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61. 发明专利

TW201635606A 電阻式記憶體單元及其前驅物、電阻式記憶體單元及其前驅物的製作方法、和包含電阻式記憶體單元及其前驅物的裝置审中-公开
简体标题：电阻式内存单元及其前驱物、电阻式内存单元及其前驱物的制作方法、和包含电阻式内存单元及其前驱物的设备
公开(公告)号：TW201635606A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138555
申请日：2015-11-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：穆可吉尼洛依 , MUKHERJEE, NILOY , 皮拉瑞斯提拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 馬吉普瑞斯韓特 , MAJHI, PRASHANT , 亞奇萊恩 , ARCH, RYAN E. , 坎恩馬克斯 , KUHN, MARKUS , 卡波夫艾利潔 , KARPOV, ELIJAH V. , 歐固茲肯恩 , OGUZ, KAAN , 道爾布萊恩 , DOYLE, BRIAN S. , 沙烏戴 , SHAH, UDAY , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S. , 劉慧英 , LIU, HUIYING , 布克曼賈斯汀 , BROCKMAN, JUSTIN S.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L45/1633 , H01L45/08 , H01L45/126 , H01L45/145 , H01L45/1608 , H01L45/1616
摘要：揭示電阻式記憶體單元、其前驅物、及電阻式記憶體單元的製作方法。在某些實施例中，選擇性地不使用氧交換層，電阻式記憶體單元由包含切換層前驅物的電阻式記憶體前驅物所形成，切換層前驅物含有以受控分佈形式存在於其中的多個氧空位。在這些或其它實施例中，所述之電阻式記憶體前驅物包含形成於切換層前驅物上的第二電極，其中，第二電極包含導電但實質上不與氧起反應的第二電極材料。也揭示包含電阻式記憶體單元的裝置。
简体摘要：揭示电阻式内存单元、其前驱物、及电阻式内存单元的制作方法。在某些实施例中，选择性地不使用氧交换层，电阻式内存单元由包含切换层前驱物的电阻式内存前驱物所形成，切换层前驱物含有以受控分布形式存在于其中的多个氧空位。在这些或其它实施例中，所述之电阻式内存前驱物包含形成于切换层前驱物上的第二电极，其中，第二电极包含导电但实质上不与氧起反应的第二电极材料。也揭示包含电阻式内存单元的设备。

62. 发明专利

TW201633579A 具有用於經減少之導電路徑區域／經增強之電場之間隔物區域之電阻式記憶體單元审中-公开
简体标题：具有用于经减少之导电路径区域／经增强之电场之间隔物区域之电阻式内存单元
公开(公告)号：TW201633579A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139485
申请日：2015-11-26
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：菲思特保羅 , FEST, PAUL
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要：本發明提供一種形成一電阻式記憶體單元(例如導電橋接隨機存取記憶體(CBRAM)或電阻式隨機存取記憶體(ReRAM))之方法，其包含：形成一底部電極層；形成該底部電極之一曝露區域之氧化物區域；移除接近於該氧化物區域之該底部電極層之一區域以形成具有一尖頭或邊緣區域之一底部電極。一電絕緣微型間隔物區域形成於該底部電極相鄰處，且一電解質區域及頂部電極形成於該底部電極及(若干)微型間隔物元件上以界定一記憶體元件。該記憶體元件界定自該底部電極尖頭區域經由該電解質區域而至該頂部電極之一導電細絲/空位鏈路徑。該等微型間隔物元件減少該導電細絲/空位鏈路徑之有效區域或「限制區」，其可改良裝置特性且可提供依靠經增強之電場力之技術之一改良。
简体摘要：本发明提供一种形成一电阻式内存单元(例如导电桥接随机存取内存(CBRAM)或电阻式随机存取内存(ReRAM))之方法，其包含：形成一底部电极层；形成该底部电极之一曝露区域之氧化物区域；移除接近于该氧化物区域之该底部电极层之一区域以形成具有一尖头或边缘区域之一底部电极。一电绝缘微型间隔物区域形成于该底部电极相邻处，且一电解质区域及顶部电极形成于该底部电极及(若干)微型间隔物组件上以界定一内存组件。该内存组件界定自该底部电极尖头区域经由该电解质区域而至该顶部电极之一导电细丝/空位链路径。该等微型间隔物组件减少该导电细丝/空位链路径之有效区域或“限制区”，其可改良设备特性且可提供依靠经增强之电场力之技术之一改良。

63. 发明专利

TWI548127B 電阻式隨機存取記憶體有权
简体标题：电阻式随机存取内存
公开(公告)号：TWI548127B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103132461
申请日：2014-09-19
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：張碩哲 , CHANG, SHUO CHE
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00 , H01B5/14
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146

64. 发明专利

TWI545816B 儲存裝置及儲存單元有权
简体标题：存储设备及存储单元
公开(公告)号：TWI545816B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW102119256
申请日：2013-05-31
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：清宏彰 , SEI, HIROAKI , 大場和博 , OHBA, KAZUHIRO , 曾根威之 , SONE, TAKEYUKI , 五十嵐實 , IKARASHI, MINORU
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239 , G11C13/00
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146

65. 发明专利

TWI545729B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI545729B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW102106468
申请日：2013-02-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：馬場康幸 , BABA, YASUYUKI
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/49844 , H01L27/0207 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

66. 发明专利

TW201626612A 具有金屬保護層之可變電阻式記憶體製程审中-公开
简体标题：具有金属保护层之可变电阻式内存制程
公开(公告)号：TW201626612A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104109448
申请日：2015-03-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：李峰旻 , LEE, FENG-MIN , 賴二琨 , LAI, ERH-KUN , 林昱佑 , LIN, YU-YU
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675
摘要：在此敘述基於金屬氧化物之記憶體裝置以及其製造方法。一種記憶胞的製造方法包括：於一存取裝置上形成一絕緣層，其次是形成通過絕緣層之通孔以暴露第一存取裝置端子以及第二存取裝置端子。接著形成延伸通過通孔的第一層間導體以及第二層間導體。氧化層間導體之上表面以形成氧化層。位於第一層間導體上的氧化層形成一記憶層。於絕緣層之頂部上形成覆蓋氧化層的一保護金屬層。圖案化並蝕刻保護金屬層以形成覆蓋記憶層之一頂電極層。移除第二層間導體上之氧化層。接著分別形成平行之第一存取線路以及第二存取線路於頂電極層上以及第二層間導體上。
简体摘要：在此叙述基于金属氧化物之内存设备以及其制造方法。一种记忆胞的制造方法包括：于一存取设备上形成一绝缘层，其次是形成通过绝缘层之通孔以暴露第一存取设备端子以及第二存取设备端子。接着形成延伸通过通孔的第一层间导体以及第二层间导体。氧化层间导体之上表面以形成氧化层。位于第一层间导体上的氧化层形成一记忆层。于绝缘层之顶部上形成覆盖氧化层的一保护金属层。图案化并蚀刻保护金属层以形成覆盖记忆层之一顶电极层。移除第二层间导体上之氧化层。接着分别形成平行之第一存取线路以及第二存取线路于顶电极层上以及第二层间导体上。

67. 发明专利

TWI536546B 具有選擇裝置之三維記憶體陣列有权
简体标题：具有选择设备之三维内存数组
公开(公告)号：TWI536546B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103120227
申请日：2014-06-11
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉瑪斯瓦米 D V 尼爾摩 , RAMASWAMY, D. V. NIRMAL , 西利士史考特E , SILLS, SCOTT E. , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/249 , H01L27/11578 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146

68. 发明专利

TWI534992B 具電阻性元件的非揮發性記憶體與晶胞結構及其製作方法有权
简体标题：具电阻性组件的非挥发性内存与晶胞结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI534992B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103111771
申请日：2014-03-28
申请人：林崇榮 , LIN, CHRONG JUNG
发明人：林崇榮 , LIN, CHRONG JUNG
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C13/00
CPC分类号： H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16

69. 发明专利

TWI529988B 具有摻雜物來源之憶阻器結構有权
简体标题：具有掺杂物来源之忆阻器结构
公开(公告)号：TWI529988B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101126023
申请日：2012-07-19
申请人：惠普發展公司有限責任合夥企業 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P.
发明人：張敏先 , ZHANG, MINXIAN MAX , 楊錦華 , YANG, JIANHUA , 威廉斯 R 史丹利 , WILLIAMS, R. STANLEY
IPC分类号： H01L47/00 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1658 , G11C13/0007 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147

70. 发明专利

TWI525798B 導電氧化物隨機存取記憶體單元及其製造方法有权
简体标题：导电氧化物随机存取内存单元及其制造方法
公开(公告)号：TWI525798B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW103121021
申请日：2014-06-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：卡波夫艾利潔 , KARPOV, ELIJAH V. , 道爾布萊恩 , DOYLE, BRIAN S. , 沙烏戴 , SHAH, UDAY , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S.
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266

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