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71. 发明专利

TWI677015B 形成具有內接觸間隔件之保護裝置的方法及所產生的裝置有权
简体标题：形成具有内接触间隔件之保护设备的方法及所产生的设备
公开(公告)号：TWI677015B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106145753
申请日：2017-12-26
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 大西克典 , ONISHI, KATSUNORI , 李特克波瑞恩斯 , LEE, TEK PO RINUS
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/8234 , H01L29/423 , H01L29/66

72. 发明专利

TWI663651B 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護有权
简体标题：使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
公开(公告)号：TWI663651B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106120340
申请日：2017-06-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/66

73. 发明专利

TW201911424A 在ＶＦＥＴ結構之處理期間在閘極區中長度的控制审中-公开
简体标题：在ＶＦＥＴ结构之处理期间在闸极区中长度的控制
公开(公告)号：TW201911424A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107105274
申请日：2018-02-13
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：朴燦柔 , PARK, CHANRO , 本利史帝文 , BENTLEY, STEVEN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306
摘要：形成垂直FinFET包括在基板上形成半導體鰭片，並且在半導體鰭片之上表面上具有鰭片遮罩；使造成該鰭片遮罩之該半導體鰭片側向凹陷；在該已凹陷半導體鰭片及該鰭片遮罩上形成保形閘極襯墊，其中，該保形閘極襯墊包括圍繞該鰭片遮罩之第一部分、及圍繞該等已凹陷鰭片並且以該保形閘極襯墊之厚度與該鰭片遮罩分開之第二部分；形成與該保形閘極襯墊之該第二部分側向相鄰之閘極遮罩；移除該保形閘極襯墊之該第一部分；移除該閘極遮罩以使該保形閘極襯墊之剩餘第二部分曝露；以及形成與該保形閘極襯墊之該第二部分相連之閘極接觸部，該保形閘極襯墊之該剩餘第二部分界定閘極長度。
简体摘要：形成垂直FinFET包括在基板上形成半导体鳍片，并且在半导体鳍片之上表面上具有鳍片遮罩；使造成该鳍片遮罩之该半导体鳍片侧向凹陷；在该已凹陷半导体鳍片及该鳍片遮罩上形成保形闸极衬垫，其中，该保形闸极衬垫包括围绕该鳍片遮罩之第一部分、及围绕该等已凹陷鳍片并且以该保形闸极衬垫之厚度与该鳍片遮罩分开之第二部分；形成与该保形闸极衬垫之该第二部分侧向相邻之闸极遮罩；移除该保形闸极衬垫之该第一部分；移除该闸极遮罩以使该保形闸极衬垫之剩余第二部分曝露；以及形成与该保形闸极衬垫之该第二部分相连之闸极接触部，该保形闸极衬垫之该剩余第二部分界定闸极长度。

74. 发明专利

TW201841303A 氣隙閘極側壁間隔件及方法审中-公开
简体标题：气隙闸极侧壁间隔件及方法
公开(公告)号：TW201841303A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106119240
申请日：2017-06-09
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：恰尼莫蓋姆丹尼爾 , CHANEMOUGAME, DANIEL , 拉伯特恩德 , LABONTE, ANDRE , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 賴柏曼拉爾斯 , LIEBMANN, LARS , 凱夫尼格爾 , CAVE, NIGEL , 波奇古拉密 , BOUCHE, GUILLAUME
IPC分类号： H01L21/764 , H01L29/49 , H01L29/66
摘要：所揭示為積體電路(IC)結構和其形成方法。在該等方法中，在通道區域上形成具有犧牲性閘極蓋和犧牲性閘極側壁間隔件的閘極。該蓋和側壁間隔件被移除，形成空穴，其具有位於該閘極的側壁和相鄰金屬栓塞之間的下部部分以及具有在該下部部分和該閘極上方的上部部分。沉積第一介電質層，在該下部部分中形成氣隙並對齊該上部部分。沉積第二介電質層，填補該上部部分。在形成閘極接點開口(視需要在主動區上)期間，該第二介電質層被移除而該第一介電質層被非等向性蝕刻，從而曝露該閘極並產生具有下氣隙段和上實心段的介電質間隔件。沉積進入開口內的金屬形成該閘極接點。
简体摘要：所揭示为集成电路(IC)结构和其形成方法。在该等方法中，在信道区域上形成具有牺牲性闸极盖和牺牲性闸极侧壁间隔件的闸极。该盖和侧壁间隔件被移除，形成空穴，其具有位于该闸极的侧壁和相邻金属栓塞之间的下部部分以及具有在该下部部分和该闸极上方的上部部分。沉积第一介电质层，在该下部部分中形成气隙并对齐该上部部分。沉积第二介电质层，填补该上部部分。在形成闸极接点开口(视需要在主动区上)期间，该第二介电质层被移除而该第一介电质层被非等向性蚀刻，从而曝露该闸极并产生具有下气隙段和上实心段的介电质间隔件。沉积进入开口内的金属形成该闸极接点。

75. 发明专利

TW201830704A 垂直場效電晶體與鞍形鰭式場效電晶體的整合审中-公开
简体标题：垂直场效应管与鞍形鳍式场效应管的集成
公开(公告)号：TW201830704A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143156
申请日：2017-12-08
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 林寬容 , LIM, KWAN-YONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
摘要：本發明揭示用以在積體電路中整合垂直場效電晶體與鞍形鰭式場效電晶體的結構，以及用以在積體電路中整合垂直場效電晶體與鞍形鰭式場效電晶體的方法。在基板中形成溝槽隔離，以定義第一裝置區及第二裝置區。形成自該第一裝置區突出的第一半導體鰭片並形成自該第二裝置區突出的第二半導體鰭片。通過使用該第一半導體鰭片形成垂直場效電晶體，且通過使用該第二半導體鰭片形成鞍形鰭式場效電晶體。使鄰近該第二半導體鰭片的該第二裝置區中的該溝槽隔離的頂部表面相對鄰近該第一半導體鰭片的該第一裝置區中的該溝槽隔離的該頂部表面凹入。
简体摘要：本发明揭示用以在集成电路中集成垂直场效应管与鞍形鳍式场效应管的结构，以及用以在集成电路中集成垂直场效应管与鞍形鳍式场效应管的方法。在基板中形成沟槽隔离，以定义第一设备区及第二设备区。形成自该第一设备区突出的第一半导体鳍片并形成自该第二设备区突出的第二半导体鳍片。通过使用该第一半导体鳍片形成垂直场效应管，且通过使用该第二半导体鳍片形成鞍形鳍式场效应管。使邻近该第二半导体鳍片的该第二设备区中的该沟槽隔离的顶部表面相对邻近该第一半导体鳍片的该第一设备区中的该沟槽隔离的该顶部表面凹入。

76. 发明专利

TW201830520A 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護审中-公开
简体标题：使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
公开(公告)号：TW201830520A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106120340
申请日：2017-06-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/66
摘要：一種方法，包括：提供起始結構，該起始結構包含半導體基材、源極與汲極、位在該等源極與汲極上方之硬罩襯墊層、位在該硬罩襯墊層上方之底端介電層、介於該等源極與汲極之間的金屬閘極，其中該等金屬閘極係藉由間隔物所界定、介於對應間隔物之間並且位在該等金屬閘極上面之閘極蓋體開口、以及位在該底端介電層上面並且位在該等閘極蓋體開口中之頂端介電層，從而產生閘極蓋體。該方法更包括移除該頂端介電層之部分，該移除導致接觸開口及位於該等間隔物及/或閘極蓋體之頂端部分處的(多個)凹坑，以及以蝕刻終止材料來填充該(等)凹坑，該蝕刻終止材料具有比該等間隔物與閘極蓋體之材料更佳之蝕刻終止能力。亦揭示所產生之半導體結構。
简体摘要：一种方法，包括：提供起始结构，该起始结构包含半导体基材、源极与汲极、位在该等源极与汲极上方之硬罩衬垫层、位在该硬罩衬垫层上方之底端介电层、介于该等源极与汲极之间的金属闸极，其中该等金属闸极系借由间隔物所界定、介于对应间隔物之间并且位在该等金属闸极上面之闸极盖体开口、以及位在该底端介电层上面并且位在该等闸极盖体开口中之顶端介电层，从而产生闸极盖体。该方法更包括移除该顶端介电层之部分，该移除导致接触开口及位于该等间隔物及/或闸极盖体之顶端部分处的(多个)凹坑，以及以蚀刻终止材料来填充该(等)凹坑，该蚀刻终止材料具有比该等间隔物与闸极盖体之材料更佳之蚀刻终止能力。亦揭示所产生之半导体结构。

77. 发明专利

TWI601243B 於ＣＭＯＳ集成期間利用密閉磊晶生長技術形成源極／汲極接點之方法有权
简体标题：于ＣＭＯＳ集成期间利用密闭磊晶生长技术形成源极／汲极接点之方法
公开(公告)号：TWI601243B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105104890
申请日：2016-02-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：新實寬明 , NIIMI, HIROAKI , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/28525 , H01L21/76801 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823842 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L23/53266 , H01L29/0847 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628

78. 发明专利

TW201715618A 在主動區中具有閘極接觸之三維半導體電晶體审中-公开
简体标题：在主动区中具有闸极接触之三维半导体晶体管
公开(公告)号：TW201715618A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105118529
申请日：2016-06-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 拉伯特恩德 , LABONTE, ANDRE , 科諾爾安德魯 , KNORR, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7845 , H01L21/76883 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：一種三維電晶體包含：半導體基板、連結至該基板的鰭片，該鰭片包含橫跨該鰭片的頂部的主動區，該主動區包含源極、汲極及在該源極與汲極之間的通道區域。該電晶體更包含位在該通道區域上方的閘極、以及位在該主動區中的閘極接觸，沒有部分該閘極接觸電性連結至該源極或汲極。該電晶體在製造期間是通過移除位在該閘極接觸下方的該源極/汲極接觸的一部分而達成。
简体摘要：一种三维晶体管包含：半导体基板、链接至该基板的鳍片，该鳍片包含横跨该鳍片的顶部的主动区，该主动区包含源极、汲极及在该源极与汲极之间的信道区域。该晶体管更包含位在该信道区域上方的闸极、以及位在该主动区中的闸极接触，没有部分该闸极接触电性链接至该源极或汲极。该晶体管在制造期间是通过移除位在该闸极接触下方的该源极/汲极接触的一部分而达成。

79. 发明专利

TWI563632B 具有接觸結構及閘極結構形成在材料層之溝槽中的半導體裝置有权
简体标题：具有接触结构及闸极结构形成在材料层之沟槽中的半导体设备
公开(公告)号：TWI563632B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104109500
申请日：2015-03-25
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 泰勒二世威廉J , TAYLOR JR., WILLIAM J. , 金萊恩永漢 , KIM, RYAN RYOUNG-HAN
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/41758 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/7851

80. 发明专利

TWI557903B 於鰭式場效電晶體半導體裝置上形成隔離材料之方法及其所產生之裝置有权
简体标题：于鳍式场效应管半导体设备上形成隔离材料之方法及其所产生之设备
公开(公告)号：TWI557903B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW104108924
申请日：2015-03-20
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC. , 萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 蔡秀雨 , CAI, XIUYU , 程慷果 , CHENG, KANGGUO , 哈奇佛羅斯艾利 , KHAKIFIROOZ, ALI
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/66795 , H01L29/785

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