向审中-公开
简体标题：在异步模式中使用同步转换器以避免在电池充电期间之电流反向
公开(公告)号：TW201448411A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103107736
申请日：2014-03-06
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：羅素漢斯庫米尼亞 , ROSU-HAMZESCU, MIHNEA
IPC分类号： H02J7/10
CPC分类号： H02M3/337 , H02J7/0052 , H02J2007/0059 , H02M3/1588 , H02M2001/0058 , H03K17/0822 , H03K2017/307 , H03K2217/0081 , Y02B40/90 , Y02B70/1466 , Y02B70/1491
摘要：藉由以下步驟最佳化一切換模式電源供應器(SMPS)之效率：在正自該SMPS供應之電流小於一特定電流值時，在一非同步模式中操作該SMPS；及在正自該SMPS供應之該電流等於或大於該特定電流值時，在一同步模式中操作該SMPS。在該SMPS正在該同步模式中操作時，高側功率電晶體及低側功率電晶體交替地接通及關斷。在該SMPS正在該非同步模式中操作時，僅該高側功率電晶體接通及關斷且該低側功率電晶體保持關斷。在用該SMPS為一電池充電時，在以一低電流輸出在該非同步模式中操作時消除該電池之放電。
简体摘要：借由以下步骤最优化一切换模式电源供应器(SMPS)之效率：在正自该SMPS供应之电流小于一特定电流值时，在一异步模式中操作该SMPS；及在正自该SMPS供应之该电流等于或大于该特定电流值时，在一同步模式中操作该SMPS。在该SMPS正在该同步模式中操作时，高侧功率晶体管及低侧功率晶体管交替地接通及关断。在该SMPS正在该异步模式中操作时，仅该高侧功率晶体管接通及关断且该低侧功率晶体管保持关断。在用该SMPS为一电池充电时，在以一低电流输出在该异步模式中操作时消除该电池之放电。

73. 发明专利

TW201346483A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201346483A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102108052
申请日：2013-03-07
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：坂口薰 , SAKAGUCHI, KAORU
IPC分类号： G05F1/56 , H02H3/08 , H01L27/02
CPC分类号： H03K17/081 , H03K17/0822 , H03K17/145 , H03K2017/0806
摘要：本發明的課題是在於提供一種可配合半導體裝置的容許損失特性來設定任意的過電流保護特性，不會降低效率安全的半導體裝置。其解決手段係以第一電晶體、感應電壓產生電路、基準電壓電路、放大器及第二電晶體所構成，該第一電晶體係以控制訊號來控制，該感應電壓產生電路係產生根據加算對應於第一電晶體的電流之電流與基準電流後的電流之感應電壓；該基準電壓電路係反映基準電流電路的電流來使基準電壓產生，該放大器係比較在感應電壓產生電路所產生的電壓與基準電壓，該第二電晶體係可關閉閘極被連接至放大器的輸出端子的第一電晶體。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可配合半导体设备的容许损失特性来设置任意的过电流保护特性，不会降低效率安全的半导体设备。其解决手段系以第一晶体管、感应电压产生电路、基准电压电路、放大器及第二晶体管所构成，该第一晶体管系以控制信号来控制，该感应电压产生电路系产生根据加算对应于第一晶体管的电流之电流与基准电流后的电流之感应电压；该基准电压电路系反映基准电流电路的电流来使基准电压产生，该放大器系比较在感应电压产生电路所产生的电压与基准电压，该第二晶体管系可关闭闸极被连接至放大器的输出端子的第一晶体管。

75. 发明专利

TWI368989B 具有低汲極-源極啟開電阻及低電流限制之電源切換結構及方法 POWER SWITCH STRUCTURE WITH LOW RDSON AND LOW CURRENT LIMIT AND METHOD 有权
简体标题：具有低汲极-源极启开电阻及低电流限制之电源切换结构及方法 POWER SWITCH STRUCTURE WITH LOW RDSON AND LOW CURRENT LIMIT AND METHOD
公开(公告)号：TWI368989B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW093130164
申请日：2004-10-05
申请人：半導體組件工業公司
发明人：史帝芬P 羅布 , 大衛K 畢里吉斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03K17/0822 , H02H9/004 , H03K17/167
摘要：本發明揭示一種具有低汲極-源極啟開電阻及低電流限制之電源切換結構及方法。在一具體實施例中，一電源切換裝置(33)包括一第一MOSFET裝置(41)與一第二MOSFET裝置(42)。一包括一第一閘極電極(48、87)之分離閘極結構(84)控制該第一MOSFET裝置(41)。一第二閘極電極(49、92)控制該第二MOSFET裝置(42)。一電流限制裝置(38)係耦合至該第一閘極電極(48、97)，以在一電流限制模式期間開啟該第一MOSFET裝置。一比較器裝置(36)係耦合至第二閘極電極(49、92)，以在該電源切換裝置(33)不再處於電流限制模式時開啟該第二MOSFET裝置(42)。
简体摘要：本发明揭示一种具有低汲极-源极启开电阻及低电流限制之电源切换结构及方法。在一具体实施例中，一电源切换设备(33)包括一第一MOSFET设备(41)与一第二MOSFET设备(42)。一包括一第一闸极电极(48、87)之分离闸极结构(84)控制该第一MOSFET设备(41)。一第二闸极电极(49、92)控制该第二MOSFET设备(42)。一电流限制设备(38)系耦合至该第一闸极电极(48、97)，以在一电流限制模式期间打开该第一MOSFET设备。一比较器设备(36)系耦合至第二闸极电极(49、92)，以在该电源切换设备(33)不再处于电流限制模式时打开该第二MOSFET设备(42)。

76. 发明专利

TW201220687A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201220687A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100101094
申请日：2011-01-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 小山潤
IPC分类号： H03K , H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/78645 , H03K17/0822
摘要：半導體裝置包含:功率元件,當電壓並未被施加至閘極時,其係在導通狀態中;開關場效應電晶體,用以施加第一電壓至功率元件的閘極;及開關場效應電晶體,用以施加低於第一電壓之電壓至功率元件的閘極。開關場效應電晶體具有小的截止狀態電流。
简体摘要：半导体设备包含:功率组件,当电压并未被施加至闸极时,其系在导通状态中;开关场效应晶体管,用以施加第一电压至功率组件的闸极;及开关场效应晶体管,用以施加低于第一电压之电压至功率组件的闸极。开关场效应晶体管具有小的截止状态电流。

77. 发明专利

TWI357654B 半導體裝置及電子裝置失效
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TWI357654B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW094117761
申请日：2005-05-31
申请人：羅沐股份有限公司
发明人：瀧原裕貴 , 尾原洋一 , 土橋正典
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03K17/0822 , H01L27/0248 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：在本發明之半導體裝置中，可減輕發熱及電力損耗之問題，從過電流引起之故障中保護半導體裝置。半導體裝置10包含具有大電流輸出之IC晶片20，於IC晶片20內之第1墊Pi1，利用金配線電性連接測定用端子Pw1，將金配線之阻抗Rp1產生之電位差與特定臨限值作比較，電位差超過特定臨限值的話，執行使PMOS型電晶體斷開之動作。
简体摘要：在本发明之半导体设备中，可减轻发热及电力损耗之问题，从过电流引起之故障中保护半导体设备。半导体设备10包含具有大电流输出之IC芯片20，于IC芯片20内之第1垫Pi1，利用金配线电性连接测定用端子Pw1，将金配线之阻抗Rp1产生之电位差与特定临限值作比较，电位差超过特定临限值的话，运行使PMOS型晶体管断开之动作。

78. 发明专利

TW201010229A 結合限制湧浪電流與限制短路電流之技術 TECHNIQUE FOR COMBING IN-RUSH CURRENT LIMITING AND SHORT CIRCUIT CURRENT LIMITING 审中-公开
简体标题：结合限制涌浪电流与限制短路电流之技术 TECHNIQUE FOR COMBING IN-RUSH CURRENT LIMITING AND SHORT CIRCUIT CURRENT LIMITING
公开(公告)号：TW201010229A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098111659
申请日：2009-04-08
申请人：費查德半導體公司
发明人：葛瑞特詹姆士
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H02H9/004 , H03K17/0822
摘要：一種可免於高啟動湧浪電流及短路之電路。該電路具有一傳輸型電晶體及一並聯較小電晶體。一比較器可感測到一輸出電壓何時跨越一參考值，且斷開該傳輸型電晶體及導通該並聯較小電晶體。該並聯較小電晶體具有一較高「導通」電阻，使該短路或該湧浪電流不致損害電子裝置。當該短路或湧浪電流狀態排除後，該比較器將感測到這種狀態，且回復至該傳輸型電晶體導通及該並聯小電晶體斷開之正常作動。
简体摘要：一种可免于高启动涌浪电流及短路之电路。该电路具有一传输型晶体管及一并联较小晶体管。一比较器可传感到一输出电压何时跨越一参考值，且断开该传输型晶体管及导通该并联较小晶体管。该并联较小晶体管具有一较高“导通”电阻，使该短路或该涌浪电流不致损害电子设备。当该短路或涌浪电流状态排除后，该比较器将传感到这种状态，且回复至该传输型晶体管导通及该并联小晶体管断开之正常作动。

79. 发明专利

TW200922086A 離散功率半導體裝置之疊接電流感測器 CASCODE CURRENT SENSOR FOR DISCRETE POWER SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：离散功率半导体设备之叠接电流传感器 CASCODE CURRENT SENSOR FOR DISCRETE POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
公开(公告)号：TW200922086A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097129531
申请日：2008-08-04
申请人：先進類比科技有限公司 ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES, INC.
发明人：理查K 威廉斯 WILLIAMS, RICHARD K.
IPC分类号： H02M , G01R
CPC分类号： G01R19/0092 , G01R1/203 , H01L23/49575 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/25 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/088 , H01L29/1087 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L29/7833 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05558 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48599 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12035 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H02M2001/0009 , H03K17/0822 , H03K17/18 , H03K2217/0027 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種疊接電流感測器包括一主要MOSFET及一感測MOSFET。該主要MOSFET之汲極端子係連接至其電流將被加以監視之一功率裝置,而且該主要MOSFET之源極及閘極端子係分別連接至該感測MOSFET之源極及閘極端子。在一具體實施例中,藉由使用一可變電流源及負回授而等化該等主要及感則MOSFET之汲極電壓。該主要MOSFET之閘極寬度通常係大於該感測MOSFET之閘極寬度。使用該等閘極寬度之大小比率,藉由感測該感測MOSFET中之電流的量値而測量該主要MOSFET中的電流。將相對較大MOSFET插入於電源電路中會最小化功率損失。
简体摘要：一种叠接电流传感器包括一主要MOSFET及一传感MOSFET。该主要MOSFET之汲极端子系连接至其电流将被加以监视之一功率设备,而且该主要MOSFET之源极及闸极端子系分别连接至该传感MOSFET之源极及闸极端子。在一具体实施例中,借由使用一可变电流源及负回授而等化该等主要及感则MOSFET之汲极电压。该主要MOSFET之闸极宽度通常系大于该传感MOSFET之闸极宽度。使用该等闸极宽度之大小比率,借由传感该传感MOSFET中之电流的量値而测量该主要MOSFET中的电流。将相对较大MOSFET插入于电源电路中会最小化功率损失。

80. 发明专利

TW200901611A 用於一電子系統之電壓輸出裝置 VOLTAGE OUTPUT DEVICE FOR AN ELECTRONIC SYSTEM 审中-公开
简体标题：用于一电子系统之电压输出设备 VOLTAGE OUTPUT DEVICE FOR AN ELECTRONIC SYSTEM
公开(公告)号：TW200901611A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW096131863
申请日：2007-08-28
申请人：茂達電子股份有限公司 ANPEC ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳志源 CHEN, CHIH YUAN
IPC分类号： H02M
CPC分类号： H03K17/08142 , H03K17/0822
摘要：為了避免大電流造成元件損壞,本發明揭露一種用於電子系統之電壓輸出裝置,其包含有一第一電晶體、一第二電晶體、一第一驅動單元、一第二驅動單元、一控制單元、一第一二極體、一電感、一第一電容以及一升壓電路。該升壓電路包含有一開關單元、一第二二極體及一第二電容,該開關單元之開啓與關閉係與該第二電晶體之開啓與關閉同步,以防止該第二電晶體關閉時,有大電流通過該第二二極體而造成元件燒毀。
简体摘要：为了避免大电流造成组件损坏,本发明揭露一种用于电子系统之电压输出设备,其包含有一第一晶体管、一第二晶体管、一第一驱动单元、一第二驱动单元、一控制单元、一第一二极管、一电感、一第一电容以及一升压电路。该升压电路包含有一开关单元、一第二二极管及一第二电容,该开关单元之开启与关闭系与该第二晶体管之开启与关闭同步,以防止该第二晶体管关闭时,有大电流通过该第二二极管而造成组件烧毁。

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