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61. 发明专利

TW201447989A 半導體結構及其製程审中-公开
简体标题：半导体结构及其制程
公开(公告)号：TW201447989A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102120789
申请日：2013-06-11
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG , 吳俊元 , WU, CHUN YUAN , 林進富 , LIN, CHIN FU , 劉志建 , LIU, CHIH CHIEN , 許嘉麟 , HSU, CHIA LIN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
摘要：一種半導體結構，包含有一鰭狀結構以及一閘極。鰭狀結構位於一基底中，其中鰭狀結構具有一穿孔位於一懸空部的正下方。閘極圍繞懸空部。此外，本發明提供一種半導體製程，包含有下述步驟。首先，提供一基底上。接著，形成一鰭狀結構於基底中，其中鰭狀結構具有一底部以及一頂部。之後，移除底部的一部份，以使對應上方的頂部形成一懸空部，位於一穿孔上。然後，形成一閘極圍繞懸空部。
简体摘要：一种半导体结构，包含有一鳍状结构以及一闸极。鳍状结构位于一基底中，其中鳍状结构具有一穿孔位于一悬空部的正下方。闸极围绕悬空部。此外，本发明提供一种半导体制程，包含有下述步骤。首先，提供一基底上。接着，形成一鳍状结构于基底中，其中鳍状结构具有一底部以及一顶部。之后，移除底部的一部份，以使对应上方的顶部形成一悬空部，位于一穿孔上。然后，形成一闸极围绕悬空部。

62. 发明专利

TW201306259A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201306259A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100125435
申请日：2011-07-19
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：吳俊元 , WU, CHUN YUAN , 劉志建 , LIU, CHIH CHIEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
摘要：本發明較佳實施例是揭露一種半導體元件，包含一基底、一金氧半導體電晶體設於該基底中以及一淺溝隔離設於基底中並設於金氧半導體電晶體周圍。其中該淺溝隔離係由一應力材料所構成。
简体摘要：本发明较佳实施例是揭露一种半导体组件，包含一基底、一金属氧化物半导体晶体管设于该基底中以及一浅沟隔离设于基底中并设于金属氧化物半导体晶体管周围。其中该浅沟隔离系由一应力材料所构成。

63. 发明专利

TW201301403A ＭＯＳ電晶體的製作方法、鰭式場效電晶體及其製作方法审中-公开
简体标题：ＭＯＳ晶体管的制作方法、鳍式场效应管及其制作方法
公开(公告)号：TW201301403A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100122250
申请日：2011-06-24
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林建良 , LIN, CHIEN LIANG , 顏英偉 , YEN, YING WEI , 王俞仁 , WANG, YU REN , 楊建倫 , YANG, CHAN LON , 簡金城 , CHIEN, CHIN CHENG , 吳俊元 , WU, CHUN YUAN , 劉志建 , LIU, CHIH CHIEN , 林進富 , LIN, CHIN FU , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要：一種MOS電晶體的製作方法。首先，提供一基底。接著，形成一閘極介電層於基底上。而後，進行一含氮電漿及氦氣的氮化製程，以氮化閘極介電層。此外，亦提出一種鰭式場效電晶體及其製作方法。
简体摘要：一种MOS晶体管的制作方法。首先，提供一基底。接着，形成一闸极介电层于基底上。而后，进行一含氮等离子及氦气的氮化制程，以氮化闸极介电层。此外，亦提出一种鳍式场效应管及其制作方法。

64. 发明专利

TW201241909A 在半導體基底上形成開口的方法 METHOD OF FORMING OPENING ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：在半导体基底上形成开口的方法 METHOD OF FORMING OPENING ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201241909A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100112943
申请日：2011-04-14
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：吳俊元 , 劉志建 , 林進富 , 陳柏均
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供了一種在半導體基底上形成開口的方法。此方法首先提供一基底。接著於基底上形成一介電層以及一蓋層,其中介電層的厚度與蓋層的厚度比値實質上介於15至1.5之間。然後於蓋層上形成一圖案化之氮化硼層。最後進行一蝕刻製程,利用圖案化之氮化硼層為遮罩,蝕刻蓋層以及介電層,且於蓋層以及介電層中形成一開口。
简体摘要：本发明提供了一种在半导体基底上形成开口的方法。此方法首先提供一基底。接着于基底上形成一介电层以及一盖层,其中介电层的厚度与盖层的厚度比値实质上介于15至1.5之间。然后于盖层上形成一图案化之氮化硼层。最后进行一蚀刻制程,利用图案化之氮化硼层为遮罩,蚀刻盖层以及介电层,且于盖层以及介电层中形成一开口。

65. 发明专利

TW201239992A 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE 审中-公开
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制作方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE
公开(公告)号：TW201239992A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109683
申请日：2011-03-22
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：廖柏瑞 , 蔡宗龍 , 林建廷 , 徐韶華 , 陳意維 , 黃信富 , 李宗穎 , 蔡旻錞 , 楊建倫 , 吳俊元 , 蔡騰群 , 黃光耀 , 許嘉麟 , 楊傑甯 , 陳正國 , 曾榮宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黃柏誠 , 陳奕文 , 許哲華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供了一種製作具有金屬閘極之半導體元件的方法。此方法首先提供一基底。基底包含一第一導電型電晶體、一第二導電型電晶體,其中第一導電型電晶體包含一第一犧牲閘極,第二導電型電晶體包含一第二犧牲閘極。接著移除第一導電型電晶體之第一犧牲閘極以形成一第一溝渠,並於第一溝渠內形成一第一金屬層。移除第二導電型電晶體之第二犧牲閘極以形成一第二溝渠,並於第一溝渠內以及第二溝渠內形成一第二金屬層。最後於第二金屬層上形成一第三金屬層,使得第三金屬層填入第一溝渠以及第二溝渠中。
简体摘要：本发明提供了一种制作具有金属闸极之半导体组件的方法。此方法首先提供一基底。基底包含一第一导电型晶体管、一第二导电型晶体管,其中第一导电型晶体管包含一第一牺牲闸极,第二导电型晶体管包含一第二牺牲闸极。接着移除第一导电型晶体管之第一牺牲闸极以形成一第一沟渠,并于第一沟渠内形成一第一金属层。移除第二导电型晶体管之第二牺牲闸极以形成一第二沟渠,并于第一沟渠内以及第二沟渠内形成一第二金属层。最后于第二金属层上形成一第三金属层,使得第三金属层填入第一沟渠以及第二沟渠中。

66. 发明专利

TW201239991A 鰭狀通道場效電晶體結構及其製造方法 FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF 审中-公开
简体标题：鳍状信道场效应管结构及其制造方法 FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW201239991A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109608
申请日：2011-03-21
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡騰群 , 吳俊元 , 林進富 , 劉志建 , 簡金城
IPC分类号： H01L
摘要：鰭狀通道場效電晶體結構及其製造方法,結構包含有基板、鰭狀通道結構及高介電金屬閘極,高介電金屬閘極形成於該基板與該鰭狀通道結構之上方。而該方法包含下列步驟:於基板上方與該鰭狀通道結構表面上形成多晶矽假閘極結構,利用該多晶矽假閘極結構為罩幕形成源/汲區後,除去該多晶矽假閘極結構而依序填入高介電常數介電層與金屬閘極結構層,再對金屬閘極結構層與高介電常數介電層之該基板進行平坦化製程而完成高介電金屬閘極。
简体摘要：鳍状信道场效应管结构及其制造方法,结构包含有基板、鳍状信道结构及高介电金属闸极,高介电金属闸极形成于该基板与该鳍状信道结构之上方。而该方法包含下列步骤:于基板上方与该鳍状信道结构表面上形成多晶硅假闸极结构,利用该多晶硅假闸极结构为罩幕形成源/汲区后,除去该多晶硅假闸极结构而依序填入高介电常数介电层与金属闸极结构层,再对金属闸极结构层与高介电常数介电层之该基板进行平坦化制程而完成高介电金属闸极。

67. 发明专利

TW428284B 雙重金屬鑲嵌之製造方法有权
简体标题：双重金属镶嵌之制造方法
公开(公告)号：TW428284B
公开(公告)日：2001-04-01
申请号：TW088118111
申请日：1999-10-20
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡正原 , 劉志建 , 吳俊元
IPC分类号： H01L
摘要：一種雙重金屬鑲嵌製程，其係在半導體基底上形成氟化矽玻璃層作為內金屬介電層之前，先形成一無摻雜矽玻璃層。如此不僅可消除表面敏感性，而且可得到厚度更為均勻、穩定性更高的氟化矽玻璃層。此外，無摻雜矽玻璃層亦可增加氟化矽玻璃層與其他物質層的黏著性，且還具有不易形成粒子的優點。
简体摘要：一种双重金属镶嵌制程，其系在半导体基底上形成氟化硅玻璃层作为内金属介电层之前，先形成一无掺杂硅玻璃层。如此不仅可消除表面敏感性，而且可得到厚度更为均匀、稳定性更高的氟化硅玻璃层。此外，无掺杂硅玻璃层亦可增加氟化硅玻璃层与其他物质层的黏着性，且还具有不易形成粒子的优点。

68. 实用新型

TW416359U 控制研磨物均勻度的裝置失效
简体标题：控制研磨物均匀度的设备
公开(公告)号：TW416359U
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：TW087219801
申请日：1998-11-27
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳學忠 , 吳俊元 , 盧火鐵
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種控制研磨物均勻度的裝置，係利用一氣囊控制器控制一氣囊內之複數圈氣管之排氣與充氣動作，用以吸起一待磨物及控制該待磨物於研磨時不同區域所受之壓力。
简体摘要：一种控制研磨物均匀度的设备，系利用一气囊控制器控制一气囊内之复数圈气管之排气与充气动作，用以吸起一待磨物及控制该待磨物于研磨时不同区域所受之压力。

69. 发明专利

TW411511B 次四分之一微米大型積體電路之自行對準矽化金屬技術失效
简体标题：次四分之一微米大型集成电路之自行对准硅化金属技术
公开(公告)号：TW411511B
公开(公告)日：2000-11-11
申请号：TW087108124
申请日：1998-05-26
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林建廷 , 盧火鐵 , 吳俊元 , 呂曉玲
IPC分类号： H01L
摘要：一種在基板上製造自行對準矽化金屬層的技術，一金氧半元件與一淺渠溝被製造在基板之上，此元件具有一閘極結構、閘極結構的側壁與摻雜區，淺渠溝被氧化矽材料填滿作為積體電路的絕緣。一矽層被不均勻的沉積在閘極結構的表面面，以及側壁與摻雜區之上，是利用物理氣相沉積製程，例如離子金屬電漿製程，此離子金屬電漿製程是一種濺鍍製程，將矽材料或金屬材料游離成矽離子或金屬離子,然後經由偏壓加速，非均向的沉積在基板的表面，然後去除在側壁表面的矽層。接著，一耐火金屬層被形成在矽層的頂面，是利用離子金屬電漿技術來達成，進行兩階段熱退火製程，例如快速加熱退火製程，將矽層與金屬層反應成矽化金屬層。因為矽層是作為自行對準矽化金屬層的矽來源，所以矽化金屬層可以形成在側壁的頂面與渠溝的氧化矽材料之上，最後在利用一道微影蝕刻製程，去除在渠溝上的矽化金屬層。
简体摘要：一种在基板上制造自行对准硅化金属层的技术，一金氧半组件与一浅渠沟被制造在基板之上，此组件具有一闸极结构、闸极结构的侧壁与掺杂区，浅渠沟被氧化硅材料填满作为集成电路的绝缘。一硅层被不均匀的沉积在闸极结构的表面面，以及侧壁与掺杂区之上，是利用物理气相沉积制程，例如离子金属等离子制程，此离子金属等离子制程是一种溅镀制程，将硅材料或金属材料游离成硅离子或金属离子,然后经由偏压加速，非均向的沉积在基板的表面，然后去除在侧壁表面的硅层。接着，一耐火金属层被形成在硅层的顶面，是利用离子金属等离子技术来达成，进行两阶段热退火制程，例如快速加热退火制程，将硅层与金属层反应成硅化金属层。因为硅层是作为自行对准硅化金属层的硅来源，所以硅化金属层可以形成在侧壁的顶面与渠沟的氧化硅材料之上，最后在利用一道微影蚀刻制程，去除在渠沟上的硅化金属层。

70. 实用新型

TW403002U 化學機械研磨機臺中研磨頭之晶片護圈失效
简体标题：化学机械研磨机台中研磨头之芯片护圈
公开(公告)号：TW403002U
公开(公告)日：2000-08-21
申请号：TW086214921
申请日：1997-09-01
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：邱雲榜 , 楊志强 , 彭朋意 , 吳俊元 , 賴建興
IPC分类号： B24B
摘要：一種化學機械研磨機臺上研磨頭之晶片護圈，其中該化學研磨機臺包括一研磨臺，一裝置於研磨臺上的一研磨墊，及一研磨頭。此研磨頭又包括在最上方的一氣室，在氣室下方的一晶片負載器，於承受該氣室所生之氣壓時，施壓並負載晶片，一嵌入墊，以及一晶片護圈，此晶片護圈之底面在離心線方向具有複數個溝槽。
简体摘要：一种化学机械研磨机台上研磨头之芯片护圈，其中该化学研磨机台包括一研磨台，一设备于研磨台上的一研磨垫，及一研磨头。此研磨头又包括在最上方的一气室，在气室下方的一芯片负载器，于承受该气室所生之气压时，施压并负载芯片，一嵌入垫，以及一芯片护圈，此芯片护圈之底面在离心线方向具有复数个沟槽。

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