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61. 发明专利

TW200421713A 藉由射頻產生器在恒定最高效率的自動調諧而達成百萬赫茲超音波清洗效率的改善 IMPROVED MEGASONIC CLEANING EFFICIENCY USING AUTO-TUNING OF AN RF GENERATOR AT CONSTANT MAXIMUM EFFICIENCY 失效
简体标题：借由射频产生器在恒定最高效率的自动调谐而达成百万赫兹超音波清洗效率的改善 IMPROVED MEGASONIC CLEANING EFFICIENCY USING AUTO-TUNING OF AN RF GENERATOR AT CONSTANT MAXIMUM EFFICIENCY
公开(公告)号：TW200421713A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092137672
申请日：2003-12-31
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：約翰柏依 BOYD, JOHN , 安卓斯庫提 KUTHI, ANDRAS , 麥可G R 史密斯 SMITH, MICHAEL G.R. , 湯瑪士W 安得森 ANDERSON, THOMAS W. , 威廉尤 THIE, WILLIAM , 羅伯特諾普 KNOP, ROBERT
IPC分类号： H03L , B08B , H01L
CPC分类号： B08B3/12 , B06B1/0253 , B06B2201/71 , B08B3/10 , H01L21/67057 , H01L21/67253
摘要：一種基板之清洗系統與方法，其包含一百萬赫茲超音波容室，該容室包含一轉換器與一基板。該轉換器係被配向至該基板。一可變距離d使該轉換器與該基板分離。該系統亦包含一動態可調整RF產生器，其具有連接至該轉換器之一輸出。該動態可調整RF產生器可藉由一振盪器輸出電壓與一RF產生器輸出電壓之一相位之一相位比較而受到控制。該動態可調整RF產生器亦可藉由監視一輸出信號之一峰值電壓並控制該RF產生器以將該峰值電壓維持在一預定電壓範圍之內而受到控制。該動態可調整RF產生器亦可藉由動態控制一可變DC電源電壓而受到控制。
简体摘要：一种基板之清洗系统与方法，其包含一百万赫兹超音波容室，该容室包含一转换器与一基板。该转换器系被配向至该基板。一可变距离d使该转换器与该基板分离。该系统亦包含一动态可调整RF产生器，其具有连接至该转换器之一输出。该动态可调整RF产生器可借由一振荡器输出电压与一RF产生器输出电压之一相位之一相位比较而受到控制。该动态可调整RF产生器亦可借由监视一输出信号之一峰值电压并控制该RF产生器以将该峰值电压维持在一预定电压范围之内而受到控制。该动态可调整RF产生器亦可借由动态控制一可变DC电源电压而受到控制。

62. 发明专利

TW200414971A 於直線化學機械平坦化製程中用以控制皮帶表面溫度及研漿溫度的方法與系統 METHODS AND SYSTEMS FOR CONTROLLING BELT SURFACE TEMPERATURE AND SLURRY TEMPERATURE IN LINEAR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION 失效
简体标题：于直线化学机械平坦化制程中用以控制皮带表面温度及研浆温度的方法与系统 METHODS AND SYSTEMS FOR CONTROLLING BELT SURFACE TEMPERATURE AND SLURRY TEMPERATURE IN LINEAR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION
公开(公告)号：TW200414971A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092127022
申请日：2003-09-30
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：吳沛翰 WU, PATRICK P. H. , 范川 PHAM, XUYEN , 湍 A 阮 NGUYEN, TUAN A. , 周仁 ZHOU, REN
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/015 , B24B21/04 , B24B57/02
摘要：一種直線化學機械平坦化(CMP，ChemicalMechanicalPlanarizaiton)系統，包含一皮帶墊、一具有複數個噴嘴之研漿棒、及一用於加熱研漿之加熱模組。該加熱模組具有複數個加熱元件，各該加熱元件與該研漿棒之該複數個噴嘴的其中之一流動連接。該系統也可包含一用來控制該加熱模組之加熱元件的控制系統，與結合至該控制系統之第一與第二溫度感測器。該第一溫度感測器測量由各該加熱元件所加熱之研漿的溫度，且該第二溫度感測器測量該皮帶墊表面之溫度。亦說明一種在直線CMP系統中噴灑研漿的方法，及在直線CMP系統中控制皮帶墊表面溫度與研漿溫度的方法。
简体摘要：一种直线化学机械平坦化(CMP，ChemicalMechanicalPlanarizaiton)系统，包含一皮带垫、一具有复数个喷嘴之研浆棒、及一用于加热研浆之加热模块。该加热模块具有复数个加热组件，各该加热组件与该研浆棒之该复数个喷嘴的其中之一流动连接。该系统也可包含一用来控制该加热模块之加热组件的控制系统，与结合至该控制系统之第一与第二温度传感器。该第一温度传感器测量由各该加热组件所加热之研浆的温度，且该第二温度传感器测量该皮带垫表面之温度。亦说明一种在直线CMP系统中喷洒研浆的方法，及在直线CMP系统中控制皮带垫表面温度与研浆温度的方法。

63. 发明专利

TW200413951A 供資料分析用之專家知識方法與系統 EXPERT KNOWLEDGE METHODS AND SYSTEMS FOR DATA ANALYSIS 审中-公开
简体标题：供数据分析用之专家知识方法与系统 EXPERT KNOWLEDGE METHODS AND SYSTEMS FOR DATA ANALYSIS
公开(公告)号：TW200413951A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092126337
申请日：2003-09-24
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：普尼亞德夫 YADAV, PUNEET , 安祖D 貝利三世 BAILEY III, ANDREW D.
IPC分类号： G06F
CPC分类号： H01L22/20
摘要：本發明提供一種數據組調整方法，用以調整界定一組處理進程的一數據組，各處理進程具有對應於晶圓處理操作用的一組變數之一組數據。此方法包含：接受由一數據組得到的一模型；接受對應於一處理進程的一新數據組；將新數據組投射到該模型；確認因投射之結果所產生之一離群值數據點；確認對應於一離群值數據點的一變數，經確認之變數係呈現高度影響；由新數據組確認該變數的一個值；判定該變數的值是否為不具重要性；利用隨機數據以及取自該新數據組與該數據組中的每一者而被判定為不具重要性之變數，產生一數據之正規化矩陣；及利用該數據之正規化矩陣來更新該數據組。
简体摘要：本发明提供一种数据组调整方法，用以调整界定一组处理进程的一数据组，各处理进程具有对应于晶圆处理操作用的一组变量之一组数据。此方法包含：接受由一数据组得到的一模型；接受对应于一处理进程的一新数据组；将新数据组投射到该模型；确认因投射之结果所产生之一离群值数据点；确认对应于一离群值数据点的一变量，经确认之变量系呈现高度影响；由新数据组确认该变量的一个值；判定该变量的值是否为不具重要性；利用随机数据以及取自该新数据组与该数据组中的每一者而被判定为不具重要性之变量，产生一数据之范式矩阵；及利用该数据之范式矩阵来更新该数据组。

64. 发明专利

TW200413863A 利用水蒸氣做為離子植入後之阻劑剝除作業中供移除外殼、阻劑及殘留物用之處理氣體 H2O VAPOR AS A PROCESSING GAS FOR CRUST, RESIST, AND RESIDUE REMOVAL FOR POST ION IMPLANT RESIST STRIP 审中-公开
简体标题：利用水蒸气做为离子植入后之阻剂剥除作业中供移除外壳、阻剂及残留物用之处理气体 H2O VAPOR AS A PROCESSING GAS FOR CRUST, RESIST, AND RESIDUE REMOVAL FOR POST ION IMPLANT RESIST STRIP
公开(公告)号：TW200413863A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092124041
申请日：2003-08-29
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安東尼‧陳 CHEN, ANTHONY , 羅素芸 LO, GLADYS SO-WAN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/427 , H01L21/31138
摘要：水蒸氣被用來做為一處理氣體，以從一基板剝除阻劑材料，該基板具有一先前被用來做為離子植入遮罩之圖案化阻劑層，其中該圖案化阻劑層由一覆蓋一主要阻劑部分之阻劑外殼所界定。廣泛來說，水蒸氣顯現其可更有效率的剝除具有一交聯阻劑外殼之阻劑材料，而不造成阻劑外殼爆開，也不會使主要阻劑被底切。因此，水蒸氣提供了一種安全、有效率、且經濟的處理氣體，可用來剝除具有由離子植入製程所造成之阻劑外殼的阻劑材料。
简体摘要：水蒸气被用来做为一处理气体，以从一基板剥除阻剂材料，该基板具有一先前被用来做为离子植入遮罩之图案化阻剂层，其中该图案化阻剂层由一覆盖一主要阻剂部分之阻剂外壳所界定。广泛来说，水蒸气显现其可更有效率的剥除具有一交联阻剂外壳之阻剂材料，而不造成阻剂外壳爆开，也不会使主要阻剂被底切。因此，水蒸气提供了一种安全、有效率、且经济的处理气体，可用来剥除具有由离子植入制程所造成之阻剂外壳的阻剂材料。

65. 发明专利

TW200411722A 利用貼近於半導體晶圓表面而被固定之多數入口與出口以使晶圓表面乾燥的方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR DRYING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES USING A PLURALITY OF INLETS AND OUTLETS HELD IN CLOSE PROXIMITY TO THE WAFER SURFACES 失效
简体标题：利用贴近于半导体晶圆表面而被固定之多数入口与出口以使晶圆表面干燥的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR DRYING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES USING A PLURALITY OF INLETS AND OUTLETS HELD IN CLOSE PROXIMITY TO THE WAFER SURFACES
公开(公告)号：TW200411722A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW092127052
申请日：2003-09-30
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡爾伍茲 WOODS, CARL , 約翰德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN , 佛瑞德C 瑞德克 REDEKER, FRED C. , 約翰柏依 BOYD, JOHN , 亞富辛尼克豪 NICKHOU, AFSHIN , 詹姆士P 賈西亞 GARCIA, JAMES P. , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MIKE
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67028 , H01L21/67034
摘要：根據本發明之一實施例的一種基板製備系統係包含一前端，具有一前端面，而該前端面係貼近於該基板之一表面；一第一導管，穿過該前端而將一第一液體輸送至該基板之表面；一第二導管，穿過該前端而將一第二液體輸送至該基板之表面，其中該第二液體係不同於該第一液體；及一第三導管，用以從該基板的表面上清除所有的第一及第二液體，其中該第一導管、該第二導管與該第三導管將同時一起產生作用。根據本發明之另一實施例的一種基板的處理方法係包含一產生液態彎液面步驟，在該基板的表面上產生一液態彎液面；一施加音波能量步驟，對該液態彎液面施加音波能量；及一移動液態彎液面步驟，使該液態彎液面移動過該基板的整個表面而得以處理該基板之表面。
简体摘要：根据本发明之一实施例的一种基板制备系统系包含一前端，具有一前端面，而该前端面系贴近于该基板之一表面；一第一导管，穿过该前端而将一第一液体输送至该基板之表面；一第二导管，穿过该前端而将一第二液体输送至该基板之表面，其中该第二液体系不同于该第一液体；及一第三导管，用以从该基板的表面上清除所有的第一及第二液体，其中该第一导管、该第二导管与该第三导管将同时一起产生作用。根据本发明之另一实施例的一种基板的处理方法系包含一产生液态弯液面步骤，在该基板的表面上产生一液态弯液面；一施加音波能量步骤，对该液态弯液面施加音波能量；及一移动液态弯液面步骤，使该液态弯液面移动过该基板的整个表面而得以处理该基板之表面。

66. 发明专利

TW594883B 利用百萬週波超音波轉換器之諧振器施行之現場局部加熱失效
简体标题：利用百万周波超音波转换器之谐振器施行之现场局部加热
公开(公告)号：TW594883B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092106877
申请日：2003-03-26
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：約翰 M 柏依 BOYD, JOHN M. , 卡翠那蜜可海麗 MIKHAYLICH, KATRINA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/10 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要：本發明提供一種半導體基板之潔淨設備。在本發明之實施例中，係提供一種能提供局部加熱之百萬週波超音波清洗機。百萬週波超音波清洗機包含一轉換器與一諧振器。諧振器係用以傳輸來自轉換器之能量。諧振器具有一第一與一第二端，第一端係有效連接至轉換器，而第二端係用以在傳輸來自轉換器之能量提供局部加熱。本發明亦提供一種經由百萬週波超音波清洗之半導體基板之潔淨系統與一種半導體基板之潔淨方法。五、(一)、本案代表圖為：第 3 圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
130~基板
132~百萬週波超音波清洗機
134~液面
136~轉換器 138~噴嘴 140~電源線 142~外殼 144~上表面 146~下表面 148~距離
简体摘要：本发明提供一种半导体基板之洁净设备。在本发明之实施例中，系提供一种能提供局部加热之百万周波超音波清洗机。百万周波超音波清洗机包含一转换器与一谐振器。谐振器系用以传输来自转换器之能量。谐振器具有一第一与一第二端，第一端系有效连接至转换器，而第二端系用以在传输来自转换器之能量提供局部加热。本发明亦提供一种经由百万周波超音波清洗之半导体基板之洁净系统与一种半导体基板之洁净方法。五、(一)、本案代表图为：第 3 图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 130~基板 132~百万周波超音波清洗机 134~液面 136~转换器 138~喷嘴 140~电源线 142~外壳 144~上表面 146~下表面 148~距离

67. 发明专利

TW592891B 利用光干涉施行之薄金屬介面的現場偵測失效
简体标题：利用光干涉施行之薄金属界面的现场侦测
公开(公告)号：TW592891B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091105143
申请日：2002-03-18
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：杉得艾瑪特 AMARTUR, SUNDAR
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
摘要：一種光終點偵測系統，利用光干涉以決定在一CMP製程中何時一金屬層達於一薄金屬區域。一晶圓表面之一部分被寬頻帶光源照亮。接著，對應於由晶圓表面被照亮的部分反射之複數光譜的反射光譜資料被接收。接著根據在反射之光譜資料中產生之光干涉決定一終點，光干涉係從晶圓之不同層反射之光的相位差之結果，且在頂部之金屬層減少成薄金屬區域時產生。
简体摘要：一种光终点侦测系统，利用光干涉以决定在一CMP制程中何时一金属层达于一薄金属区域。一晶圆表面之一部分被宽带带光源照亮。接着，对应于由晶圆表面被照亮的部分反射之复数光谱的反射光谱数据被接收。接着根据在反射之光谱数据中产生之光干涉决定一终点，光干涉系从晶圆之不同层反射之光的相位差之结果，且在顶部之金属层减少成薄金属区域时产生。

68. 发明专利

TW200408033A 在多步驟程序中之金屬殘留物的偵測與映射用之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR METAL RESIDUE DETECTION AND MAPPING WITHIN A MULTI-STEP SEQUENCE 失效
简体标题：在多步骤进程中之金属残留物的侦测与映射用之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR METAL RESIDUE DETECTION AND MAPPING WITHIN A MULTI-STEP SEQUENCE
公开(公告)号：TW200408033A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW092125755
申请日：2003-09-18
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：葉海高金斯 GOTKIS, YEHIEL , 亞力山得歐薩斯 OWCZARZ, ALEKSANDER , 大衛韓克爾 HEMKER, DAVID , 尼可拉斯布萊特 BRIGHT, NICOLAS , 羅德尼奇士特勒 KISTLER, RODNEY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/02 , B24B49/10 , H01L21/3212 , H01L22/00
摘要：一種在一多步驟基板製程中之一基板上的一金屬層測量方法與系統，其包含有：修改該基板上的一金屬層，諸如在該基板上設置該金屬層或移除掉該金屬層的至少一部份。至少一感測器係設置在與該基板之該表面離一預定距離處。對該基板之該表面進行映射，以便決定該基板之該表面上的該金屬物之一均勻性。
简体摘要：一种在一多步骤基板制程中之一基板上的一金属层测量方法与系统，其包含有：修改该基板上的一金属层，诸如在该基板上设置该金属层或移除掉该金属层的至少一部份。至少一传感器系设置在与该基板之该表面离一预定距离处。对该基板之该表面进行映射，以便决定该基板之该表面上的该金属物之一均匀性。

69. 发明专利

TW200406840A 硬式罩臨界尺寸修整方法 METHOD FOR HARD MASK CD TRIM 审中-公开
简体标题：硬式罩临界尺寸修整方法 METHOD FOR HARD MASK CD TRIM
公开(公告)号：TW200406840A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW092122287
申请日：2003-08-13
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： C 羅勃特科因州普拉斯 KOEMTZOPOULOS, C. ROBERT , 席普更蓋德哈朗 GANGADHARAN, SHIBU , 克里斯 G N 李 LEE, CHRIS G. N. , 艾倫米勒 MILLER, ALAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L29/6656
摘要：廣泛來說，提供方法及一設備用來從一基板去除一無機材料。更具體而言，經由曝露在以電感耦合蝕刻設備產生之高密度電漿下之方法用來從基板去除無機材料。高密度電漿設定與控制等向接觸無機材料之特定區域而修整與控制與無機材料有關之臨界尺寸。
简体摘要：广泛来说，提供方法及一设备用来从一基板去除一无机材料。更具体而言，经由曝露在以电感耦合蚀刻设备产生之高密度等离子下之方法用来从基板去除无机材料。高密度等离子设置与控制等向接触无机材料之特定区域而修整与控制与无机材料有关之临界尺寸。

70. 发明专利

TW200402351A 研磨墊之加熱方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR HEATING POLISHING PAD 失效
简体标题：研磨垫之加热方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR HEATING POLISHING PAD
公开(公告)号：TW200402351A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092107031
申请日：2003-03-27
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：范川 PHAM, XUYEN , 阮俊 NGUYEN, TUAN , 周仁 ZHOU, REN , 大衛魏 WEI, DAVID , 蔣彤 JIANG, LINDA , 凱傑海利 Y 雷馬努傑 RAMANUJAM, KATGENHALLI Y. , 喬瑟夫 P 賽門 SIMON, JOSEPH P. , 湯尼梁 LUONG, TONY , 斯里德哈蘭斯里梵斯坦 SRIVATSAN, SRIDHARAN , 金安駿 JIN, ANJUN JERRY
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/12 , B24B21/10 , B24B49/14
摘要：一種用於化學機械平坦化(CMP，Chemical Mechanical Planarizaiton)系統之溫度控制系統，該CMP系統包含一線性研磨帶、一可將基板施加至該線性研磨帶上之一預備位置之運送器。該溫度控制系統包含一平台，具有複數個區域。該溫度控制系統還包含一溫度感測器，用來測定該線性研磨帶在該預備位置之後一位置之溫度。該溫度控制系統更包含一控制器，用來調整溫度調整過之流體往該平台之該複數區域之選擇區域之流動，其係回應於由該溫度感測器接收而來之輸出訊號。
简体摘要：一种用于化学机械平坦化(CMP，Chemical Mechanical Planarizaiton)系统之温度控制系统，该CMP系统包含一线性研磨带、一可将基板施加至该线性研磨带上之一预备位置之运送器。该温度控制系统包含一平台，具有复数个区域。该温度控制系统还包含一温度传感器，用来测定该线性研磨带在该预备位置之后一位置之温度。该温度控制系统更包含一控制器，用来调整温度调整过之流体往该平台之该复数区域之选择区域之流动，其系回应于由该温度传感器接收而来之输出信号。

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