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61. 发明专利

TW201213576A 濺鍍成膜裝置及防附著構件 SPUTTER FILM FORMING APPARATUS AND DEPOSITION PREVENTING MEMBER 审中-公开
简体标题：溅镀成膜设备及防附着构件 SPUTTER FILM FORMING APPARATUS AND DEPOSITION PREVENTING MEMBER
公开(公告)号：TW201213576A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100121226
申请日：2011-06-17
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：大野哲宏 , 佐藤重光 , 磯部辰德 , 須田具和
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
摘要：提供一種：在成膜處理中而附著物之薄膜並不會剝離的防附著構件、以及具備有該防附著構件之濺鍍成膜裝置。防附著構件251～254、35之材質，係為Al2O3，成膜粒子所附著之附著面的算數平均粗度，係被設為4μm以上10μm以下，而附著膜係變得難以剝離。在濺鍍成膜裝置中，在將靶材211～214之濺鍍面231～234的外周作包圍之位置處、或者是將基板31之成膜面的外周作包圍之位置處，配置防附著構件251～254、35。
简体摘要：提供一种：在成膜处理中而附着物之薄膜并不会剥离的防附着构件、以及具备有该防附着构件之溅镀成膜设备。防附着构件251～254、35之材质，系为Al2O3，成膜粒子所附着之附着面的算数平均粗度，系被设为4μm以上10μm以下，而附着膜系变得难以剥离。在溅镀成膜设备中，在将靶材211～214之溅镀面231～234的外周作包围之位置处、或者是将基板31之成膜面的外周作包围之位置处，配置防附着构件251～254、35。

62. 发明专利

TW201211291A 濺鍍成膜裝置 SPUTTER FILM FORMING APPARATUS 审中-公开
简体标题：溅镀成膜设备 SPUTTER FILM FORMING APPARATUS
公开(公告)号：TW201211291A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100119616
申请日：2011-06-03
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：佐藤重光 , 大野哲宏 , 磯部辰德 , 須田具和
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
摘要：提供一種能夠對於靶材之濺鍍面中的較先前技術而更為廣泛的面積而進行濺鍍之濺鍍成膜裝置。藉由絕緣性之陶瓷，而形成將金屬材料之靶材(211)的濺鍍面(231)之外周作包圍的防附著構件(251)。一面使磁石裝置(261)，在外周磁石(27a1)之外周全體均進入至濺鍍面(231)的外周之內側處的位置、和外周磁石(27a1)之外周的一部份超出濺鍍面(231)的外周之外側處的位置，此兩者的位置間移動，一面對於靶材(211)進行濺鍍。
简体摘要：提供一种能够对于靶材之溅镀面中的较先前技术而更为广泛的面积而进行溅镀之溅镀成膜设备。借由绝缘性之陶瓷，而形成将金属材料之靶材(211)的溅镀面(231)之外周作包围的防附着构件(251)。一面使磁石设备(261)，在外周磁石(27a1)之外周全体均进入至溅镀面(231)的外周之内侧处的位置、和外周磁石(27a1)之外周的一部份超出溅镀面(231)的外周之外侧处的位置，此两者的位置间移动，一面对于靶材(211)进行溅镀。

63. 发明专利

TWI352071B 具有金紅石結構之透明氧化鈦-鋁及／或氧化鋁塗層 TRANSPARENT TITANIUM OXIDE-ALUMINUM AND/OR ALUMINUM OXIDE COATING WITH RUTILE STRUCTURE 有权
简体标题：具有金红石结构之透明氧化钛-铝及／或氧化铝涂层 TRANSPARENT TITANIUM OXIDE-ALUMINUM AND/OR ALUMINUM OXIDE COATING WITH RUTILE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI352071B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW093101611
申请日：2004-01-20
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司
发明人：阿得瑞資 , 麥可飛高 , 波諾亨奇
IPC分类号： C03C
CPC分类号： C03C17/3411 , C03C17/004 , C03C17/005 , C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2217/214 , C03C2218/154 , C23C14/08 , C23C14/352
摘要：本發明係提供一種透明，對溫度穩定，並具有高折射率以及改良之熱和機械性質之基於二氧化鈦之塗層，其包括具有至少一添加物之二氧化鈦，該添加物選自包括了鋁及/或氧化鋁之族，其中在塗層中鋁原子的比例參照於塗層中金屬原子之總數目為從2到40%的範圍中。
简体摘要：本发明系提供一种透明，对温度稳定，并具有高折射率以及改良之热和机械性质之基于二氧化钛之涂层，其包括具有至少一添加物之二氧化钛，该添加物选自包括了铝及/或氧化铝之族，其中在涂层中铝原子的比例参照于涂层中金属原子之总数目为从2到40%的范围中。

64. 发明专利

TWI346143B 濺鍍系統中之平台溫度控制 TEMPERATURE CONTROL OF PALLET IN SPUTTERING SYSTEM 失效
简体标题：溅镀系统中之平台温度控制 TEMPERATURE CONTROL OF PALLET IN SPUTTERING SYSTEM
公开(公告)号：TWI346143B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW095113182
申请日：2006-04-13
申请人：譚格系統公司
发明人：萊維穆拉普迪 , 丹史密斯 , 愛德華史翠卡
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/352 , C23C14/541 , H01J37/32752 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
摘要：在此揭示一種多室處理系統，其用以在一真空室中一次沉積材料在多個工件上(晶圓、顯示器面板或任何其他工件)。該系統包括一濺鍍室及一獨立的預潔淨室，其中晶圓可藉由一機器臂而被傳送於兩室之間而毋需破壞一真空。該等晶圓一次一個地被安裝在該預潔淨室及濺鍍室中之一轉動平台上。該平台被牢固至一位在該濺鍍室中之可轉動台座。在該台座中之銅管件將RF能量耦合至該晶圓，且一運行通過該銅管件之液體控制該等晶圓之溫度。相同或不同材料的多個靶材可在該平台轉動時在該等晶圓上同時沉積材料。在該濺鍍室中之磁電管總成中的多個磁鐵(針對每一靶材提供一個)在其個別的靶材上方振盪，以在該等晶圓上形成均勻一致的侵蝕及形成均勻一致的沉積。一介於每一磁鐵及一靶材之間的電性絕緣的靶材支持片具有一運行穿過其間以控制溫度的液體槽道。在該等磁鐵與該等靶材之間的距離係藉由一薄鋁片而被形成極小，該鋁片係藉由一浸沒硬焊方法而被固定至該靶材支持片之底部區段。在此亦揭示各種不同的屏蔽來防止來自於該等靶材的交互污染且防止濺鍍的靶材材料進入該室中之間隙且短路絕緣體。
简体摘要：在此揭示一种多室处理系统，其用以在一真空室中一次沉积材料在多个工件上(晶圆、显示器皮肤或任何其他工件)。该系统包括一溅镀室及一独立的预洁净室，其中晶圆可借由一机器臂而被发送于两室之间而毋需破坏一真空。该等晶圆一次一个地被安装在该预洁净室及溅镀室中之一转动平台上。该平台被牢固至一位在该溅镀室中之可转动台座。在该台座中之铜管件将RF能量耦合至该晶圆，且一运行通过该铜管件之液体控制该等晶圆之温度。相同或不同材料的多个靶材可在该平台转动时在该等晶圆上同时沉积材料。在该溅镀室中之磁电管总成中的多个磁铁(针对每一靶材提供一个)在其个别的靶材上方振荡，以在该等晶圆上形成均匀一致的侵蚀及形成均匀一致的沉积。一介于每一磁铁及一靶材之间的电性绝缘的靶材支持片具有一运行穿过其间以控制温度的液体槽道。在该等磁铁与该等靶材之间的距离系借由一薄铝片而被形成极小，该铝片系借由一浸没硬焊方法而被固定至该靶材支持片之底部区段。在此亦揭示各种不同的屏蔽来防止来自于该等靶材的交互污染且防止溅镀的靶材材料进入该室中之间隙且短路绝缘体。

65. 发明专利

TWI338721B 含有側靶的濺鍍系統以及對非平面工件濺鍍的方法 A SPUTTERING APPARATUS WITH A SIDE TARGET AND A METHOD FOR SPUTTERING A WORKPIECE HAVING NON-PLANER SURFACES 失效
简体标题：含有侧靶的溅镀系统以及对非平面工件溅镀的方法 A SPUTTERING APPARATUS WITH A SIDE TARGET AND A METHOD FOR SPUTTERING A WORKPIECE HAVING NON-PLANER SURFACES
公开(公告)号：TWI338721B
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：TW098135072
申请日：2009-10-16
申请人：向熙科技股份有限公司
发明人：胡維彥 , 鄭兆希
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3405
摘要：一種濺鍍系統，可用以對表面為非平面的工件進行濺鍍，該濺鍍系統包括：一濺鍍腔體，濺鍍腔體內至少包含：一載具，用以承載工件；一第一濺鍍源，以一第一預定距離與載具相對設置，並與載具平行；及一第二濺鍍源，第二濺鍍源所在平面位置的法線方向與水平方向形成一夾角，傾斜配設於第一濺鍍源的側邊，第二濺鍍源並環繞於第一濺鍍源周圍，用以提供對工件之非平面之結構進行濺鍍。
简体摘要：一种溅镀系统，可用以对表面为非平面的工件进行溅镀，该溅镀系统包括：一溅镀腔体，溅镀腔体内至少包含：一载具，用以承载工件；一第一溅镀源，以一第一预定距离与载具相对设置，并与载具平行；及一第二溅镀源，第二溅镀源所在平面位置的法线方向与水平方向形成一夹角，倾斜配设于第一溅镀源的侧边，第二溅镀源并环绕于第一溅镀源周围，用以提供对工件之非平面之结构进行溅镀。

66. 发明专利

TW201037841A 利用金屬合金改善串聯接合電池之背接觸的ＡＺＯ及ＡＧ之間的附著力 IMPROVE ADHESION BETWEEN AZO AND AG FOR THE BACK CONTACT IN TANDEM JUNCTION CELL BY METAL ALLOY 审中-公开
简体标题：利用金属合金改善串联接合电池之背接触的ＡＺＯ及ＡＧ之间的附着力 IMPROVE ADHESION BETWEEN AZO AND AG FOR THE BACK CONTACT IN TANDEM JUNCTION CELL BY METAL ALLOY
公开(公告)号：TW201037841A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW099106203
申请日：2010-03-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：李憲銘H , 坦諾大衛
IPC分类号： H01L , B32B
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/165 , H01L31/022425 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要：在此提供一種促進反射背層及太陽能電池基材間之附著力的方法。反射背層以使用反射及附著成份之合金的形式形成於導電金屬氧化物層上，附著成份大體上是以低於約5原子百分比的層級存在。在此揭露數種技術，用於沉積變化濃度的反射背層，以在靠近導電金屬氧化物層的附著區域中局部化附著成份。亦揭露數種技術，其用於提高導電金屬氧化物層中的黏結物種以進一步增強附著力。
简体摘要：在此提供一种促进反射背层及太阳能电池基材间之附着力的方法。反射背层以使用反射及附着成份之合金的形式形成于导电金属氧化物层上，附着成份大体上是以低于约5原子百分比的层级存在。在此揭露数种技术，用于沉积变化浓度的反射背层，以在靠近导电金属氧化物层的附着区域中局部化附着成份。亦揭露数种技术，其用于提高导电金属氧化物层中的黏结物种以进一步增强附着力。

67. 发明专利

TW201014148A 雙極脈衝電源及由複數之雙極脈衝電源所成之電源裝置审中-公开
简体标题：双极脉冲电源及由复数之双极脉冲电源所成之电源设备
公开(公告)号：TW201014148A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098117293
申请日：2009-05-25
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：堀下芳邦 , 松原忍 , 小野敦
IPC分类号： H02M , H05H
CPC分类号： H02M7/53871 , C23C14/352 , H02M7/493
摘要：提供一種：能夠對於與噴濺（splash）或是粒子之產生有著直接關連的電弧放電產生時之電流上升作有效的抑制，且在極性反轉時能夠防止過電壓之產生的雙極脈衝電源。具備有由被連接於從直流電力供給源1而來之正負的直流輸出間之切換元件（SW1乃至SW4）所構成的橋接電路（22），並對切換元件之動作作控制，而對於與電漿相接觸之一對的電極，以特定之頻率來進行雙極脈衝狀之輸出。此時，係設置有輸出特性切換電路，其係以於最初之對於前述電極的輸出為具有定電壓特性，而於其後之對於前述電極的輸出為具備有定電流特性的方式，來對前述輸出作切換。
简体摘要：提供一种：能够对于与喷溅（splash）或是粒子之产生有着直接关连的电弧放电产生时之电流上升作有效的抑制，且在极性反转时能够防止过电压之产生的双极脉冲电源。具备有由被连接于从直流电力供给源1而来之正负的直流输出间之切换组件（SW1乃至SW4）所构成的桥接电路（22），并对切换组件之动作作控制，而对于与等离子相接触之一对的电极，以特定之频率来进行双极脉冲状之输出。此时，系设置有输出特性切换电路，其系以于最初之对于前述电极的输出为具有定电压特性，而于其后之对于前述电极的输出为具备有定电流特性的方式，来对前述输出作切换。

68. 发明专利

TW200944608A 形成用於電解質薄膜之濺鍍靶材的方法 METHOD FOR SPUTTER TARGETS FOR ELECTROLYTE FILMS 审中-公开
简体标题：形成用于电解质薄膜之溅镀靶材的方法 METHOD FOR SPUTTER TARGETS FOR ELECTROLYTE FILMS
公开(公告)号：TW200944608A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097149784
申请日：2008-12-19
申请人：英菲尼特電源設備股份有限公司
发明人：紐德克伯恩德J , 懷塔克瑞杰F
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/06 , C23C14/0036 , C23C14/22 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/352 , H01M2/145 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要：提出用於薄膜電解質之替代濺鍍靶材組成或配置，藉此濺鍍靶材材料系統具有足夠的電傳導性以允許使用（脈衝式）DC靶材電力進行濺鍍沉積。在從電傳導性靶材材料系統進行反應性濺鍍沉積之後，電解質薄膜材料得到其所需之電絕緣性及鋰離子傳導特性。
简体摘要：提出用于薄膜电解质之替代溅镀靶材组成或配置，借此溅镀靶材材料系统具有足够的电传导性以允许使用（脉冲式）DC靶材电力进行溅镀沉积。在从电传导性靶材材料系统进行反应性溅镀沉积之后，电解质薄膜材料得到其所需之电绝缘性及锂离子传导特性。

69. 发明专利

TW200925309A 濺鍍方法及濺鍍裝置审中-公开
简体标题：溅镀方法及溅镀设备
公开(公告)号：TW200925309A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097131565
申请日：2008-08-19
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. , 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：磯部辰德 ISOBE, TATSUNORI , 小松孝 KOMATSU, TAKASHI , 佐藤重光 SATOU, SHIGEMITSU , 大空弘樹 OOZORA, HIROKI , 谷口英男 TANIGUCHI, HIDEO , 川口昌男 KAWAGUCHI, MASAO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , C03C17/2453 , C03C2217/231 , C03C2217/948 , C03C2218/155 , C03C2218/156
摘要：【【課題】】提供一種:對起因於處理基板之充電的異常放電之發生作抑制,並對於大面積之處理基板而能夠良好地形成透明導電膜之濺鍍方法。【【解決手段】】對於在濺鍍室12內而與處理基板S相對向且空出有特定之間隔地被並排設置的複數枚標靶41a乃至41h中之分別成對的標靶,以特定之頻率來交互地改變極性而投入電力,來將各標靶交互切換為陽極電極、陰極電極,並在陽極電極以及陰極電極之間使輝光放電產生而形成電漿氛圍,而對各標靶作濺鍍。在濺鍍中,將對於各標靶之電力投入作間歇停止。
简体摘要：【【课题】】提供一种:对起因于处理基板之充电的异常放电之发生作抑制,并对于大面积之处理基板而能够良好地形成透明导电膜之溅镀方法。【【解决手段】】对于在溅镀室12内而与处理基板S相对向且空出有特定之间隔地被并排设置的复数枚标靶41a乃至41h中之分别成对的标靶,以特定之频率来交互地改变极性而投入电力,来将各标靶交互切换为阳极电极、阴极电极,并在阳极电极以及阴极电极之间使辉光放电产生而形成等离子氛围,而对各标靶作溅镀。在溅镀中,将对于各标靶之电力投入作间歇停止。

70. 发明专利

TW200848535A 濺鍍處理裝置及濺鍍處理裝置之使用方法审中-公开
简体标题：溅镀处理设备及溅镀处理设备之使用方法
公开(公告)号：TW200848535A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097111430
申请日：2008-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福森弘司 FUKUMORI, KOJI
IPC分类号： C23C , H05B
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3408
摘要：提供濺鍍處理裝置,其可以提升作業效率及達成資源之使用效率。於濺鍍處理裝置10之處理室100設置:一對靶部105,隔開特定距離以「八」字狀被傾斜配置;及磁場產生手段125,設置於各靶部之背面附近。濺鍍處理裝置10,係藉由滑動移動可動式平台135a、135b,於靶部105之對向空間U之兩側方SL、SH配置不同基板G之狀態下,藉由磁場產生手段125產生磁場進行一對靶部105之濺鍍,於對向空間U之兩側方SL、SH配置之基板G上同時形成膜。於對向空間U之窄小側方SL位置被濺鍍之基板G,係被搬送至搬送室200,於對向空間U之寬廣側方SH位置再度被濺鍍。
简体摘要：提供溅镀处理设备,其可以提升作业效率及达成资源之使用效率。于溅镀处理设备10之处理室100设置:一对靶部105,隔开特定距离以“八”字状被倾斜配置;及磁场产生手段125,设置于各靶部之背面附近。溅镀处理设备10,系借由滑动移动可动式平台135a、135b,于靶部105之对向空间U之两侧方SL、SH配置不同基板G之状态下,借由磁场产生手段125产生磁场进行一对靶部105之溅镀,于对向空间U之两侧方SL、SH配置之基板G上同时形成膜。于对向空间U之窄小侧方SL位置被溅镀之基板G,系被搬送至搬送室200,于对向空间U之宽广侧方SH位置再度被溅镀。

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