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61. 发明专利

TW511113B 使用高亮度及低發射離子源之離子佈植、加減速傳輸系統和改良型離子源結構失效
简体标题：使用高亮度及低发射离子源之离子布植、加减速传输系统和改良型离子源结构
公开(公告)号：TW511113B
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：TW090114290
申请日：2001-06-13
申请人：森姆配備公司
发明人：湯瑪斯尼爾赫爾斯基 , 布萊恩C 柯漢 , 韋德A 克魯而 , 小喬治 P 沙可
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J27/205 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/0812 , H01J2237/082 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705 , H01L21/26513 , H01L29/6659
摘要：一種藉由電離分子之氣體或蒸汽沿一主軸產生高亮度離子束之離子佈植方法，該分子至少包括一種可佈植種類，該方法步驟包括：提供一具有大小限制出口孔徑之電離室，於該電離室中提供一壓力使該氣體或蒸汽之壓力更大於汲取區壓力，該汲取區係由電離室中之離子被抽出後所進入之空間；利用主電子藉由電子撞擊游離法，於電離室出口孔徑鄰近處電離該氣體或蒸汽，於孔徑處產生離子密度至少係1010cm-3，同時控制離子橫向動能小於0.7eV；離子密度產生之孔徑鄰近處之電離容積寬度，該寬度小於三倍之相對出口孔徑寬度；控制電離室內條件避免輝光放電(arc discharge)之發生；藉由一汲取系統，將於電離室生成之離子經由出口孔徑由電離室汲取至末端之汲取區；之後，利用離子束光學系統將該光束移動至一標的表面；以及將送達之離子束佈植於標的上，也顯示出結合一電子撞擊離子源與一離子佈植離子束線實行離子加速隨後之離子減速；離子源產生延伸長度之帶離子束；離子源實行縱軸電子束沿著一狹縫狀離子汲取孔徑之長度指向，且片狀電子束朝孔徑指向。藉離子佈植技術形成半導體裝置之改良技術，以十硼烷離子來摻雜平面顯示器；及改良電子槍透鏡組合達到有效透鏡冷卻溫度平衡。
简体摘要：一种借由电离分子之气体或蒸汽沿一主轴产生高亮度离子束之离子布植方法，该分子至少包括一种可布植种类，该方法步骤包括：提供一具有大小限制出口孔径之电离室，于该电离室中提供一压力使该气体或蒸汽之压力更大于汲取区压力，该汲取区系由电离室中之离子被抽出后所进入之空间；利用主电子借由电子撞击游离法，于电离室出口孔径邻近处电离该气体或蒸汽，于孔径处产生离子密度至少系1010cm-3，同时控制离子横向动能小于0.7eV；离子密度产生之孔径邻近处之电离容积宽度，该宽度小于三倍之相对出口孔径宽度；控制电离室内条件避免辉光放电(arc discharge)之发生；借由一汲取系统，将于电离室生成之离子经由出口孔径由电离室汲取至末端之汲取区；之后，利用离子束光学系统将该光束移动至一标的表面；以及将送达之离子束布植于标的上，也显示出结合一电子撞击离子源与一离子布植离子束线实行离子加速随后之离子减速；离子源产生延伸长度之带离子束；离子源实行纵轴电子束沿着一狭缝状离子汲取孔径之长度指向，且片状电子束朝孔径指向。藉离子布植技术形成半导体设备之改良技术，以十硼烷离子来掺杂平面显示器；及改良电子枪透镜组合达到有效透镜冷却温度平衡。

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