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71. 发明专利

TWI388861B 用於堆疊之半導體器件的可重新組態連接有权
简体标题：用于堆栈之半导体器件的可重新组态连接
公开(公告)号：TWI388861B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW097139742
申请日：2008-10-16
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：布蘭特基斯 , KEETH, BRENT
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C5/06 , G11C29/02 , G11C29/022 , G11C29/70 , G11C2029/3202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/0002 , H01L2924/1531 , H01L2924/00

72. 发明专利

TWI380411B 非揮發性半導體儲存元件及控制非揮發性半導體儲存元件之方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE 失效
简体标题：非挥发性半导体存储组件及控制非挥发性半导体存储组件之方法 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TWI380411B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW097137820
申请日：2008-10-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：水上誠 , 荒井史隆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11578 , G11C5/02 , G11C16/0483 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/792 , H01L29/7926
摘要：依據本發明之一態樣，提供一種非揮發性半導體儲存元件，其包含：一基板；一堆疊部分，其包含交替堆疊在該基板上之複數個導體層與複數個絕緣層，該複數個導體層與該複數個絕緣層之至少一層形成一標記層；一電荷累積膜，其係形成於一記憶體插拴孔之一內表面上，該記憶體插拴孔係從其一頂面至一底面形成於該堆疊部分中；以及一半導體柱，其係透過該電荷累積膜而形成於該記憶體插拴孔內側。
简体摘要：依据本发明之一态样，提供一种非挥发性半导体存储组件，其包含：一基板；一堆栈部分，其包含交替堆栈在该基板上之复数个导体层与复数个绝缘层，该复数个导体层与该复数个绝缘层之至少一层形成一标记层；一电荷累积膜，其系形成于一内存插拴孔之一内表面上，该内存插拴孔系从其一顶面至一底面形成于该堆栈部分中；以及一半导体柱，其系透过该电荷累积膜而形成于该内存插拴孔内侧。

73. 发明专利

TW201250880A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW201250880A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100128408
申请日：2011-08-09
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：邊相鎮 , 金泰均
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/02 , G11C5/06 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05569 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2225/06544 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
摘要：本發明提供一種具有堆疊的第一晶片與第二晶片之半導體裝置,該裝置包括該第一晶片的第一直通線,其配置成接收第一編碼信號並電性連接至該第二晶片的第一直通線;該第一晶片的第二直通線,其配置成接收第二編碼信號;及該第二晶片的第二直通線,其配置成電性連接至該第一晶片的第一直通線,並接收該第一編碼信號。
简体摘要：本发明提供一种具有堆栈的第一芯片与第二芯片之半导体设备,该设备包括该第一芯片的第一直通线,其配置成接收第一编码信号并电性连接至该第二芯片的第一直通线;该第一芯片的第二直通线,其配置成接收第二编码信号;及该第二芯片的第二直通线,其配置成电性连接至该第一芯片的第一直通线,并接收该第一编码信号。

74. 发明专利

TW201232765A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201232765A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100140923
申请日：2011-11-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：齋藤利彥
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C11/401 , G11C5/02 , G11C5/063 , G11C8/14
摘要：提供一種能夠提高每單位面積的儲存容量的記憶體裝置,而不使製程複雜化。一種記憶體裝置,該記憶體裝置包括多個記憶體單元、多個字線以及多個位元線,其中多個記憶體單元分別具有切換元件以及具有第一電極及第二電極的電容器,並且在多個記憶體單元中的至少一個中,切換元件根據施加到多個字線中的一個的電位控制多個位元線中的一個與第一電極的連接,且第二電極連接到與多個字線中的一個不同的一個字線。
简体摘要：提供一种能够提高每单位面积的存储容量的内存设备,而不使制程复杂化。一种内存设备,该内存设备包括多个内存单元、多个字线以及多个比特线,其中多个内存单元分别具有切换组件以及具有第一电极及第二电极的电容器,并且在多个内存单元中的至少一个中,切换组件根据施加到多个字线中的一个的电位控制多个比特线中的一个与第一电极的连接,且第二电极连接到与多个字线中的一个不同的一个字线。

75. 发明专利

TW201227883A 具有貫穿矽通孔之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THROUGH-SILICON VIAS 审中-公开
简体标题：具有贯穿硅通孔之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THROUGH-SILICON VIAS
公开(公告)号：TW201227883A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100114450
申请日：2011-04-26
申请人：摩賽德科技股份有限公司
发明人：金鎮祺
IPC分类号： H01L , H04J
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/02 , G11C8/12 , G11C29/702 , H01L23/481 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544
摘要：所揭示的是半導體裝置,其包含複數個貫穿矽通孔(TSV);訊號線;和選擇性連接器,用以依據控制訊號,使該訊號線電連接到該等TSV的其中之一或與所有該等TSV電隔離。再者揭示的是具有貫穿矽通孔(TSV)之半導體裝置,其包含主要TSV群組;複數個訊號線,連接到該主要TSV群組;冗餘TSV群組;和連接電路,回應於具有預定値之控制訊號,以電連接該等訊號線到該冗餘TSV群組。
简体摘要：所揭示的是半导体设备,其包含复数个贯穿硅通孔(TSV);信号线;和选择性连接器,用以依据控制信号,使该信号线电连接到该等TSV的其中之一或与所有该等TSV电隔离。再者揭示的是具有贯穿硅通孔(TSV)之半导体设备,其包含主要TSV群组;复数个信号线,连接到该主要TSV群组;冗余TSV群组;和连接电路,回应于具有预定値之控制信号,以电连接该等信号线到该冗余TSV群组。

76. 发明专利

TW201220374A 致能介面晶粒及複數個晶粒堆疊間之並行通訊之設備、堆疊式裝置中之交錯式傳導路徑、及用於形成及操作其之方法 APPARATUSES ENABLING CONCURRENT COMMUNICATION BETWEEN AN INTERFACE DIE AND A PLURALITY OF DICE STACKS, INTERLEAVED CONDUCTIVE PATHS IN STACKED DEVICES, AND METHODS FOR FORMING AND OPERATING THE SAME 审中-公开
简体标题：致能界面晶粒及复数个晶粒堆栈间之并行通信之设备、堆栈式设备中之交错式传导路径、及用于形成及操作其之方法 APPARATUSES ENABLING CONCURRENT COMMUNICATION BETWEEN AN INTERFACE DIE AND A PLURALITY OF DICE STACKS, INTERLEAVED CONDUCTIVE PATHS IN STACKED DEVICES, AND METHODS FOR FORMING AND OPERATING THE SAME
公开(公告)号：TW201220374A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100111103
申请日：2011-03-30
申请人：美光科技公司
发明人：基斯布蘭特 , 莫札諾克里斯多夫K
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0652 , G06F13/385 , G11C5/02 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555
摘要：各實施例包括設備、堆疊式裝置及在一介面晶粒上形成若干晶粒堆疊之方法。在一種此類設備中,一晶粒堆疊包括至少一第一晶粒及一第二晶粒,且傳導路徑將該第一晶粒及該第二晶粒耦合至共同控制晶粒。在某些實施例中,該等傳導路徑可經配置以與該堆疊之交替晶粒上之電路連接。在其他實施例中,複數個晶粒堆疊可係配置於一單個介面晶粒上且某些或所有該等晶粒可具有交錯之傳導路徑。
简体摘要：各实施例包括设备、堆栈式设备及在一界面晶粒上形成若干晶粒堆栈之方法。在一种此类设备中,一晶粒堆栈包括至少一第一晶粒及一第二晶粒,且传导路径将该第一晶粒及该第二晶粒耦合至共同控制晶粒。在某些实施例中,该等传导路径可经配置以与该堆栈之交替晶粒上之电路连接。在其他实施例中,复数个晶粒堆栈可系配置于一单个界面晶粒上且某些或所有该等晶粒可具有交错之传导路径。

77. 发明专利

TW201205590A 包含模組控制電路之半導體模組及其控制方法 SEMICONDUCTOR MODULE INCLUDING MODULE CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME 失效
简体标题：包含模块控制电路之半导体模块及其控制方法 SEMICONDUCTOR MODULE INCLUDING MODULE CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME
公开(公告)号：TW201205590A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100105964
申请日：2011-02-23
申请人：海力士半導體股份有限公司
发明人：金基漢 , 李鉉雨
IPC分类号： G11C , H03K
CPC分类号： H03K3/02 , G11C5/02
摘要：一種模組控制電路包括一配置成用以從複數個資料輸入/輸出接腳接收複數個資料信號及輸出一識別信號及一內部指令信號之輸入單元。一鎖存單元配置成用以依據一第一致能信號鎖存該識別信號,以輸出一第一群組識別信號、依據一第二致能信號鎖存該識別信號,以輸出一第二群組識別信號以及依據該第二致能信號鎖存該內部指令信號,以輸出一群組指令信號。一比較器配置成用以比較該第一群組識別信號與該第二群組識別信號及產生一選擇信號。一多工器配置成用以選擇該群組指令信號及一模組指令信號中之一作為一者輸入指令,以響應該選擇信號。
简体摘要：一种模块控制电路包括一配置成用以从复数个数据输入/输出接脚接收复数个数据信号及输出一识别信号及一内部指令信号之输入单元。一锁存单元配置成用以依据一第一致能信号锁存该识别信号,以输出一第一群组识别信号、依据一第二致能信号锁存该识别信号,以输出一第二群组识别信号以及依据该第二致能信号锁存该内部指令信号,以输出一群组指令信号。一比较器配置成用以比较该第一群组识别信号与该第二群组识别信号及产生一选择信号。一多任务器配置成用以选择该群组指令信号及一模块指令信号中之一作为一者输入指令,以响应该选择信号。

78. 发明专利

TW201135748A 用於混成記憶體之系統、方法及裝置 SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUSES FOR HYBRID MEMORY 审中-公开
简体标题：用于混成内存之系统、方法及设备 SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUSES FOR HYBRID MEMORY
公开(公告)号：TW201135748A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099144741
申请日：2010-12-20
申请人：英特爾公司
发明人：唐寧達夫 , 卡斯比布萊恩K , 摩尼蘭迪 , 曼蘇利莫根 , 喬希詹姆斯E
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F11/1076 , G11C5/02 , G11C29/12 , H01L2224/16145 , H03M13/15 , H03M13/152
摘要：本發明之實施例大致上係針對用於混成記憶體之系統、方法及裝置。於一個實施例中，混成記憶體可包括封裝體基體。該混成記憶體也可包括附接至該封裝體基體之第一側之一混成記憶體緩衝器晶片。高速輸入/輸出(HSIO)邏輯組件支援針對一處理器之HSIO介面。該混成記憶體也包括用以支援HSIO介面上之一封包處理協定的封包處理邏輯組件。此外，該混成記憶體也具有垂直堆疊在該混成記憶體緩衝器上之一或多個記憶體片(tile)。
简体摘要：本发明之实施例大致上系针对用于混成内存之系统、方法及设备。于一个实施例中，混成内存可包括封装体基体。该混成内存也可包括附接至该封装体基体之第一侧之一混成内存缓冲器芯片。高速输入/输出(HSIO)逻辑组件支持针对一处理器之HSIO界面。该混成内存也包括用以支持HSIO界面上之一封包处理协定的封包处理逻辑组件。此外，该混成内存也具有垂直堆栈在该混成内存缓冲器上之一或多个内存片(tile)。

79. 发明专利

TW201129980A 用於儲存多位元值的唯讀記憶體單元 READ ONLY MEMORY CELL FOR STORING A MULTIPLE BIT VALUE 审中-公开
简体标题：用于存储多比特值的唯读内存单元 READ ONLY MEMORY CELL FOR STORING A MULTIPLE BIT VALUE
公开(公告)号：TW201129980A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099128696
申请日：2010-08-26
申请人： ARM股份有限公司
发明人：尼爾斯瑞尼克馬克 , 弗瑞克里斯多夫丹尼斯路奇恩 , 布朗米迦勒 , 文基賀夫尼可拉斯凱瑞能強漢尼思
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C5/02 , G11C11/5692 , G11C17/10
摘要：本發明揭示一種用於儲存多位元值之唯讀記憶體單元。該唯讀記憶體單元包含：至少三輸出線，該至少三輸出線之各者代表一不同多位元值；一切換裝置，其係連接在該三輸出線之一單一輸出線與一電壓源間。該切換裝置回應於一切換信號而在該電壓源及該三輸出線之單一輸出線間提供一電性連接，經連接之輸出線的一電壓回應於至該預定電壓之連接而切換其值，且由該輸出線代表之該多位元值因此被選定。另外有一輸出裝置，其經提供以用於輸出該選定多位元值。
简体摘要：本发明揭示一种用于存储多比特值之唯读内存单元。该唯读内存单元包含：至少三输出线，该至少三输出线之各者代表一不同多比特值；一切换设备，其系连接在该三输出线之一单一输出线与一电压源间。该切换设备回应于一切换信号而在该电压源及该三输出线之单一输出线间提供一电性连接，经连接之输出线的一电压回应于至该预定电压之连接而切换其值，且由该输出线代表之该多比特值因此被选定。另外有一输出设备，其经提供以用于输出该选定多比特值。

80. 发明专利

TW201120901A 使用叢塊及穿矽通孔之平行化檢查點化技術 PARALLELIZED CHECK POINTING USING MATS AND THROUGH SILICON VIAS (TSVS) 审中-公开
简体标题：使用丛块及穿硅通孔之平行化检查点化技术 PARALLELIZED CHECK POINTING USING MATS AND THROUGH SILICON VIAS (TSVS)
公开(公告)号：TW201120901A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099134873
申请日：2010-10-13
申请人：惠普研發公司
发明人：慕拉力瑪諾哈那米恩 , 喬皮諾曼P
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C5/02 , G11C5/04 , G11C7/1069 , G11C7/1078 , G11C8/12 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , H01L25/0657 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於包括一駐留於一疊堆記憶體上被組織成包括資料的多個叢塊的記憶體晶粒的一系統及方法。該系統及方法還包括一駐留於該疊堆記憶體上被組織成附加的多個叢塊並藉由一穿矽通孔(TSV)連接至該記憶體晶粒的附加記憶體晶粒，資料將沿該等TSV而被發送。
简体摘要：本发明系关于包括一驻留于一叠堆内存上被组织成包括数据的多个丛块的内存晶粒的一系统及方法。该系统及方法还包括一驻留于该叠堆内存上被组织成附加的多个丛块并借由一穿硅通孔(TSV)连接至该内存晶粒的附加内存晶粒，数据将沿该等TSV而被发送。

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