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    • 80. 发明专利
    • 液晶顯示裝置
    • 液晶显示设备
    • TWI238277B
    • 2005-08-21
    • TW092115225
    • 2003-06-05
    • 日立顯示器股份有限公司 HITACHI DISPLAYS, LTD.
    • 桶 隆太郎落合 孝洋小野 記久雄
    • G02F
    • G02F1/134363G02F1/136286
    • 本發明之主動矩陣型之液晶顯示裝置係具備有:薄膜電晶體之半導體層、形成於該半導體層上之第1絕緣膜、形成於該第1絕緣膜上之閘極配線、形成於該閘極配線上之第2絕緣膜、以及形成於該第2絕緣膜上之汲極配線;藉由在前述閘極配線的下側中介前述第1絕緣膜而使前述半導體層呈相對向,且中介前述第2絕緣膜而以和前述汲極配線同一步驟所形成的金屬電極,將該閘極配線的上側予以覆蓋之措施,即能遮蔽來自該閘極配線的漏電場。特別係如此構成使用低溫多晶矽TFT的IPS方式之液晶顯示裝置,即能獲得具有寬廣視野角度且明亮之顯示畫像。
    • 本发明之主动矩阵型之液晶显示设备系具备有:薄膜晶体管之半导体层、形成于该半导体层上之第1绝缘膜、形成于该第1绝缘膜上之闸极配线、形成于该闸极配在线之第2绝缘膜、以及形成于该第2绝缘膜上之汲极配线;借由在前述闸极配线的下侧中介前述第1绝缘膜而使前述半导体层呈相对向,且中介前述第2绝缘膜而以和前述汲极配线同一步骤所形成的金属电极,将该闸极配线的上侧予以覆盖之措施,即能屏蔽来自该闸极配线的漏电场。特别系如此构成使用低温多晶硅TFT的IPS方式之液晶显示设备,即能获得具有宽广视野角度且明亮之显示画像。