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    • 80. 发明专利
    • 資料寫入方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置
    • 数据写入方法、内存控制器与内存存储设备
    • TW201403316A
    • 2014-01-16
    • TW101124957
    • 2012-07-11
    • 群聯電子股份有限公司PHISON ELECTRONICS CORP.
    • 黃意翔HUANG, YI HSIANG
    • G06F12/02
    • G06F12/0246G06F3/064G06F2212/7201G06F2212/7202
    • 一種資料寫入方法,用於控制具有多個實體抹除單元的可複寫式非揮發性記憶體模組。此方法包括:將這些實體抹除單元劃分出第一緩衝區與第二緩衝區,接收一個指示將資料寫入至第一邏輯位址的寫入指令;判斷此資料的資料量是否小於一個預設值;若是,將此資料寫入至第一緩衝區或第二緩衝區;以及當把資料寫入至第二緩衝區時,取得第一緩衝區中的至少一個實體程式化單元所映射的至少一個第二邏輯位址,並且整併屬於第二邏輯位址的有效資料,其中第二邏輯位址的數目小於整併門檻值。藉此,可以減少主機系統等待寫入成功訊息的時間。
    • 一种数据写入方法,用于控制具有多个实体抹除单元的可复写式非挥发性内存模块。此方法包括:将这些实体抹除单元划分出第一缓冲区与第二缓冲区,接收一个指示将数据写入至第一逻辑位址的写入指令;判断此数据的数据量是否小于一个默认值;若是,将此数据写入至第一缓冲区或第二缓冲区;以及当把数据写入至第二缓冲区时,取得第一缓冲区中的至少一个实体进程化单元所映射的至少一个第二逻辑位址,并且整并属于第二逻辑位址的有效数据,其中第二逻辑位址的数目小于整并门槛值。借此,可以减少主机系统等待写入成功消息的时间。