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    • 73. 发明专利
    • 半導體結構的製造方法
    • 半导体结构的制造方法
    • TW201545220A
    • 2015-12-01
    • TW103117920
    • 2014-05-22
    • 精材科技股份有限公司XINTEC INC.
    • 何彥仕HO, YENSHIH張恕銘CHANG, SHUMING蔡永泰TSAI, YUNGTAI劉滄宇LIU, TSANGYU
    • H01L21/304
    • H01L27/14687H01L21/67092H01L21/6836H01L27/14685H01L31/18
    • 一種半導體結構的製造方法包含下列步驟:使用暫時黏著層將載板貼附於晶圓的第一表面上。將晶圓的第二表面貼附於框體上的紫外光膠帶,並移除暫時黏著層與載板。貼附保護膠帶於晶圓的第一表面上,其中保護膠帶的面積大於晶圓的面積,使得保護膠帶凸出於晶圓。照射紫外光於紫外光膠帶,使紫外光膠帶的黏性消失。貼附切割膠帶於保護膠帶與框體上,並移除紫外光膠帶。使用第一刀具從晶圓的第二表面切割晶圓,而形成複數個晶片與晶片間的複數個間隙。使用寬度小於第一刀具的第二刀具沿間隙切割保護膠帶,使得切割後的保護膠帶分別凸出於晶片。
    • 一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:使用暂时黏着层将载板贴附于晶圆的第一表面上。将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带,并移除暂时黏着层与载板。贴附保护胶带于晶圆的第一表面上,其中保护胶带的面积大于晶圆的面积,使得保护胶带凸出于晶圆。照射紫外光于紫外光胶带,使紫外光胶带的黏性消失。贴附切割胶带于保护胶带与框体上,并移除紫外光胶带。使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆,而形成复数个芯片与芯片间的复数个间隙。使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带,使得切割后的保护胶带分别凸出于芯片。