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61. 发明专利

TW200937688A 具有光擷取結構的半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH LIGHT EXTRACTION STRUCTURES 审中-公开
简体标题：具有光截取结构的半导体发光设备 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH LIGHT EXTRACTION STRUCTURES
公开(公告)号：TW200937688A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097149448
申请日：2008-12-18
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：奧瑞蓮J F 大衛 DAVID, AURELIEN J. F. , 亨利廣興邱 CHOY, HENRY KWONG-HIN , 强那森J 威爾二世 WIERER, JONATHAN J. JR.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L2933/0016
摘要：本發明係在一可增加以掠入射角發射之光的擷取之半導體發光裝置中併入若干結構。在一些具體實施例中,該裝置包含一低折射率材料,其藉由全內反射引導光遠離該等金屬接點。在一些具體實施例中,該裝置包含擷取特徵,例如該半導體結構中之腔,該等腔可直接擷取掠射角光,或將該掠射角光引導至更易於從該裝置擷取之較小入射角。
简体摘要：本发明系在一可增加以掠入射角发射之光的截取之半导体发光设备中并入若干结构。在一些具体实施例中,该设备包含一低折射率材料,其借由全内反射引导光远离该等金属接点。在一些具体实施例中,该设备包含截取特征,例如该半导体结构中之腔,该等腔可直接截取掠射角光,或将该掠射角光引导至更易于从该设备截取之较小入射角。

62. 发明专利

TW200933219A 包含準直光學元件的照明裝置 ILLUMINATION DEVICE INCLUDING COLLIMATING OPTICS 审中-公开
简体标题：包含准直光学组件的照明设备 ILLUMINATION DEVICE INCLUDING COLLIMATING OPTICS
公开(公告)号：TW200933219A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097148329
申请日：2008-12-11
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：瑟吉J 比爾惠山 BIERHUIZEN, SERGE J. , 賈雅德哈柏爾 HARBERS, GERARD
IPC分类号： G02B
CPC分类号： H01L25/0753 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用於提供一準直光束之結構,該結構包括一經組態用以發射具有一第一尖峰波長之光的光源102,其與一群經組態用以將至少一部分光以一實質上垂直於該光源之一頂部表面的方向導引離開該光源且反射另一部分之結構300結合。在一些具體實施例中,一波長轉換元件110係定位在一從該光源發射之光的路徑中,該波長轉換元件經組態用以吸收具有一第一尖峰波長之光的至少一部分且發射具有一第二尖峰波長的光。該群結構可在該波長轉換元件上形成,以致該波長轉換元件係佈置在該群結構及該光源間。
简体摘要：本发明揭示一种用于提供一准直光束之结构,该结构包括一经组态用以发射具有一第一尖峰波长之光的光源102,其与一群经组态用以将至少一部分光以一实质上垂直于该光源之一顶部表面的方向导引离开该光源且反射另一部分之结构300结合。在一些具体实施例中,一波长转换组件110系定位在一从该光源发射之光的路径中,该波长转换组件经组态用以吸收具有一第一尖峰波长之光的至少一部分且发射具有一第二尖峰波长的光。该群结构可在该波长转换组件上形成,以致该波长转换组件系布置在该群结构及该光源间。

63. 发明专利

TW200929614A 耦合至低輪廓側發光發光二極體之光學元件 OPTICAL ELEMENT COUPLED TO LOW PROFILE SIDE EMITTING LED 审中-公开
简体标题：耦合至低轮廓侧发光发光二极管之光学组件 OPTICAL ELEMENT COUPLED TO LOW PROFILE SIDE EMITTING LED
公开(公告)号：TW200929614A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097131403
申请日：2008-08-15
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：瑟吉J 比爾惠山 BIERHUIZEN, SERGE J. , 葛雷葛莉W 安格 ENG, GREGORY W.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/13 , H01L2924/00014
摘要：本發明描述一種低輪廓側發射型發光二極體(LED),該LEE具有被光學耦合至每一發光側壁的一個或多個光學元件(諸如一反射器或透鏡)。在一實施例中,一反射器被用於例如在一閃光燈組態中將從每一側壁所發射的光重導向為一向前方向。在另一實施例中,一透鏡被用於準直在水平平面中之該側向發射的光,以(例如)用於背光。該透鏡之每一入口表面被定位,使得底部邊緣係在該發光側壁之該底部處或該底部下方,使得該透鏡之該基底不致阻擋由該LED所發射的光。
简体摘要：本发明描述一种低轮廓侧发射型发光二极管(LED),该LEE具有被光学耦合至每一发光侧壁的一个或多个光学组件(诸如一反射器或透镜)。在一实施例中,一反射器被用于例如在一闪光灯组态中将从每一侧壁所发射的光重导向为一向前方向。在另一实施例中,一透镜被用于准直在水平平面中之该侧向发射的光,以(例如)用于背光。该透镜之每一入口表面被定位,使得底部边缘系在该发光侧壁之该底部处或该底部下方,使得该透镜之该基底不致阻挡由该LED所发射的光。

64. 发明专利

TW200926837A 投影機之光源 LIGHT SOURCE FOR A PROJECTOR 审中-公开
简体标题：投影机之光源 LIGHT SOURCE FOR A PROJECTOR
公开(公告)号：TW200926837A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097131790
申请日：2008-08-20
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：瑟吉J 比爾惠山 BIERHUIZEN, SERGE J. , 賈雅德哈柏爾 HARBERS, GERARD
IPC分类号： H04N
CPC分类号： G03B21/208 , G03B5/06 , G03B21/2013 , H04N9/3138
摘要：本發明提供一種投影機,其包含複數個照明模組。每個照明模組包含一光源,例如一半導體發光二極體,及一光學元件,其被配置成接收來自該光源的光及準直該光成一光束。提供來自該等照明模組的光至一液晶顯示板,然後至一投影透鏡。在一些實施例中,次級光學器件,例如菲涅耳透鏡的一個陣列或一反射偏光鏡,被設置在該照明模組及該液晶顯示板之間。在一些實施例中,該液晶顯示板係一低溫多晶矽液晶顯示器。
简体摘要：本发明提供一种投影机,其包含复数个照明模块。每个照明模块包含一光源,例如一半导体发光二极管,及一光学组件,其被配置成接收来自该光源的光及准直该光成一光束。提供来自该等照明模块的光至一液晶显示板,然后至一投影透镜。在一些实施例中,次级光学器件,例如菲涅耳透镜的一个数组或一反射偏光镜,被设置在该照明模块及该液晶显示板之间。在一些实施例中,该液晶显示板系一低温多晶硅液晶显示器。

65. 发明专利

TW200926456A 包含側發光半導體發光裝置的背光 BACKLIGHT INCLUDING SIDE-EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES 失效
简体标题：包含侧发光半导体发光设备的背光 BACKLIGHT INCLUDING SIDE-EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200926456A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097131401
申请日：2008-08-15
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：葛雷葛莉W 安格 ENG, GREGORY W. , 塞吉拜惠森 BIERHUIZEN, SERGE , 賈雅德哈柏爾 HARBERS, GERARD , 卡里歐卡蘭達 KALANTAR, KALIL
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： G02B6/0073 , G02B6/0021 , G02B6/0083 , H01L33/58 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/13 , H01L2924/00014
摘要：個別之側發射型LED係分離地定位在一波導中,或是一起安裝在一撓性安裝台上,爾後再一起定位在一波導中。結果,每個LED與該波導之間的間隙可為小,其可改良光自該LED至該波導中的耦合。由於該等LED係分離地連接至該波導,或是安裝在一撓性安裝台上,起因於該波導之形狀之改變而對個別LED之應力被減小。
简体摘要：个别之侧发射型LED系分离地定位在一波导中,或是一起安装在一挠性安装台上,尔后再一起定位在一波导中。结果,每个LED与该波导之间的间隙可为小,其可改良光自该LED至该波导中的耦合。由于该等LED系分离地连接至该波导,或是安装在一挠性安装台上,起因于该波导之形状之改变而对个别LED之应力被减小。

66. 发明专利

TW200905320A 具有靠近邊緣的色彩補償叢集的多彩發光二極體背光 MULTI-COLORED LED BACKLIGHT WITH COLOR-COMPENSATED CLUSTERS NEAR EDGE 失效
简体标题：具有靠近边缘的色彩补偿集群的多彩发光二极管背光 MULTI-COLORED LED BACKLIGHT WITH COLOR-COMPENSATED CLUSTERS NEAR EDGE
公开(公告)号：TW200905320A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096126394
申请日：2007-07-19
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：馬丁漢瑞瑞查德藍可厚斯特 LANKHORST, MARTIJN HENRI RICHARD , 瓦特歐匹茲 OEPTS, WOUTER
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/133603 , G02F1/133609 , G02F2001/133613
摘要：本發明揭示用以改良橫跨一用於背後照明一LCD之背光之色彩均勻度的各種技術。在一具體實施例中,該背光在一混合室中使用紅、綠與藍發光二極體之列。該等發光二極體係配置成例如GRBG或GBRG之叢集,每一叢集具有一關聯白點。為了達成沿著該背光之左與右邊緣之色彩均勻度,特別選擇該等邊緣叢集中的發光二極體,以補償相對於叢集維度之白點中的色彩不平衡。例如,由於該紅峰値强度在該叢集中心之左,所以沿著該左邊緣的一GRBG之非補償叢集將產生沿著該左邊緣的一略紅色調。為了偏移沿著該左側之此略紅色調,將該叢集之總體白點進行藍青移位。結果,該背光之左邊緣具有與靠近該背光中間相同的白點,其中一單一叢集之白點不平衡係藉由周圍叢集的白點不平衡加以偏移。類似地,沿著該左邊緣的一GBRG叢集將使其白點進行紅黃移位。
简体摘要：本发明揭示用以改良横跨一用于背后照明一LCD之背光之色彩均匀度的各种技术。在一具体实施例中,该背光在一混合室中使用红、绿与蓝发光二极管之列。该等发光二极管系配置成例如GRBG或GBRG之集群,每一集群具有一关联白点。为了达成沿着该背光之左与右边缘之色彩均匀度,特别选择该等边缘集群中的发光二极管,以补偿相对于集群维度之白点中的色彩不平衡。例如,由于该红峰値强度在该集群中心之左,所以沿着该左边缘的一GRBG之非补偿集群将产生沿着该左边缘的一略红色调。为了偏移沿着该左侧之此略红色调,将该集群之总体白点进行蓝青移位。结果,该背光之左边缘具有与靠近该背光中间相同的白点,其中一单一集群之白点不平衡系借由周围集群的白点不平衡加以偏移。类似地,沿着该左边缘的一GBRG集群将使其白点进行红黄移位。

67. 发明专利

TW200903861A 具有多孔性擴散反射器的發光二極體 LED WITH POROUS DIFFUSING REFLECTOR 审中-公开
简体标题：具有多孔性扩散反射器的发光二极管 LED WITH POROUS DIFFUSING REFLECTOR
公开(公告)号：TW200903861A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097111121
申请日：2008-03-27
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：約翰E 愛普勒 EPLER, JOHN E. , 漢明趙 ZHAO, HANMIN , 麥可R 克萊米斯 KRAMES, MICHAEL R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/16 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要：本發明之一具體實施例中,一AlInGaP LED包括一底部n型層、一作用層、一頂部p型層及一在該頂部p型層上之厚n型GaP層。厚n型GaP層係接著進行電化學蝕刻程序,其使該n型GaP層變成多孔性及光擴散。電接觸係藉由透過多孔性層提供金屬填充通道產生到達該多孔性n-GaP層下之p-GaP層,或電接觸係透過多孔性區間之GaP層的非多孔性區產生。LED晶片可安裝在一子基板上,其中該多孔性n-GaP層面對子基板表面。該等孔及金屬層反射及擴散光,其大幅地增加該LED的光輸出。本發明揭示LED結構之其他具體實施例。
简体摘要：本发明之一具体实施例中,一AlInGaP LED包括一底部n型层、一作用层、一顶部p型层及一在该顶部p型层上之厚n型GaP层。厚n型GaP层系接着进行电化学蚀刻进程,其使该n型GaP层变成多孔性及光扩散。电接触系借由透过多孔性层提供金属填充信道产生到达该多孔性n-GaP层下之p-GaP层,或电接触系透过多孔性区间之GaP层的非多孔性区产生。LED芯片可安装在一子基板上,其中该多孔性n-GaP层面对子基板表面。该等孔及金属层反射及扩散光,其大幅地增加该LED的光输出。本发明揭示LED结构之其他具体实施例。

68. 发明专利

TW200902684A 紅色發光冷光材料 RED EMITTING LUMINESCENT MATERIALS 审中-公开
简体标题：红色发光冷光材料 RED EMITTING LUMINESCENT MATERIALS
公开(公告)号：TW200902684A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097104328
申请日：2008-02-04
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , 飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：彼得J 史密特 SCHMIDT, PETER J. , 渥特梅爾 MAYR, WALTER , 爵爾瑪爾 MEYER, JOERG , 伍爾夫剛席尼克 SCHNICK, WOLFGANG , 蔻拉息格林黑雀 HECHT, CORA SIEGLINDE , 芙羅瑞恩史戴勒 STADLER, FLORIAN
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/7706 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/963 , C09K11/7734 , H01L33/502
摘要：本發明是關於一種改良的紅色發光材料,其通式為:M1-yA1+xSi4-xN7-x-2yOx+2y:RE。這種材料據信可結晶成一種新穎的結構類型,其包含兩個獨立的晶格位置用於稀土金屬之結合,從而產生一改良的發光特性。
简体摘要：本发明是关于一种改良的红色发光材料,其通式为:M1-yA1+xSi4-xN7-x-2yOx+2y:RE。这种材料据信可结晶成一种新颖的结构类型,其包含两个独立的晶格位置用于稀土金属之结合,从而产生一改良的发光特性。

69. 发明专利

TW200848494A 紅色發光材料 RED EMITTING LUMINESCENT MATERIALS 审中-公开
简体标题：红色发光材料 RED EMITTING LUMINESCENT MATERIALS
公开(公告)号：TW200848494A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097104326
申请日：2008-02-04
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , 飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：彼得J 史考密 SCHMIDT, PETER J. , 芙羅瑞恩史戴勒 STADLER, FLORIAN , 伍爾夫剛席尼克 SCHNICK, WOLFGANG
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/401 , C04B2235/445 , C04B2235/5409 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2235/963 , C09K11/7721 , C09K11/7792
摘要：本發明係關於一種式M^I4-xM^IIxSi6N10+xO1-x之改良紅色發光材料。此材料為單一磷光體暖白光發光LED開闢了通道,如以材料Ba1.746Ca2.134Si6N10.08O0.92:Eu0.04Ce0.08所見。
简体摘要：本发明系关于一种式M^I4-xM^IIxSi6N10+xO1-x之改良红色发光材料。此材料为单一磷光体暖白光发光LED开辟了信道,如以材料Ba1.746Ca2.134Si6N10.08O0.92:Eu0.04Ce0.08所见。

70. 发明专利

TW200845427A 成長於模板上以減少應變之III族氮化物發光裝置 III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES GROWN ON TEMPLATES TO REDUCE STRAIN 审中-公开
简体标题：成长于模板上以减少应变之III族氮化物发光设备 III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES GROWN ON TEMPLATES TO REDUCE STRAIN
公开(公告)号：TW200845427A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096149549
申请日：2007-12-21
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：派翠克N 葛理洛特 GRILLOT, PATRICK N. , 納坦F 賈諾 GARDNER, NATHAN F. , 華納K 勾茲 GOETZ, WERNER K. , 琳達T 羅曼諾 ROMANO, LINDA T.
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要：在III族氮化物發光裝置中,包括發光層之裝置層10係成長於一模板上,該模板經設計以減少該裝置中、尤其該發光層中之應變。減少該發光裝置中之應變可改良該裝置之效能。該模板可使該發光層中之晶格常數擴展超過適用於習用成長模板之晶格常數範圍。應變係定義如下:一既定層具有對應於與該層具有相同組合物之獨立材料之晶格常數的塊體晶格常數abulk及對應於該層在該結構中成長時之晶格常數的面內晶格常數ain-plane。層中之應變量為︱(ain-plane-abulk)︱/abulk。在一些實施例中,該發光層中之應變小於1%。
简体摘要：在III族氮化物发光设备中,包括发光层之设备层10系成长于一模板上,该模板经设计以减少该设备中、尤其该发光层中之应变。减少该发光设备中之应变可改良该设备之性能。该模板可使该发光层中之晶格常数扩展超过适用于习用成长模板之晶格常数范围。应变系定义如下:一既定层具有对应于与该层具有相同组合物之独立材料之晶格常数的块体晶格常数abulk及对应于该层在该结构中成长时之晶格常数的面内晶格常数ain-plane。层中之应变量为︱(ain-plane-abulk)︱/abulk。在一些实施例中,该发光层中之应变小于1%。

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