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71. 发明专利

TW200423164A 含BaPbO3之鐵電電容器 FERROELECTRIC CAPACITORS HAVING BaPbO3 审中-公开
简体标题：含BaPbO3之铁电电容器 FERROELECTRIC CAPACITORS HAVING BaPbO3
公开(公告)号：TW200423164A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092110151
申请日：2003-04-30
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：羅毅榮 LUO, YIHRONG , 梁春昇 , 吳振名
IPC分类号： H01G , G11C
摘要：本發明係提供一種鐵電電容器，其包含有二含鉛酸鋇(BaPbO3)之電極，及一作為該二電極間的介電層之鐵電薄膜。該鐵電電容器具有較佳的鐵電性、抗疲勞性，及較低的漏電流，且由於BaPbO3的成相溫度較低，約為350℃，因此本發明之鐵電電容器在製程上適合與半導體製程作整合，以供業界使用。
简体摘要：本发明系提供一种铁电电容器，其包含有二含铅酸钡(BaPbO3)之电极，及一作为该二电极间的介电层之铁电薄膜。该铁电电容器具有较佳的铁电性、抗疲劳性，及较低的漏电流，且由于BaPbO3的成相温度较低，约为350℃，因此本发明之铁电电容器在制程上适合与半导体制程作集成，以供业界使用。

72. 发明专利

TW594833B 含碳元件發射電流之提升失效
简体标题：含碳组件发射电流之提升
公开(公告)号：TW594833B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091134985
申请日：2002-12-02
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃國柱 , 龔聖欽 KUNG, SHENG CHIN
IPC分类号： H01J
摘要：本案提供一種技術，用以實現體形微小但電流發射能力好的電流發射裝置，其發射電流所需要的發射電壓可以更低或不變。這電流發射裝置的較佳實現方式是採用碳微管陣列或薄膜。這種技術的主要特徵是，氧化含碳電流發射裝置，直到含碳電流發射裝置有至少一部位變形。經過本案技術處理過的電流發射裝置，變成較能夠搭配顯示器使用或發射較高密度的電流，卻不需要提高發射電壓，反而可以降低發射電壓。根據實驗結果，經過本案技術處理的碳徵管，發射電流的密度達到原碳微管的8倍，而起始發射電壓從原0.8V/mm降到0.5V/mm。
简体摘要：本案提供一种技术，用以实现体形微小但电流发射能力好的电流发射设备，其发射电流所需要的发射电压可以更低或不变。这电流发射设备的较佳实现方式是采用碳微管数组或薄膜。这种技术的主要特征是，氧化含碳电流发射设备，直到含碳电流发射设备有至少一部位变形。经过本案技术处理过的电流发射设备，变成较能够搭配显示器使用或发射较高密度的电流，却不需要提高发射电压，反而可以降低发射电压。根据实验结果，经过本案技术处理的碳征管，发射电流的密度达到原碳微管的8倍，而起始发射电压从原0.8V/mm降到0.5V/mm。

73. 发明专利

TW593624B 芳香族化合物及有機發光二極體有权
简体标题：芳香族化合物及有机发光二极管
公开(公告)号：TW593624B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091123869
申请日：2002-10-16
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：鄭建鴻 CHENG, CHIEN HONG , 施槐庭 SHIH, HUAI TING , 吳國禎
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L51/0058 , C07C13/64 , C07C15/38 , C07C2603/50 , C09K11/06 , C09K2211/1003 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , Y10S428/917
摘要：一種藍光有機發光二極體，包含一形成於一基材上的正極，一形成於該正極上的發光層，及一形成於該發光層上的負極，其特徵在於該發光層為具有下式Ⅰ或Ⅱ的化合物： Ar1──Ar2 Ar1──Ar3──Ar2
I II其中Ar1與Ar2獨立的為具取代基或不具取代基的異基(isochrysene，triphenylenyl)、基(anthracenyl)、基(naphthalyl)、二苯基(biphenyl)、苯駢菲基(pyrenyl)或菲基(phenanthrenyl)；Ar3為為具取代基或不具取代基的伸苯基(phenylene)、伸二苯基(biphenylene)、伸基(naphthylene)、伸基(anthracenylene)、或伸芴基(fluorenylene)。
简体摘要：一种蓝光有机发光二极管，包含一形成于一基材上的正极，一形成于该正极上的发光层，及一形成于该发光层上的负极，其特征在于该发光层为具有下式Ⅰ或Ⅱ的化合物： Ar1──Ar2 Ar1──Ar3──Ar2 I II其中Ar1与Ar2独立的为具取代基或不具取代基的异基(isochrysene，triphenylenyl)、基(anthracenyl)、基(naphthalyl)、二苯基(biphenyl)、苯骈菲基(pyrenyl)或菲基(phenanthrenyl)；Ar3为为具取代基或不具取代基的伸苯基(phenylene)、伸二苯基(biphenylene)、伸基(naphthylene)、伸基(anthracenylene)、或伸芴基(fluorenylene)。

74. 发明专利

TW200410494A 脈衝信號檢測電路失效
简体标题：脉冲信号检测电路
公开(公告)号：TW200410494A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW091135648
申请日：2002-12-10
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：周懷樸 , 林孟勇
IPC分类号： H03K
摘要：一種脈衝信號檢測電路，應用在偵檢核輻射信號。此電路包含一電荷靈敏放大器、一脈衝波形整形放大器、一脈衝信號峰值檢測取樣與保持電路、一臨界鑑別器電路、以及一類比數位轉換器。電荷靈敏放大器將輸入的電荷轉換為電壓信號；脈衝波形整形放大器將電壓信號轉換為脈衝波形信號；脈衝信號峰值檢測取樣與保持電路改進各部位元件的工作區間和電路轉移曲線的偏壓操作情形，來取樣與保持峰值信號，以避免傳統超越電位和電壓下垂的缺點，並採用單電源設計取代傳統的雙電源；臨界鑑別器電路做為脈衝信號峰值檢測取樣與保持電路和類比數位轉換器的控制介面，以避免基底電位的缺點。此電路改善傳統之基底電位、超越電位和電壓下垂的缺點，可達到高準確性的檢測結果；並採用單電源設計取代傳統的雙電源，極具產業利用之價值。
简体摘要：一种脉冲信号检测电路，应用在侦检核辐射信号。此电路包含一电荷灵敏放大器、一脉冲波形整形放大器、一脉冲信号峰值检测采样与保持电路、一临界鉴别器电路、以及一模拟数码转换器。电荷灵敏放大器将输入的电荷转换为电压信号；脉冲波形整形放大器将电压信号转换为脉冲波形信号；脉冲信号峰值检测采样与保持电路改进各部比特件的工作区间和电路转移曲线的偏压操作情形，来采样与保持峰值信号，以避免传统超越电位和电压下垂的缺点，并采用单电源设计取代传统的双电源；临界鉴别器电路做为脉冲信号峰值检测采样与保持电路和模拟数码转换器的控制界面，以避免基底电位的缺点。此电路改善传统之基底电位、超越电位和电压下垂的缺点，可达到高准确性的检测结果；并采用单电源设计取代传统的双电源，极具产业利用之价值。

75. 发明专利

TW578250B 覆晶接合面之檢測方法失效
简体标题：覆晶接合面之检测方法
公开(公告)号：TW578250B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092115166
申请日：2003-06-05
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：杜正恭 , 盧水金
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/11 , H01L22/12 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
摘要：本發明提出了一種覆晶接合面之檢測方法，可以解決傳統利用研磨拋光，以及化學蝕刻製備試片的問題；本發明利用離子束蝕刻技術對覆晶(flip chip；FC)試片進行製備的處理，其包括以固定離子束能量而增加蝕刻時間，和固定蝕刻時間而增加離子束能量的兩種方式進行，可以除去錫球(solder ball)及其相接之金屬墊(pad)間因為研磨拋光所產生的變形部份，特別是對於錫球(solder ball)及其相接之金屬墊(pad)間所生成的介金屬化合物可以獲得較利於SEM分析的試片形態。五、(一)、本案代表圖為：第___1___圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：晶片．．．．．．．．1金屬墊．．．．．．．2介電保護層．．．．．3銻(Ti)．．．．．．．4銅(Cu)．．．．．．．5鎳(Ni)．．．．．．．6、91錫球．．．．．．．．7基板．．．．．．．．8銲墊．．．．．．．．9
简体摘要：本发明提出了一种覆晶接合面之检测方法，可以解决传统利用研磨抛光，以及化学蚀刻制备试片的问题；本发明利用离子束蚀刻技术对覆晶(flip chip；FC)试片进行制备的处理，其包括以固定离子束能量而增加蚀刻时间，和固定蚀刻时间而增加离子束能量的两种方式进行，可以除去锡球(solder ball)及其相接之金属垫(pad)间因为研磨抛光所产生的变形部份，特别是对于锡球(solder ball)及其相接之金属垫(pad)间所生成的介金属化合物可以获得较利于SEM分析的试片形态。五、(一)、本案代表图为：第___1___图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：芯片．．．．．．．．1金属垫．．．．．．．2介电保护层．．．．．3锑(Ti)．．．．．．．4铜(Cu)．．．．．．．5镍(Ni)．．．．．．．6、91锡球．．．．．．．．7基板．．．．．．．．8焊垫．．．．．．．．9

76. 发明专利

TWI314827B 無線感測器網路中之時間同步方法 TIME SYNCHRONIZATION METHOD FOR WIRELESS SENSOR NETWORKS 有权
简体标题：无线传感器网络中之时间同步方法 TIME SYNCHRONIZATION METHOD FOR WIRELESS SENSOR NETWORKS
公开(公告)号：TWI314827B
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：TW095120939
申请日：2006-06-13
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：許健平 SHEU, JANG-PING , 王家祥 WANG, JIA-SHUNG
IPC分类号： H04L
摘要：本發明係關於一種用於無線感測器網路中之時間同步方法,其用以將多數網路節點進行時間同步,其包含以下步驟:第1步驟,在經過一預定週期後,從該多數網路節點中選出一個節點來作為參考節點,並取得其時間郵戳;第2步驟,取得除了該參考節點外之其他節點的時間郵戳;第3步驟,根據參考節點之時間郵戳以及其他節點之時間郵戳,來計算出實際的時間差異;以及第4步驟,根據該時間差異來進行各節點之間的同步動作。
简体摘要：本发明系关于一种用于无线传感器网络中之时间同步方法,其用以将多数网络节点进行时间同步,其包含以下步骤:第1步骤,在经过一预定周期后,从该多数网络节点中选出一个节点来作为参考节点,并取得其时间邮戳;第2步骤,取得除了该参考节点外之其他节点的时间邮戳;第3步骤,根据参考节点之时间邮戳以及其他节点之时间邮戳,来计算出实际的时间差异;以及第4步骤,根据该时间差异来进行各节点之间的同步动作。

77. 发明专利

TW200937532A 離子感測場效電晶體的製程方法 PROCESSING METHOD OF ION SENSITIVE FIELD EFFECTIVE TRANSISTORS 审中-公开
简体标题：离子传感场效应管的制程方法 PROCESSING METHOD OF ION SENSITIVE FIELD EFFECTIVE TRANSISTORS
公开(公告)号：TW200937532A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097105771
申请日：2008-02-19
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：陳新 CHEN, HSIN , 林家賢 LIN, CHIA CHIAN , 張聖任 CHANG, SHENG REN , 張晉祥 CHANG, THIN HSIANG
IPC分类号： H01L
摘要：一種離子感測場效電晶體的製程方法,其步驟包括包括:首先,提供一場效電晶體。此場效電晶體的多晶矽化閘極上方依序覆蓋至少一個內連接層以及至少一個第一金屬層,且第一金屬層的最上層暴露在空氣中。接著,去除第一金屬層以及內連接層,使多晶矽化閘極層暴露在空氣中。最後,去除多晶矽化閘極,進而使閘極氧化層暴露在空氣中。
简体摘要：一种离子传感场效应管的制程方法,其步骤包括包括:首先,提供一场效应管。此场效应管的多晶硅化闸极上方依序覆盖至少一个内连接层以及至少一个第一金属层,且第一金属层的最上层暴露在空气中。接着,去除第一金属层以及内连接层,使多晶硅化闸极层暴露在空气中。最后,去除多晶硅化闸极,进而使闸极氧化层暴露在空气中。

78. 发明专利

TWI312165B 垂直奈米碳管陣列之場發射陰極元件的製作方法及其製品有权
简体标题：垂直奈米碳管数组之场发射阴极组件的制作方法及其制品
公开(公告)号：TWI312165B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW095120963
申请日：2006-06-13
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：戴念華 , 邱建超 , 蔡宗岩
IPC分类号： H01J , B82B
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469
摘要：本發明提供一種垂直奈米碳管陣列之場發射陰極元件的製作方法,包含以下步驟:(a)提供一形成有複數呈陣列式排列之奈米碳管束的基板;(b)於一承載基板上塗佈一導電膠;(c)沿該等奈米碳管束的一軸向施予一壓力壓合該基板與該承載基板,以使得遠離該基板之一表面的奈米碳管束之一第一端緣埋入該導電膠中;(d)對該導電膠予以固化;及(e)分離該基板與該承載基板,以轉印該等奈米碳管束於該承載基板上,並使該等奈米碳管束的一第二端緣與該基板分離。本發明亦提供一種由前述方法所製得的垂直奈米碳管陣列之場發射陰極元件。
简体摘要：本发明提供一种垂直奈米碳管数组之场发射阴极组件的制作方法,包含以下步骤:(a)提供一形成有复数呈数组式排列之奈米碳管束的基板;(b)于一承载基板上涂布一导电胶;(c)沿该等奈米碳管束的一轴向施予一压力压合该基板与该承载基板,以使得远离该基板之一表面的奈米碳管束之一第一端缘埋入该导电胶中;(d)对该导电胶予以固化;及(e)分离该基板与该承载基板,以转印该等奈米碳管束于该承载基板上,并使该等奈米碳管束的一第二端缘与该基板分离。本发明亦提供一种由前述方法所制得的垂直奈米碳管数组之场发射阴极组件。

79. 发明专利

TW200920769A 可撓性基板、其製備方法及含有此可撓性基板的發光裝置 FLEXIBLE SUBSTRATE, ITS PREPARATION AND LIGHT EMITTING DEVICE CONTAINING THE SAME 审中-公开
简体标题：可挠性基板、其制备方法及含有此可挠性基板的发光设备 FLEXIBLE SUBSTRATE, ITS PREPARATION AND LIGHT EMITTING DEVICE CONTAINING THE SAME
公开(公告)号：TW200920769A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096143326
申请日：2007-11-15
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李明昌 LEE, MING CHANG , 鄭有宏 CHENG, YU HUNG , 陳敬旻 CHEN, CHING MIN
IPC分类号： C08J , G02B , C08L , H05B
摘要：一種具有可撓度的可撓性基板,包含一母體(matrix)及形成於該母體的一表面的一複合材料增硬層,該母體及複合材料增硬層由一可交聯之高分子所製成,且該複合材料增硬層進一步含有分散於該複合材料增硬層內的粒徑為3-2000 nm的陶瓷粉末或螢光粉末。本發明亦揭示一種發光裝置,其為液晶顯示器背光模組(LCD backlight)、有機發光二極體(OLED)、發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)元件,其使用本發明的可撓性基板。
简体摘要：一种具有可挠度的可挠性基板,包含一母体(matrix)及形成于该母体的一表面的一复合材料增硬层,该母体及复合材料增硬层由一可交联之高分子所制成,且该复合材料增硬层进一步含有分散于该复合材料增硬层内的粒径为3-2000 nm的陶瓷粉末或萤光粉末。本发明亦揭示一种发光设备,其为液晶显示器背光模块(LCD backlight)、有机发光二极管(OLED)、发光二极管(LED)或激光二极管(LD)组件,其使用本发明的可挠性基板。

80. 发明专利

TWI309411B 垂直記錄媒體 PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIA 有权
简体标题：垂直记录媒体 PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIA
公开(公告)号：TWI309411B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW095114274
申请日：2006-04-21
申请人：國立清華大學 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：賴志煌 LAI, CHIH-HUANG , 大衛奧康 DAVID VOKOUN , 廖又儀 LIAO, YU-YI , 林夢嫺 LIN, MENG-SHIAN
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要：本發明提供一種垂直記錄媒體,包含:一具有一表面的基材、一疊置於基材表面的顆粒狀磁記錄膜、一夾置於基材與顆粒狀磁記錄膜之間的非磁性膜;及一夾置於基材及非磁性膜之間的軟磁膜。非磁性膜具有一夾置於顆粒狀磁記錄膜與基材之間並提供顆粒狀磁記錄膜沿著一垂直於該基材之表面的織構方向呈定向織構且呈六方晶系的晶種層、一夾置於晶種層與基材之間並提供晶種層沿該織構方向成長且呈面心立方晶系的緩衝層,及一夾置於緩衝層與基材之間並呈非晶態的中間層。該中間層是選自於下列所構成之群組:鋱、釓、鏑、鉭、鉿,及此等之一組合。
简体摘要：本发明提供一种垂直记录媒体,包含:一具有一表面的基材、一叠置于基材表面的颗粒状磁记录膜、一夹置于基材与颗粒状磁记录膜之间的非磁性膜;及一夹置于基材及非磁性膜之间的软磁膜。非磁性膜具有一夹置于颗粒状磁记录膜与基材之间并提供颗粒状磁记录膜沿着一垂直于该基材之表面的织构方向呈定向织构且呈六方晶系的晶种层、一夹置于晶种层与基材之间并提供晶种层沿该织构方向成长且呈面心立方晶系的缓冲层,及一夹置于缓冲层与基材之间并呈非晶态的中间层。该中间层是选自于下列所构成之群组:铽、钆、镝、钽、铪,及此等之一组合。

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