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61. 发明专利

TW201320315A 光電模組及其製造方法以及包含其的設備與裝置审中-公开
简体标题：光电模块及其制造方法以及包含其的设备与设备
公开(公告)号：TW201320315A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101125647
申请日：2012-07-17
申请人：海特根微光學公司 , HEPTAGON MICRO OPTICS PTE. LTD.
发明人：盧德曼哈馬特 , RUDMANN, HARTMUT , 羅西馬克思 , ROSSI, MARKUS
IPC分类号： H01L27/14 , H01L25/04
CPC分类号： H01L31/16 , B29D11/00298 , B29D11/00307 , G01J1/0209 , G01J1/0233 , G01J1/0271 , G01J1/0411 , G01J1/06 , G01J1/42 , G01J5/00 , G01J5/022 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/0265 , G01J5/045 , G01J5/0806 , G01J5/20 , G01J2001/061 , G02B3/0031 , G02B3/0056 , G02B13/0085 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14687 , H01L31/02325 , H01L31/167 , H01L2924/0002 , Y10T29/49002 , H01L2924/00
摘要：一種用以製造光電模組(1)的方法，包含：a)設置其上配置多個偵測構件(D)的基板晶圓(PW)；b)設置間隔晶圓(SW)；c)設置光學晶圓(OW)，該光學晶圓包含對該等偵測構件通常可偵測的光而言可穿透之多個透明部分(t)、以及用以實質上衰減或阻擋該等偵測構件通常可偵測的入射光之至少一個阻擋部分(b)；及d)備製晶圓堆疊(2)，在該晶圓堆疊中該間隔晶圓(SW)被配置於該基板晶圓(PW)與該光學晶圓(OW)之間，使得該等偵測構件(D)被配置於該基板晶圓與該光學晶圓之間。較佳地，用以發射該等偵測構件(D)通常可偵測的光之多個發射構件(E)被配置於該基板晶圓(PW)上，使得多個鄰近的發射構件與偵測構件係出現於該基板晶圓上。單一模組(1)可藉由分離該晶圓堆疊(2)而成為多個個別模組(1)來加以獲得。
简体摘要：一种用以制造光电模块(1)的方法，包含：a)设置其上配置多个侦测构件(D)的基板晶圆(PW)；b)设置间隔晶圆(SW)；c)设置光学晶圆(OW)，该光学晶圆包含对该等侦测构件通常可侦测的光而言可穿透之多个透明部分(t)、以及用以实质上衰减或阻挡该等侦测构件通常可侦测的入射光之至少一个阻挡部分(b)；及d)备制晶圆堆栈(2)，在该晶圆堆栈中该间隔晶圆(SW)被配置于该基板晶圆(PW)与该光学晶圆(OW)之间，使得该等侦测构件(D)被配置于该基板晶圆与该光学晶圆之间。较佳地，用以发射该等侦测构件(D)通常可侦测的光之多个发射构件(E)被配置于该基板晶圆(PW)上，使得多个邻近的发射构件与侦测构件系出现于该基板晶圆上。单一模块(1)可借由分离该晶圆堆栈(2)而成为多个个别模块(1)来加以获得。

62. 发明专利

TW201303272A 紅外線感應器审中-公开
简体标题：红外线感应器
公开(公告)号：TW201303272A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101110805
申请日：2012-03-28
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：中村賢藏 , NAKAMURA, KENZO , 石川元貴 , ISHIKAWA, MOTOTAKA , 魚住學司 , UOZUMI, GAKUJI
IPC分类号： G01J1/02 , G01J5/02 , H01L37/02
CPC分类号： G01J5/10 , G01J5/0215 , G01J5/20 , G01J2005/067 , H01L37/02
摘要：本發明提供一種，輕量且立設在基板上可以充足的支撐強度容易安裝的紅外線感應器。具備有：絕緣性薄膜(2)；在該絕緣性薄膜(2)的一方的面相互分開而設的第1感熱素子(3A)及第2感熱素子(3B)；被形成在絕緣性薄膜(2)的一方的面且連接於第1感熱素子(3A)的導電性的第1配線膜(4A)及連接於第2感熱素子(3B)的導電性的第2配線膜(4B)；與第2感熱素子(3B)對向被設在絕緣性薄膜(2)的另一方的面的紅外線反射膜(6)，且具備有：形成有與感應部對應的感應部用窗部(8a)，被黏貼於絕緣性薄膜的補強板(8)；以及連接於第1配線膜及第2配線膜，被形成在絕緣性薄膜的端部且可嵌入連接器的第1端子電極(7A)及第2端子電極(7B)。
简体摘要：本发明提供一种，轻量且立设在基板上可以充足的支撑强度容易安装的红外线感应器。具备有：绝缘性薄膜(2)；在该绝缘性薄膜(2)的一方的面相互分开而设的第1感热素子(3A)及第2感热素子(3B)；被形成在绝缘性薄膜(2)的一方的面且连接于第1感热素子(3A)的导电性的第1配线膜(4A)及连接于第2感热素子(3B)的导电性的第2配线膜(4B)；与第2感热素子(3B)对向被设在绝缘性薄膜(2)的另一方的面的红外线反射膜(6)，且具备有：形成有与感应部对应的感应部用窗部(8a)，被黏贴于绝缘性薄膜的补强板(8)；以及连接于第1配线膜及第2配线膜，被形成在绝缘性薄膜的端部且可嵌入连接器的第1端子电极(7A)及第2端子电极(7B)。

63. 发明专利

TWI370554B 紅外線接受器晶片 INFRARED RECEIVER CHIP 失效
简体标题：红外线接受器芯片 INFRARED RECEIVER CHIP
公开(公告)号：TWI370554B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW094105700
申请日：2005-02-25
申请人：艾特美爾德國公司
发明人：庫茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0203 , G01J5/02 , G01J5/025 , G01J5/20 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要：本發明係關於一種紅外線接受器晶片，供加設於紅外線接受模組之標準化導框，有複數接觸面積，供經由結合線連接導框的指定功能位置，至少一接觸面積係與紅外線接受器晶片的周緣隔開，其方式是使全部接觸面積位於彼此相對關係，讓各結合線於紅外線接受器晶片加設於任何標準化導框內時，不會交叉，好讓結合線從分別指定的接觸面積，直接進行到相對應指定功能位置。
简体摘要：本发明系关于一种红外线接受器芯片，供加设于红外线接受模块之标准化导框，有复数接触面积，供经由结合线连接导框的指定功能位置，至少一接触面积系与红外线接受器芯片的周缘隔开，其方式是使全部接触面积位于彼此相对关系，让各结合线于红外线接受器芯片加设于任何标准化导框内时，不会交叉，好让结合线从分别指定的接触面积，直接进行到相对应指定功能位置。

64. 发明专利

TW201144778A 兆赫波檢測器及其製造方法审中-公开
简体标题：兆赫波检测器及其制造方法
公开(公告)号：TW201144778A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100112678
申请日：2011-04-12
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木順 , 石原正敏 , 尾島史一 , 北浦隆介 , 山崎理弘
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/20 , G01J3/42 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/0837
摘要：本發明之兆赫波檢測器1包含:以形成內部空間2的方式相互接合之基板3及基板4;形成於基板3上,接收兆赫波並轉換成電流之天線本體11;在內部空間2中經由空隙被支持於基板4上之絕緣膜12;形成於絕緣膜12之一面12a,對應於由天線本體11轉換之電流而產生熱之電阻膜13;形成於絕緣膜12之另一面12b,且電阻値對應於由電阻膜13產生之熱而變化之輻射熱計膜14;形成於基板4,與天線本體11及電阻膜13電性連接,以便將電流從天線本體11供給至電阻膜13之天線配線15;及形成於基板4,與輻射熱計膜14電性連接,以便獲取對應於電阻値之信號之輻射熱計配線16。
简体摘要：本发明之兆赫波检测器1包含:以形成内部空间2的方式相互接合之基板3及基板4;形成于基板3上,接收兆赫波并转换成电流之天线本体11;在内部空间2中经由空隙被支持于基板4上之绝缘膜12;形成于绝缘膜12之一面12a,对应于由天线本体11转换之电流而产生热之电阻膜13;形成于绝缘膜12之另一面12b,且电阻値对应于由电阻膜13产生之热而变化之辐射热计膜14;形成于基板4,与天线本体11及电阻膜13电性连接,以便将电流从天线本体11供给至电阻膜13之天线配线15;及形成于基板4,与辐射热计膜14电性连接,以便获取对应于电阻値之信号之辐射热计配线16。

65. 发明专利

TW201143057A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器 MANUFACTURING NANOWIRE PHOTO-DETECTOR GROWN ON A BACK-SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR 审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器 MANUFACTURING NANOWIRE PHOTO-DETECTOR GROWN ON A BACK-SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW201143057A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099142977
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：狄恩彼得 , 兪榮濬 , 伍伯慕尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法,該裝置包括:一基板,其具有一前側及一背側;一奈米線,其安置於該背側上;及一影像感測電路,其安置於該前側上,其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法,该设备包括:一基板,其具有一前侧及一背侧;一奈米线,其安置于该背侧上;及一影像传感电路,其安置于该前侧上,其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

66. 发明专利

TW201013942A 紅外線感測器审中-公开
简体标题：红外线传感器
公开(公告)号：TW201013942A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098132567
申请日：2009-09-25
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：辻幸司 , 萩原洋右 , 牛山直樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14692 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/0846 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種紅外線感測器，具備形成於基部之一表面側的紅外線檢測元件。該紅外線檢測元件具備用以吸收紅外線之薄膜狀紅外線吸收體、以及用以檢測紅外線吸收體與基部之溫度差的感溫體。該感溫體具有形成為跨越紅外線吸收體與基部之ｐ型多晶矽層及ｎ型多晶矽層、以及在紅外線吸收體上將ｐ型多晶矽層與ｎ型多晶矽層予以電性連接之連接層。ｐ型多晶矽層及ｎ型多晶矽層各自之雜質濃度係１０１８～１０２０ｃｍ -３。在以紅外線檢測元件所檢測之紅外線的中心波長為λ，以ｐ型多晶矽層之折射率為ｎ１ｐ時，ｐ型多晶矽層之厚度係λ／４ｎ１ｐ。在以ｎ型多晶矽層之折射率為ｎ１ｎ時，ｎ型多晶矽層之厚度係λ／４ｎ１ｎ。
简体摘要：一种红外线传感器，具备形成于基部之一表面侧的红外线检测组件。该红外线检测组件具备用以吸收红外线之薄膜状红外线吸收体、以及用以检测红外线吸收体与基部之温度差的感温体。该感温体具有形成为跨越红外线吸收体与基部之ｐ型多晶硅层及ｎ型多晶硅层、以及在红外线吸收体上将ｐ型多晶硅层与ｎ型多晶硅层予以电性连接之连接层。ｐ型多晶硅层及ｎ型多晶硅层各自之杂质浓度系１０１８～１０２０ｃｍ -３。在以红外线检测组件所检测之红外线的中心波长为λ，以ｐ型多晶硅层之折射率为ｎ１ｐ时，ｐ型多晶硅层之厚度系λ／４ｎ１ｐ。在以ｎ型多晶硅层之折射率为ｎ１ｎ时，ｎ型多晶硅层之厚度系λ／４ｎ１ｎ。

67. 发明专利

TW201013892A 紅外線感測器失效
简体标题：红外线传感器
公开(公告)号：TW201013892A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098132569
申请日：2009-09-25
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：辻幸司 , 萩原洋右 , 牛山直樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14649 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/0846 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L27/14692 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：紅外線感測器包含有基底及形成於基底之一表面側的紅外線檢測元件，紅外線檢測元件包含有：吸收紅外線且呈薄膜狀之紅外線吸收體；檢測紅外線吸收體與基底之溫度差的感溫體；及補償膜。紅外線吸收體係配置於基底之前述表面側，且在與基底間具有熱絕緣用之間隙。感溫體具備：ｐ型聚矽層及ｎ型聚矽層，其形成為橫跨紅外線吸收體與基底；及連接層，其於紅外線吸收體上將ｐ型聚矽層與ｎ型聚矽層電連接。補償膜係聚矽膜，其於屬於紅外線吸收體中的基底之相對側面之紅外線入射面上，形成為覆蓋該紅外線入射面。
简体摘要：红外线传感器包含有基底及形成于基底之一表面侧的红外线检测组件，红外线检测组件包含有：吸收红外线且呈薄膜状之红外线吸收体；检测红外线吸收体与基底之温度差的感温体；及补偿膜。红外线吸收体系配置于基底之前述表面侧，且在与基底间具有热绝缘用之间隙。感温体具备：ｐ型聚硅层及ｎ型聚硅层，其形成为横跨红外线吸收体与基底；及连接层，其于红外线吸收体上将ｐ型聚硅层与ｎ型聚硅层电连接。补偿膜系聚硅膜，其于属于红外线吸收体中的基底之相对侧面之红外线入射面上，形成为覆盖该红外线入射面。

68. 发明专利

TW200842330A 利用減低發射率及光學腔室耦合之超出標準輻射雜訊限制的偵測 DETECTION BEYOND THE STANDARD RADIATION NOISE LIMIT USING REDUCED EMISSIVITY AND OPTICAL CAVITY COUPLING 审中-公开
简体标题：利用减低发射率及光学腔室耦合之超出标准辐射噪声限制的侦测 DETECTION BEYOND THE STANDARD RADIATION NOISE LIMIT USING REDUCED EMISSIVITY AND OPTICAL CAVITY COUPLING
公开(公告)号：TW200842330A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096146943
申请日：2007-12-07
申请人：美國明尼蘇達大學評議委員會 REGENTS OF THE UNVIERSITY OF MINNESOTA
发明人：約瑟夫J 塔吉哈德 TALGHADER, JOSEPH J.
IPC分类号： G01J , G01K
CPC分类号： G01J5/20 , A61B17/00234 , A61B17/205 , A61B17/3478 , A61B2017/00247 , A61B2017/00876 , A61B2017/2936 , A61B2017/2943 , A61B2017/306 , A61B2018/00392 , A61B2090/034 , A61M5/32 , A61M2025/0086 , A61M2025/0087 , G01J5/061
摘要：本發明提供一種熱偵測器,其具有一經優化以將光耦合至一感測器內之光學腔室。共振光以高達100%之效率與該感測器耦合,同時非共振光被大致反射開。因該感測器之減低的吸收特性,自各側面(亦即,非在該光學腔室軸上)撞擊該感測器之光僅最低限度地與感測器交互作用。根據本發明之窄頻帶感測器可自一個方向及光譜頻帶獲得高達100%的信號,同時僅接收一部分源自所有光譜頻帶及方向的法線方向輻射雜訊。
简体摘要：本发明提供一种热侦测器,其具有一经优化以将光耦合至一传感器内之光学腔室。共振光以高达100%之效率与该传感器耦合,同时非共振光被大致反射开。因该传感器之减低的吸收特性,自各侧面(亦即,非在该光学腔室轴上)撞击该传感器之光仅最低限度地与传感器交互作用。根据本发明之窄频带传感器可自一个方向及光谱频带获得高达100%的信号,同时仅接收一部分源自所有光谱频带及方向的法线方向辐射噪声。

69. 发明专利

TWI261934B 紅外線感測積體電路、紅外線感測器及其製造方法有权
简体标题：红外线传感集成电路、红外线传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI261934B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW093127417
申请日：2004-09-09
申请人：旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
发明人：上之康一郎 UENO, KOICHIRO , 久世直洋 KUZE, NAOHIRO , 森安嘉貴 MORIYASU, YOSHITAKA , 永瀨和宏 NAGASE, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , G01J1/02 , G01J1/0204 , G01J5/02 , G01J5/0215 , G01J5/04 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2001/0276 , H01L31/1035 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：提供尺寸極為小，不易受到電磁雜訊或熱波動之影響的紅外線感測積體電路，紅外線感測器及其之製造方法，將元件電阻小、電子移動度大的化合物半導體使用為感測部(2)，將化合物半導體感測部(2)與處理來自化合物半導體感測部(2)之電氣訊號，而進行運算之積體電路部(3)混合形成在同一封裝內，藉此，可以實現目前為止並不存在之小型、以簡易之封裝可在室溫動作之紅外線感測積體電路。
简体摘要：提供尺寸极为小，不易受到电磁噪声或热波动之影响的红外线传感集成电路，红外线传感器及其之制造方法，将组件电阻小、电子移动度大的化合物半导体使用为传感部(2)，将化合物半导体传感部(2)与处理来自化合物半导体传感部(2)之电气信号，而进行运算之集成电路部(3)混合形成在同一封装内，借此，可以实现目前为止并不存在之小型、以简易之封装可在室温动作之红外线传感集成电路。

70. 发明专利

TW200628768A 用於超靈敏矽感測器之聚焦面天線與感測器介面 FOCAL PLANE ANTENNA TO SENSOR INTERFACE FOR AN ULTRA-SENSITIVE SILICON SENSOR 审中-公开
简体标题：用于超灵敏硅传感器之聚焦面天线与传感器界面 FOCAL PLANE ANTENNA TO SENSOR INTERFACE FOR AN ULTRA-SENSITIVE SILICON SENSOR
公开(公告)号：TW200628768A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094134449
申请日：2005-09-30
申请人：諾斯洛普葛魯門公司 NORTHROP GRUMMAN CORPORATION
发明人：拿桑巴司爾 NATHAN BLUZER
IPC分类号： G01J
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/0837 , G01J5/20 , G01J5/22 , G01J5/24 , G01K17/003
摘要：揭示一種一待成像景與一測輻射熱儀型感測器間之電介面。藉由使用包括一透鏡及一天線之熱能聚集器而提高效率。當複數個測輻射熱儀像素位於一陣列中，在陣列之各像素中設置一微天線，而一共同透鏡設置成聚焦及傳送進入輻射至各微天線。來自一景之輻射又藉由使用一透鏡及一微天線，經由一交流(AC)連接電路而連接到各測輻射熱儀之吸收元件，該AC連接電路包括一藉由由正極本質負極(PIN)二極體而實作之電子截波器，改變該PIN二極體之導電性以影響供給通過微天線之輸入信號之反射係數。
简体摘要：揭示一种一待成像景与一测辐射热仪型传感器间之电界面。借由使用包括一透镜及一天线之热能聚集器而提高效率。当复数个测辐射热仪像素位于一数组中，在数组之各像素中设置一微天线，而一共同透镜设置成聚焦及发送进入辐射至各微天线。来自一景之辐射又借由使用一透镜及一微天线，经由一交流(AC)连接电路而连接到各测辐射热仪之吸收组件，该AC连接电路包括一借由由正极本质负极(PIN)二极管而实作之电子截波器，改变该PIN二极管之导电性以影响供给通过微天线之输入信号之反射系数。

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