专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

TWI469239B 以前尖波溫度及後尖波溫度之控制進行基材熱處理技術有权
简体标题：以前尖波温度及后尖波温度之控制进行基材热处理技术
公开(公告)号：TWI469239B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098132479
申请日：2009-09-25
申请人：烏翠泰克股份有限公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：札費洛保羅亞瑟W , ZAFIROPOULO, ARTHUR W. , 郝里拉克安德列M , HAWRYLUK, ANDREW M. , 麥克懷特詹姆斯T , MCWHIRTER, JAMES T. , 阿尼其泰弗瑟奎G , ANIKITCHEV, SERGUEI G.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/083 , H01L21/268

72. 发明专利

TW201447500A 具有線性射束的改良的熱處理审中-公开
简体标题：具有线性射束的改良的热处理
公开(公告)号：TW201447500A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103105390
申请日：2014-02-19
申请人： n萊特光電公司 , NLIGHT PHOTONICS CORPORATION
发明人：卡爾森史考特R , KARLSEN, SCOTT R. , 甘迺迪奇斯W , KENNEDY, KEITH W. , 馬汀森羅伯特J , MARTINSEN, ROBERT J.
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B23K26/0081 , B23K26/0608 , B23K26/0613 , B23K26/0622 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , B23K26/211 , B23K26/36 , B23K26/60
摘要：多射束、多波長處理系統包含兩個或多個雷射經組態以提供各別的射束至一基板。所述射束具有波長、脈衝持續時間、射束面積、射束強度、脈衝能量、偏極化、重複率以及其他可被獨立地選擇的射束特性。在需要局部加熱之處理中的基板變形可被減少，其係藉由以一大面積射束在一第一波長之預先加熱，接著曝露至在一第二波長的一經聚焦射束，如此以加熱一局部面積至一所希之處理溫度。對於某些處理，多波長係被選擇以在一基板之中獲得一所希的能量沉積。
简体摘要：多射束、多波长处理系统包含两个或多个激光经组态以提供各别的射束至一基板。所述射束具有波长、脉冲持续时间、射束面积、射束强度、脉冲能量、偏极化、重复率以及其他可被独立地选择的射束特性。在需要局部加热之处理中的基板变形可被减少，其系借由以一大面积射束在一第一波长之预先加热，接着曝露至在一第二波长的一经聚焦射束，如此以加热一局部面积至一所希之处理温度。对于某些处理，多波长系被选择以在一基板之中获得一所希的能量沉积。

73. 发明专利

TWI426550B 雷射退火方法及裝置有权
简体标题：激光退火方法及设备
公开(公告)号：TWI426550B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW097121666
申请日：2008-06-11
申请人： IHI股份有限公司 , IHI CORPORATION
发明人：河口紀仁 , KAWAGUCHI, NORIHITO , 川上隆介 , KAWAKAMI, RYUSUKE , 西田健一郎 , NISHIDA, KENICHIRO , 正木深雪 , MASAKI, MIYUKI , 森田勝 , MORITA, MASARU
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0676 , B23K26/0738 , B23K26/082 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268

74. 发明专利

TW201308404A 形成時間平均線影像之系統及方法审中-公开
简体标题：形成时间平均线影像之系统及方法
公开(公告)号：TW201308404A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101129006
申请日：2012-08-10
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：阿尼契科夫塞爾瑰 , ANIKITCHEV, SERGUEI , 馬克懷特詹姆士 , MCWHIRTER, JAMES T. , 高提克喬瑟夫 , GORTYCH, JOSEPH E.
IPC分类号： H01L21/268 , B23K26/00
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0066 , B23K26/03 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , B23K26/0853 , B23K2203/50 , B23K2203/56
摘要：本發明係一種時間平均線影像的形成系統及形成方法。本方法包含形成具有第一強度非均勻量之線影像。本方法也包含在至少線影像之一部份上形成及掃掠次影像，以形成時間平均修正線影像。所述時間平均修正線影像具有小於第一強度非均勻量之第二強度非均勻量。晶圓發射率係即時地被量測以控制次影像的強度。溫度也根據晶圓發射率與次影像的反射率即時地被量測，且可用來控制次影像的強度。
简体摘要：本发明系一种时间平均线影像的形成系统及形成方法。本方法包含形成具有第一强度非均匀量之线影像。本方法也包含在至少线影像之一部份上形成及扫掠次影像，以形成时间平均修正线影像。所述时间平均修正线影像具有小于第一强度非均匀量之第二强度非均匀量。晶圆发射率系实时地被量测以控制次影像的强度。温度也根据晶圆发射率与次影像的反射率实时地被量测，且可用来控制次影像的强度。

75. 发明专利

TWI380371B 藉由多輻射源對基板進行連續照射 SERIAL IRRADIATION OF A SUBSTRATE BY MUTIPLE RADIATION SOURCES 失效
简体标题：借由多辐射源对基板进行连续照射 SERIAL IRRADIATION OF A SUBSTRATE BY MUTIPLE RADIATION SOURCES
公开(公告)号：TWI380371B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW096122129
申请日：2007-06-20
申请人：萬國商業機器公司
发明人：艾德伍喬瑟夫諾瓦克 , 布萊特愛倫安德森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0626 , B23K26/0608 , H01L21/26513 , H01L21/2686
摘要：本發明提供一種用於組態J個電磁輻射源(J＞＝2)以連續照射一基板之方法。每一源具有發射輻射之波長與角分布之一不同函數。該基板包括一基礎層及在該基礎層上之I個堆疊(I＞＝2；J＜＝I)。Pj表示一來自源j之在每一堆疊上之相同的源特定垂直入射能通量。在I個獨立曝光步驟中之每一者中，將該I個堆疊同時曝光於來自該J個源之輻射。Vi及Si分別表示在曝光步驟I(i＝1、...、I)中經由堆疊i而透射至該基板中之一實際能通量及目標能通量。計算t(i)及Pt(i)以使得：與布署任何其他源相比，藉由布署源t(i)所得之Vi為最大，i＝1、...、I；且使一為| V1－S1|、| V2－S2|、...、| VI－SI|之一函數之誤差E相對於Pi(i＝1、...、I)大約最小化。
简体摘要：本发明提供一种用于组态J个电磁辐射源(J＞＝2)以连续照射一基板之方法。每一源具有发射辐射之波长与角分布之一不同函数。该基板包括一基础层及在该基础层上之I个堆栈(I＞＝2；J＜＝I)。Pj表示一来自源j之在每一堆栈上之相同的源特定垂直入射能通量。在I个独立曝光步骤中之每一者中，将该I个堆栈同时曝光于来自该J个源之辐射。Vi及Si分别表示在曝光步骤I(i＝1、...、I)中经由堆栈i而透射至该基板中之一实际能通量及目标能通量。计算t(i)及Pt(i)以使得：与布署任何其他源相比，借由布署源t(i)所得之Vi为最大，i＝1、...、I；且使一为| V1－S1|、| V2－S2|、...、| VI－SI|之一函数之误差E相对于Pi(i＝1、...、I)大约最小化。

76. 发明专利

TW201208798A 雷射退火裝置及雷射退火方法 LASER ANNEALING APPARATUS AND LASER ANNEALING METHOD 审中-公开
简体标题：激光退火设备及激光退火方法 LASER ANNEALING APPARATUS AND LASER ANNEALING METHOD
公开(公告)号：TW201208798A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100128952
申请日：2011-08-12
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：佐藤亮介 , 草間秀晃 , 富樫陵太郎 , 井崎博大
IPC分类号： B23K , C21D
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/0608 , B23K26/0613 , B23K26/0676 , H01L21/02686 , H01L21/268
摘要：一種雷射退火裝置，能夠藉由雷射退火來均一地使半導體膜結晶化。上述雷射退火裝置包括：脈衝雷射振盪裝置，將脈衝雷射光予以輸出；以及光傳輸單元，對自上述脈衝雷射振盪裝置輸出的上述脈衝雷射光進行傳輸，且將上述脈衝雷射光照射至半導體膜，以使半導體膜照射面上的由如下的式計算出的有效功率密度處於3×10 12 至1.5×10 12 的範圍內的方式，將上述脈衝雷射光照射至半導體膜，有效功率密度(J/(秒‧cm 3 ))=脈衝能量密度(J/cm 2 )/脈寬(秒)×半導體膜的吸收係數(cm -1 )…式因此，可使半導體膜結晶化而不會導致由完全熔融所引起的異常晶粒成長，從而可獲得偏差小的均一的結晶。
简体摘要：一种激光退火设备，能够借由激光退火来均一地使半导体膜结晶化。上述激光退火设备包括：脉冲激光振荡设备，将脉冲激光光予以输出；以及光传输单元，对自上述脉冲激光振荡设备输出的上述脉冲激光光进行传输，且将上述脉冲激光光照射至半导体膜，以使半导体膜照射面上的由如下的式计算出的有效功率密度处于3×10 12 至1.5×10 12 的范围内的方式，将上述脉冲激光光照射至半导体膜，有效功率密度(J/(秒‧cm 3 ))=脉冲能量密度(J/cm 2 )/脉宽(秒)×半导体膜的吸收系数(cm -1 )…式因此，可使半导体膜结晶化而不会导致由完全熔融所引起的异常晶粒成长，从而可获得偏差小的均一的结晶。

77. 发明专利

TW201201940A 切斷方法及切斷裝置审中-公开
简体标题：切断方法及切断设备
公开(公告)号：TW201201940A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100116978
申请日：2011-05-13
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：齋藤勳
IPC分类号： B23K , C03B
CPC分类号： B23K26/38 , B23K26/0054 , B23K26/0608 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B23K2203/54 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/04 , C03B33/093
摘要：本發明係提供可提高加熱效率及切斷精確度，並且，可易因應切斷預定線之設計變更之切斷方法及切斷裝置。本發明之切斷方法係藉對被加工板之表面照射第1及第2加熱光，且使該照射區域沿著表面之切斷預定線移動，以切斷被加工板者，而且，在表面之預定區域，與第1加熱光之移動方向直交之方向的寬度設定成小於與第2加熱光之移動方向直交之方向的寬度，並且，第1加熱光之照射區域可與先行之第2加熱光之照射區域連動而移動。
简体摘要：本发明系提供可提高加热效率及切断精确度，并且，可易因应切断预定线之设计变更之切断方法及切断设备。本发明之切断方法系藉对被加工板之表面照射第1及第2加热光，且使该照射区域沿着表面之切断预定线移动，以切断被加工板者，而且，在表面之预定区域，与第1加热光之移动方向直交之方向的宽度设置成小于与第2加热光之移动方向直交之方向的宽度，并且，第1加热光之照射区域可与先行之第2加热光之照射区域连动而移动。

78. 发明专利

TW201143947A 雷射加工及切割系統與方法 LASER MACHINING AND SCRIBING SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
简体标题：激光加工及切割系统与方法 LASER MACHINING AND SCRIBING SYSTEMS AND METHODS
公开(公告)号：TW201143947A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099142613
申请日：2010-12-07
申请人： J P 賽席爾聯合股份有限公司
发明人：賽席爾傑佛瑞P , 曼德思馬柯 , 希爾瑞度R , 柏傑恩諾恩 , 許傑瑞米 , 劉羅倫斯
IPC分类号： B23K , H01L
CPC分类号： B23K26/042 , B23K26/0608 , B23K26/0676 , B23K26/0738 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L33/0095
摘要：一種雷射加工系統可包含一相對側照相機(opposite side camera)，以用於自該系統之一相對側(即與雷射加工製程相對之側)提供工件對準。該相對側照相機可與一空氣軸承定位平台一起使用，且該平台之一部分及/或該相對側照相機可移動，以使該相對側照相機能夠對欲對準之該工件上之一特徵(feature)進行成像。相對側對準可用於藉由自一工件之一或二側實施對準而對該工件進行背面切割及/或雙側切割。雷射加工系統及方法亦可用於提供準秘密切割(quasi-stealth scribing)及多光束切割。
简体摘要：一种激光加工系统可包含一相对侧照相机(opposite side camera)，以用于自该系统之一相对侧(即与激光加工制程相对之侧)提供工件对准。该相对侧照相机可与一空气轴承定位平台一起使用，且该平台之一部分及/或该相对侧照相机可移动，以使该相对侧照相机能够对欲对准之该工件上之一特征(feature)进行成像。相对侧对准可用于借由自一工件之一或二侧实施对准而对该工件进行背面切割及/或双侧切割。激光加工系统及方法亦可用于提供准秘密切割(quasi-stealth scribing)及多光束切割。

79. 发明专利

TW200948525A 脆性材料的熱應力切斷方法失效
简体标题：脆性材料的热应力切断方法
公开(公告)号：TW200948525A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098111380
申请日：2009-04-06
申请人：鐳美科技股份有限公司
发明人：田村裕
IPC分类号： B23K , C03B
CPC分类号： B28D1/221 , B23K26/0608 , B23K26/0676 , B23K26/14 , B23K26/146 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/705 , B23K2203/50 , C03B33/0222 , C03B33/093 , G02F1/133351 , H01S3/005
摘要：在經由從雷射振盪器所射出之雷射光束照射來對脆性材料加熱，並經由熱應力來將前述脆性材料切斷之脆性材料的熱應力切斷方法中，將進行加熱之雷射光束，藉由相對於光束掃描方向而排列在同一線上之擔任初期加熱以及昇溫之加熱前端部、以及擔任加熱後之溫度維持的溫度維持部之複數群來構成。使對應於各別之群的雷射光強度變化，而將全體之雷射光強度控制在最適當之值。藉由此，不會使脆性材料之加熱溫度增大，而能夠使切斷速度飛躍性地提昇。
简体摘要：在经由从激光振荡器所射出之激光光束照射来对脆性材料加热，并经由热应力来将前述脆性材料切断之脆性材料的热应力切断方法中，将进行加热之激光光束，借由相对于光束扫描方向而排列在同一在线之担任初期加热以及升温之加热前端部、以及担任加热后之温度维持的温度维持部之复数群来构成。使对应于各别之群的激光光强度变化，而将全体之激光光强度控制在最适当之值。借由此，不会使脆性材料之加热温度增大，而能够使切断速度飞跃性地提升。

80. 发明专利

TW200905735A 多雷射系統 MULTI LASER SYSTEM 审中-公开
简体标题：多激光系统 MULTI LASER SYSTEM
公开(公告)号：TW200905735A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097112013
申请日：2008-04-02
申请人： EO科技股份有限公司 EO TECHNICS CO., LTD.
发明人：成圭棟 SUNG, KYU-DONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/082
摘要：多雷射系統包括用於發射第一雷射光束的第一雷射振盪器、用於發射第二雷射光束的第二雷射振盪器、用於接收從第一雷射振盪器發射的第一雷射光束並且使入射的第一雷射光束偏轉至在待處理的基板上的預定位置之第一線對掃描器、用於接收從第二雷射振盪器發射的第二雷射光束並且使入射的第二雷射光束偏轉至在待處理的基板上的預定位置之第二線對掃描器、及用於接收從第一及第二線對掃描器偏轉的雷射光束之掃描透鏡,此掃描透鏡將接收的雷射光束聚焦成具有預定直徑的光點,以將此光點發射至基板上。
简体摘要：多激光系统包括用于发射第一激光光束的第一激光振荡器、用于发射第二激光光束的第二激光振荡器、用于接收从第一激光振荡器发射的第一激光光束并且使入射的第一激光光束偏转至在待处理的基板上的预定位置之第一线对扫描仪、用于接收从第二激光振荡器发射的第二激光光束并且使入射的第二激光光束偏转至在待处理的基板上的预定位置之第二线对扫描仪、及用于接收从第一及第二线对扫描仪偏转的激光光束之扫描透镜,此扫描透镜将接收的激光光束聚焦成具有预定直径的光点,以将此光点发射至基板上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式