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71. 发明专利

TWI259555B 半導體晶圓之分割方法有权
简体标题：半导体晶圆之分割方法
公开(公告)号：TWI259555B
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW092103690
申请日：2003-02-21
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：關家一馬 SEKIYA, KAZUMA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327
摘要：本發明的課題，在擬分割半導體晶圓時，以經濟性方法形成沒有缺口或界道的高品質晶片。
欲每一個電路的半導體晶片地分割電路形成在藉由界道所區劃的多數領域的半導體晶圓W的方法，以膠帶構件10被覆半導體晶圓W的電路面，藉切割除去被覆界道S上部的膠帶構件10而形成切削溝11，在被覆界道上部的膠帶構件10被除去的半導體晶圓W施以化學性蝕刻處理，俾浸蝕界道而分割成各個半導體晶片。
简体摘要：本发明的课题，在拟分割半导体晶圆时，以经济性方法形成没有缺口或界道的高品质芯片。欲每一个电路的半导体芯片地分割电路形成在借由界道所区划的多数领域的半导体晶圆W的方法，以胶带构件10被覆半导体晶圆W的电路面，藉切割除去被覆界道S上部的胶带构件10而形成切削沟11，在被覆界道上部的胶带构件10被除去的半导体晶圆W施以化学性蚀刻处理，俾浸蚀界道而分割成各个半导体芯片。

72. 发明专利

TW200627529A 半導體晶圓之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200627529A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094101688
申请日：2005-01-20
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：荒井一尚 ARAI, KAZUHISA
IPC分类号： H01L
摘要：以具有平坦支撐面之支撐基板10的支撐面，支撐半導體晶圓W之表面，使支撐基板10和半導體晶圓W一體化；再使用打薄加工裝置，對與支撐基板10一體化之半導體晶圓W的背面，進行研磨或蝕刻等打薄加工；之後使用膜形成裝置40，於與支撐基板10一體化之半導體晶圓W的背面形成膜。半導體晶圓W因和支撐基板一體化，故即使厚度在100μm以下之半導體晶圓亦不會產生彎曲，而可平均的成膜。
简体摘要：以具有平坦支撑面之支撑基板10的支撑面，支撑半导体晶圆W之表面，使支撑基板10和半导体晶圆W一体化；再使用打薄加工设备，对与支撑基板10一体化之半导体晶圆W的背面，进行研磨或蚀刻等打薄加工；之后使用膜形成设备40，于与支撑基板10一体化之半导体晶圆W的背面形成膜。半导体晶圆W因和支撑基板一体化，故即使厚度在100μm以下之半导体晶圆亦不会产生弯曲，而可平均的成膜。

73. 发明专利

TW200616175A 半導體晶片樹脂封裝法 SEMICONDUCTOR CHIP RESIN ENCAPSULATION METHOD 审中-公开
简体标题：半导体芯片树脂封装法 SEMICONDUCTOR CHIP RESIN ENCAPSULATION METHOD
公开(公告)号：TW200616175A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094122905
申请日：2005-07-06
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：上野慎治 UENO, SHINJI , 川合章仁 KAWAI, AKIHITO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種半導體晶片樹脂封裝法，包括以熔化樹脂封裝複數個半導體晶片(其已接合至基板)，以及將熔化樹脂固化之樹脂填入及固化步驟。此半導體晶片樹脂封裝法更包括研磨固化的樹脂之上表面，以使封裝樹脂的厚度降低為預定值之研磨步驟。
简体摘要：一种半导体芯片树脂封装法，包括以熔化树脂封装复数个半导体芯片(其已接合至基板)，以及将熔化树脂固化之树脂填入及固化步骤。此半导体芯片树脂封装法更包括研磨固化的树脂之上表面，以使封装树脂的厚度降低为预定值之研磨步骤。

74. 发明专利

TWI253715B 切削裝置有权
简体标题：切削设备
公开(公告)号：TWI253715B
公开(公告)日：2006-04-21
申请号：TW091114755
申请日：2002-07-03
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：大宮直樹 , 五十勝通
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示一種可防止切削水附著於以懸垂狀態支撐著主軸構件(spindle unit)之懸垂框架的切削裝置。
本發明的切削裝置是具有：用來保持被加工物的夾盤台(chuck table)；以及將切削水供應至保持於該夾盤台的被加工物，同時施以切削加工的切削機構，而該切削機構具有：本身具有切削刀片的主軸構件；以及以懸垂狀態支撐著該主軸構件的懸垂框架者，其特徵為具有用來防止切削水附著於該懸垂框架的覆蓋構件。
简体摘要：本发明揭示一种可防止切削水附着于以悬垂状态支撑着主轴构件(spindle unit)之悬垂框架的切削设备。本发明的切削设备是具有：用来保持被加工物的夹盘台(chuck table)；以及将切削水供应至保持于该夹盘台的被加工物，同时施以切削加工的切削机构，而该切削机构具有：本身具有切削刀片的主轴构件；以及以悬垂状态支撑着该主轴构件的悬垂框架者，其特征为具有用来防止切削水附着于该悬垂框架的覆盖构件。

75. 发明专利

TWI241674B 半導體晶片之製造方法有权
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI241674B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW091133054
申请日：2002-11-11
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：北村政彥 , 矢興一 , 木村輔 , 田淵智隆 TABUCHI, TOMOYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/3043 , H01L21/78 , Y10S438/977
摘要：介由具有因外部要因而黏著力降低之黏著層的黏著捲帶10，在板狀物支持構件貼裝半導體晶圓之表面，在該狀態下，研磨半導體晶圓之背面，在研磨後的半導體晶圓的背面貼裝切割捲帶，同時，以框架支持切割捲帶之外周，藉由使外部要因作用於黏著層，以降低黏著層的黏著力，可以不損傷半導體晶圓或者半導體晶片而取下板狀物支持構件與黏著捲帶。
简体摘要：介由具有因外部要因而黏着力降低之黏着层的黏着卷带10，在板状物支持构件贴装半导体晶圆之表面，在该状态下，研磨半导体晶圆之背面，在研磨后的半导体晶圆的背面贴装切割卷带，同时，以框架支持切割卷带之外周，借由使外部要因作用于黏着层，以降低黏着层的黏着力，可以不损伤半导体晶圆或者半导体芯片而取下板状物支持构件与黏着卷带。

76. 发明专利

TW200525620A 絕緣矽基板之加工方法审中-公开
简体标题：绝缘硅基板之加工方法
公开(公告)号：TW200525620A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093101891
申请日：2004-01-20
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：高橋敏昭 TAKAHASHI, TOSHIAKI , 荒井一尚 ARAI, KAZUHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , B24B7/228 , H01L21/6708 , H01L21/76256
摘要：本發明之課題是提供一種可在研削所生之應力不會殘留的狀態下，進行薄化加工之絕緣矽基板的加工方法。本發明之解決手段是由：半導體基板所構成的背面層、和積層於該背面層上面之絕緣層、和積層於該絕緣層上面之半導體薄膜層、和形成於該半導體薄膜層表面之電路所構成的絕緣矽基板之加工方法，其中，包括下列步驟：研削背面層而殘留預定厚度之研削步驟；和利用化學蝕刻處理，將藉由該研削步驟而形成預定厚度之該背面層加以去除，使絕緣層露出之蝕刻步驟。
简体摘要：本发明之课题是提供一种可在研削所生之应力不会残留的状态下，进行薄化加工之绝缘硅基板的加工方法。本发明之解决手段是由：半导体基板所构成的背面层、和积层于该背面层上面之绝缘层、和积层于该绝缘层上面之半导体薄膜层、和形成于该半导体薄膜层表面之电路所构成的绝缘硅基板之加工方法，其中，包括下列步骤：研削背面层而残留预定厚度之研削步骤；和利用化学蚀刻处理，将借由该研削步骤而形成预定厚度之该背面层加以去除，使绝缘层露出之蚀刻步骤。

77. 发明专利

TW200522178A 晶圓處理方法 WAFER PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：晶圆处理方法 WAFER PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW200522178A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093126898
申请日：2004-09-06
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：永井祐介 NAGAI, YUSUKE , 青木昌史 AOKI, MASASHI , 星野仁志 HOSHINO, HITOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/042 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/78
摘要：一種沿著分割線，將具有形成於藉由形成於前表面上的晶格圖案中之分割線所切割的複數個區域中之光學裝置的晶圓進行切割之晶圓處理方法，其包括沿著晶圓之背表面一側的切割線，將雷射光束施加於晶圓，而在背表面中，形成具有預定深度的渠溝之雷射光束施加步驟，將保護板固定於背表面中具有渠溝之晶圓的前表面之保護板固定步驟；沿著渠溝，將具有固定於前表面的保護板之晶圓進行切割之切割步驟；以及沿著渠溝，在保護板係固定於晶圓之狀態中，將已切割晶圓之背表面進行研磨，以去除渠溝之研磨步驟。
简体摘要：一种沿着分割线，将具有形成于借由形成于前表面上的晶格图案中之分割线所切割的复数个区域中之光学设备的晶圆进行切割之晶圆处理方法，其包括沿着晶圆之背表面一侧的切割线，将激光光束施加于晶圆，而在背表面中，形成具有预定深度的渠沟之激光光束施加步骤，将保护板固定于背表面中具有渠沟之晶圆的前表面之保护板固定步骤；沿着渠沟，将具有固定于前表面的保护板之晶圆进行切割之切割步骤；以及沿着渠沟，在保护板系固定于晶圆之状态中，将已切割晶圆之背表面进行研磨，以去除渠沟之研磨步骤。

78. 发明专利

TW200507095A 分割半導體晶圓的方法 METHOD OF DIVIDING A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：分割半导体晶圆的方法 METHOD OF DIVIDING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200507095A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093106360
申请日：2004-03-10
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：川合章仁 KAWAI, AKIHITO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , Y10T83/02
摘要：一種分割半導體晶圓的方法，包含：一黏合薄膜黏附步驟，黏附供模黏合用之黏合薄膜至半導體晶圓的背部表面；一保護黏附帶裝附步驟，裝附一伸長保護黏附帶在具有黏合薄膜黏附於其之背部表面的半導體晶圓之黏合薄膜側上；一分割步驟，經由自被裝附至保護黏附帶的半導體晶圓之前部表面，沿著分割線施加雷射光束，分割半導體晶圓成為個別半導體晶片；一黏合薄膜斷裂步驟，經由伸長保護黏附帶以給予張力至黏合薄膜，斷裂供每一半導體晶片用的黏合薄膜；及一半導體晶圓移除步驟，用以自保護黏附帶移除具有斷裂黏合薄膜被附加之半導體晶片。
简体摘要：一种分割半导体晶圆的方法，包含：一黏合薄膜黏附步骤，黏附供模黏合用之黏合薄膜至半导体晶圆的背部表面；一保护黏附带装附步骤，装附一伸长保护黏附带在具有黏合薄膜黏附于其之背部表面的半导体晶圆之黏合薄膜侧上；一分割步骤，经由自被装附至保护黏附带的半导体晶圆之前部表面，沿着分割线施加激光光束，分割半导体晶圆成为个别半导体芯片；一黏合薄膜断裂步骤，经由伸长保护黏附带以给予张力至黏合薄膜，断裂供每一半导体芯片用的黏合薄膜；及一半导体晶圆移除步骤，用以自保护黏附带移除具有断裂黏合薄膜被附加之半导体芯片。

79. 发明专利

TW200416093A 雷射加工法 LASER MACHINING METHOD 无效
简体标题：激光加工法 LASER MACHINING METHOD
公开(公告)号：TW200416093A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092133087
申请日：2003-11-25
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：關家一馬 SEKIYA, KAZUMA
IPC分类号： B23K , H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , B23K26/032 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：揭示一種雷射加工法，用以藉由施加雷射光束而加工一工件，該方法包含以下步驟：一保護膜塗覆步驟，將工件欲加工的一表面塗覆上一保護膜；一雷射光束照射步驟，透過該保護膜施加一雷射光束到該工件上；及一保護膜移除步驟，在完成雷射光束照射步驟之後，移除該保護膜。
简体摘要：揭示一种激光加工法，用以借由施加激光光束而加工一工件，该方法包含以下步骤：一保护膜涂覆步骤，将工件欲加工的一表面涂复上一保护膜；一激光光束照射步骤，透过该保护膜施加一激光光束到该工件上；及一保护膜移除步骤，在完成激光光束照射步骤之后，移除该保护膜。

80. 发明专利

TW200411755A 處理半導體晶圓之方法 METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：处理半导体晶圆之方法 METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200411755A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW092129596
申请日：2003-10-24
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：矢興一 YAJIMA, KOUICHI , 北村政彥 KITAMURA, MASAHIKO , 波岡伸一 NAMIOKA, SHINICHI , 南條雅俊 NANJO, MASATOSHI
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： H01L24/83 , B24B37/30 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/274 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
摘要：一種處理半導體晶圓之方法，該半導體晶圓具有由配置在前側表面上成格子狀的多道格線加以分隔開的大量矩形區域，在各區域內形成有電路。此方法包含有在將半導體晶圓之背側表面加以研磨之前，先將該半導體晶圓固定至一保護性基板上，而使得該半導體晶圓的前側表面面對著一個至少在其中心區域內設有大量孔洞的保護性基板的一側。
简体摘要：一种处理半导体晶圆之方法，该半导体晶圆具有由配置在前侧表面上成格子状的多道格线加以分隔开的大量矩形区域，在各区域内形成有电路。此方法包含有在将半导体晶圆之背侧表面加以研磨之前，先将该半导体晶圆固定至一保护性基板上，而使得该半导体晶圆的前侧表面面对着一个至少在其中心区域内设有大量孔洞的保护性基板的一侧。

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