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61. 发明专利

TW201615804A 蝕刻劑組成物及使用其製造半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：蚀刻剂组成物及使用其制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201615804A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104121967
申请日：2015-07-07
申请人：拉姆科技有限公司 , RAM TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：吉埈仍 , KIL, JUN-ING , 房哲源 , BANG, CHEOL-WON , 金學默 , KIM, HAK-MUK , 張湧守 , JANG, YOUNG-SU , 沈金噽 , SHIM, GEM-BI
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/306 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08 , H01L27/11565 , H01L27/11582
摘要：本發明涉及一種用於氮化物層的蝕刻劑組成物及使用其製造半導體裝置的方法。以所述蝕刻劑組成物的總重量計，所述蝕刻劑組成物包含：約80重量%至約90重量%的量的磷酸、約0.02重量%至約0.1重量%的量的矽-氟化合物、以及其餘爲水。所述矽-氟化合物包含矽原子與氟原子之間的鍵結（Si-F鍵結）。可利用所述蝕刻劑組成物來實現相對於氧化物層的氮化物層的例如大於約200的高蝕刻選擇性。
简体摘要：本发明涉及一种用于氮化物层的蚀刻剂组成物及使用其制造半导体设备的方法。以所述蚀刻剂组成物的总重量计，所述蚀刻剂组成物包含：约80重量%至约90重量%的量的磷酸、约0.02重量%至约0.1重量%的量的硅-氟化合物、以及其余为水。所述硅-氟化合物包含硅原子与氟原子之间的键结（Si-F键结）。可利用所述蚀刻剂组成物来实现相对于氧化物层的氮化物层的例如大于约200的高蚀刻选择性。

62. 发明专利

TW201525105A 矽烷基團層自組裝膜之改質劑，以及利用該改質劑之玻璃表面金屬化方法审中-公开
简体标题：硅烷基团层自组装膜之改质剂，以及利用该改质剂之玻璃表面金属化方法
公开(公告)号：TW201525105A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102147304
申请日：2013-12-19
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY
发明人：竇維平 , DOW, WEI PING , 沈紹平 , SHEN, SHAO PING
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04 , C03C15/02 , C03C23/00 , C23C18/38
摘要：一種矽烷基團層自組裝膜之改質劑，該改質劑是由金屬化合物MX以及酸性溶液按預定濃度比例混合而成。所述金屬化合物MX，M可為一價或多價金屬陽離子之擇一，X為Cl-、NO3-、Br-、ClO4-之擇一。酸性溶液NZ，N可為H+，Z可為Cl-、SO42-、NO3-、CH3COO-之擇一。金屬化合物濃度為0.1-0.5M，酸性溶液濃度為0.1-0.5M，pH值為1-4。透過改質劑將基板表面之矽烷基團層的分子團聚現象完全消除，降低矽烷基團層的表面粗燥度，使矽烷基團層表面平坦-緻密-均勻(簡稱優化)。可在優化之矽烷基團層的末端官能基上導入並構築功能性薄膜(單層膜或多層膜)，據以改質該基板的表面。
简体摘要：一种硅烷基团层自组装膜之改质剂，该改质剂是由金属化合物MX以及酸性溶液按预定浓度比例混合而成。所述金属化合物MX，M可为一价或多价金属阳离子之择一，X为Cl-、NO3-、Br-、ClO4-之择一。酸性溶液NZ，N可为H+，Z可为Cl-、SO42-、NO3-、CH3COO-之择一。金属化合物浓度为0.1-0.5M，酸性溶液浓度为0.1-0.5M，pH值为1-4。透过改质剂将基板表面之硅烷基团层的分子团聚现象完全消除，降低硅烷基团层的表面粗燥度，使硅烷基团层表面平坦-致密-均匀(简称优化)。可在优化之硅烷基团层的末端官能基上导入并构筑功能性薄膜(单层膜或多层膜)，据以改质该基板的表面。

63. 发明专利

TW201512374A 氧化鉭膜之去除方法及去除裝置审中-公开
简体标题：氧化钽膜之去除方法及去除设备
公开(公告)号：TW201512374A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103120508
申请日：2014-06-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：土橋和也 , DOBASHI, KAZUYA , 萩原亮人 , HAGIWARA, AKIHITO
IPC分类号： C09K13/04 , B08B3/08 , B08B1/04 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/0206 , H01L21/0209 , H01L21/31111 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/68764
摘要：一邊使存在有氧化鉭膜(10)之矽基板(W)保持於旋轉夾盤(3)，且使旋轉夾盤(3)與矽基板(W)旋轉，一邊對矽基板(W)供給包含氫氟酸與有機酸的混合水溶液。藉此，含有氫氟酸與有機酸之混合水溶液會與氧化鉭膜(10)接觸，且藉由該些化學反應去除氧化鉭膜(10)。
简体摘要：一边使存在有氧化钽膜(10)之硅基板(W)保持于旋转夹盘(3)，且使旋转夹盘(3)与硅基板(W)旋转，一边对硅基板(W)供给包含氢氟酸与有机酸的混合水溶液。借此，含有氢氟酸与有机酸之混合水溶液会与氧化钽膜(10)接触，且借由该些化学反应去除氧化钽膜(10)。

64. 发明专利

TW201431793A 使用改良的陽極，在強硫酸中電解產生三價錳離子审中-公开
简体标题：使用改良的阳极，在强硫酸中电解产生三价锰离子
公开(公告)号：TW201431793A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102140858
申请日：2013-11-11
申请人：麥克達米德尖端股份有限公司 , MACDERMID ACUMEN, INC.
发明人：皮爾遜特沃 , PEARSON, TREVOR , 克拉克泰倫斯 , CLARKE, TERENCE , 查帕內里羅山V , CHAPANERI, ROSHAN V.
IPC分类号： C01G45/00 , C09K13/04 , H01M4/14 , H01M10/06
CPC分类号： C25B11/02 , C23C18/1653 , C23C18/24 , C25B1/21 , C25B11/03 , C25B11/12
摘要：本發明描述一種電解電池及在該電解電池中將錳(II)離子電化學氧化成錳(III)離子的方法。該電解電池包含(1)錳(II)離子的電解質溶液，其係在9至15莫耳濃度的硫酸溶液中；(2)陰極，其係沈浸在該電解質溶液中；及(3)陽極，其係沈浸在該電解質溶液中且與該陰極間隔開。本發明已描述多種陽極材料，包括玻璃碳、網狀玻璃碳及編織碳纖維。
简体摘要：本发明描述一种电解电池及在该电解电池中将锰(II)离子电化学氧化成锰(III)离子的方法。该电解电池包含(1)锰(II)离子的电解质溶液，其系在9至15莫耳浓度的硫酸溶液中；(2)阴极，其系沈浸在该电解质溶液中；及(3)阳极，其系沈浸在该电解质溶液中且与该阴极间隔开。本发明已描述多种阳极材料，包括玻璃碳、网状玻璃碳及编织碳纤维。

65. 发明专利

TW201400592A 光活化之蝕刻膏及其用途审中-公开
简体标题：光活化之蚀刻膏及其用途
公开(公告)号：TW201400592A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102119627
申请日：2013-06-03
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：中野渡旬 , NAKANOWATARI, JUN , 後藤智久 , GOTO, TOMOHISA
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/06 , H01B13/0006 , H01B13/003 , H01L31/1888 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種蝕刻置放於可撓性聚合物基板、硬質基板(如玻璃或矽晶圓)上之透明導電氧化物層之改良方法，該方法包含使用經照射活化之新型蝕刻膏。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻置放于可挠性聚合物基板、硬质基板(如玻璃或硅晶圆)上之透明导电氧化物层之改良方法，该方法包含使用经照射活化之新型蚀刻膏。

66. 发明专利

TW201317410A 於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用审中-公开
简体标题：于氮化镓上制作氧化锌之方法与其应用
公开(公告)号：TW201317410A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100139671
申请日：2011-10-31
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林清富 , LIN, CHING FUH , 古竣偉 , KU, CHUN WEI
IPC分类号： C30B29/16 , C30B29/40 , H01L33/32 , C09K13/04
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02554 , H01L21/02628 , H01L33/0079 , H01L33/0087 , H01L33/28
摘要：本發明提供一種於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用，特別是有關一種利用水熱法於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與應用氧化鋅回收基板的方法。
简体摘要：本发明提供一种于氮化镓上制作氧化锌之方法与其应用，特别是有关一种利用水热法于氮化镓上制作氧化锌之方法与应用氧化锌回收基板的方法。

67. 发明专利

TW201311867A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201311867A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101118991
申请日：2012-05-28
申请人：林純藥工業股份有限公司 , HAYASHI PURE CHEMICAL IND, LTD.
发明人：勇謙司 , ISAMI, KENJI , 中村法廣 , NAKAMURA, NORIHIRO , 木村真弓 , KIMURA, MAYUMI , 田湖次廣 , TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/306 , H01L33/22
CPC分类号： H01L21/30612 , H01L33/22
摘要：本發明之蝕刻液組成物，其係使蝕刻對象物之表面蝕刻，形成凹凸形狀之蝕刻液組成物，含有選自由有機酸、有機酸鹽、無機酸、無機酸鹽、螯合劑、界面活性劑、糖醇類、苯酚類、唑類、及雜環化合物所成群中之至少一種、醋酸、氟化氫酸、與硝酸。
简体摘要：本发明之蚀刻液组成物，其系使蚀刻对象物之表面蚀刻，形成凹凸形状之蚀刻液组成物，含有选自由有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐、螯合剂、界面活性剂、糖醇类、苯酚类、唑类、及杂环化合物所成群中之至少一种、醋酸、氟化氢酸、与硝酸。

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