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    • 62. 发明专利
    • β型矽鋁氮氧化物、發光裝置及其用途 β-SIALON, LIGHT EMITTING DEVICE AND USE THEREOF
    • β型硅铝氮氧化物、发光设备及其用途 β-SIALON, LIGHT EMITTING DEVICE AND USE THEREOF
    • TW201224117A
    • 2012-06-16
    • TW100126900
    • 2011-07-29
    • 電氣化學工業股份有限公司
    • 江本秀幸南雲敏朗
    • C09KG02F
    • C09K11/7729C09K11/0883C09K11/7734G02F1/133603H01L33/502H05B33/14Y02B20/181
    • 本發明之目的在於提供藉由與藍色LED組合,可以較為接近的形式單獨取得色溫度較低的白色光,而且具有有利於高演色性的寬廣的螢光頻譜,發光效率高、屬於習知之氮化物系螢光體之特徵的熱/化學安定性及高溫下的亮度降低較小之螢光體及使用該螢光體的發光裝置。本發明係以一般式:Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2)表示的β型矽鋁氮氧化物。β型矽鋁氮氧化物係具有P2/P1(式中,P1係在25℃下以電子自旋共振法所得之一次微分型頻譜中的g=2.00±0.02所呈現的吸收線的高度,P2係相較於P1為較低磁場側的頻譜中的最大值與最小值的差)為0.5以上1000以下。
    • 本发明之目的在于提供借由与蓝色LED组合,可以较为接近的形式单独取得色温度较低的白色光,而且具有有利于高演色性的宽广的萤光频谱,发光效率高、属于习知之氮化物系萤光体之特征的热/化学安定性及高温下的亮度降低较小之萤光体及使用该萤光体的发光设备。本发明系以一般式:Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2)表示的β型硅铝氮氧化物。β型硅铝氮氧化物系具有P2/P1(式中,P1系在25℃下以电子自旋共振法所得之一次微分型频谱中的g=2.00±0.02所呈现的吸收线的高度,P2系相较于P1为较低磁场侧的频谱中的最大值与最小值的差)为0.5以上1000以下。
    • 64. 发明专利
    • 金屬基底基板之製造方法及電路基板之製造方法 MANUFACTURING METHOD OF METAL BASE SUBSTRATE AND ELECTRONIC CIRCUIT BOARD
    • 金属基底基板之制造方法及电路基板之制造方法 MANUFACTURING METHOD OF METAL BASE SUBSTRATE AND ELECTRONIC CIRCUIT BOARD
    • TW201212765A
    • 2012-03-16
    • TW100112448
    • 2011-04-11
    • 電氣化學工業股份有限公司
    • 西太樹宮川健志八島克憲大越健介石倉秀則
    • H05K
    • H05K1/056H05K3/022H05K2201/0209H05K2201/0358H05K2203/1545Y10T156/10Y10T156/1052Y10T156/1062
    • 本發明提供一種絕緣黏合層中無殘存空隙、高品質且高放熱之發熱電子零件安裝用的金屬基底基板之製造方法及電路基板之製造方法。本發明的金屬基底基板之製造方法係進行以下的步驟,以形成金屬基底基板14:使分散相分散在含有濕潤分散劑的絕緣黏合劑之分散媒中的分散步驟S1;一邊抽出輥狀的導體箔1,一邊在導體箔1上積層絕緣黏合劑2的絕緣黏合劑積層步驟S2;加熱導體箔1上的絕緣黏合劑2,以形成導體箔1和B階段狀態的絕緣黏合層2a之複合體5的第1硬化步驟S3;在B階段狀態的絕緣黏合層2a上積層金屬基底材6,以獲得積層體7的金屬基底材積層步驟S5;以及,在特定的條件下將積層體7加熱加壓,使B階段狀態的絕緣黏合層2a成為C階段狀態的絕緣黏合層2b之第2硬化步驟S6。又,可按照需要而進行將複合體5或積層體7剪裁成片狀的片狀剪裁步驟S4、S15。
    • 本发明提供一种绝缘黏合层中无残存空隙、高品质且高放热之发热电子零件安装用的金属基底基板之制造方法及电路基板之制造方法。本发明的金属基底基板之制造方法系进行以下的步骤,以形成金属基底基板14:使分散相分散在含有湿润分散剂的绝缘黏合剂之分散媒中的分散步骤S1;一边抽出辊状的导体箔1,一边在导体箔1上积层绝缘黏合剂2的绝缘黏合剂积层步骤S2;加热导体箔1上的绝缘黏合剂2,以形成导体箔1和B阶段状态的绝缘黏合层2a之复合体5的第1硬化步骤S3;在B阶段状态的绝缘黏合层2a上积层金属基底材6,以获得积层体7的金属基底材积层步骤S5;以及,在特定的条件下将积层体7加热加压,使B阶段状态的绝缘黏合层2a成为C阶段状态的绝缘黏合层2b之第2硬化步骤S6。又,可按照需要而进行将复合体5或积层体7剪裁成片状的片状剪裁步骤S4、S15。
    • 66. 发明专利
    • 水泥混合材及使用其之水泥組成物
    • 水泥混合材及使用其之水泥组成物
    • TWI357892B
    • 2012-02-11
    • TW095128615
    • 2006-08-04
    • 電氣化學工業股份有限公司
    • 渡邊芳春相澤一裕
    • C04B
    • 本發明係提供一種混凝土用水泥混合材及使用其之水泥組成物,該水泥混合材係使用聚羧酸鹽系減水劑,可製造出能防止發生滴垂等現象,且無材料分離狀況、較輕、坍度損失較小、具良好作業性的混凝土。
      本發明的混凝土用水泥混合材,為使用聚羧酸鹽系減水劑,並含有膨潤土類(較佳為從膨潤土、酸性白土及活性白土所構成組群中選擇之一種或二種以上)、與聚乙烯醇;或為更進一步調配入糖類之該水泥混合材。本發明的水泥組成物,係以水泥、聚羧酸鹽系減水劑、膨潤土類、及該聚乙烯醇為主成分;或為更進一步調配入糖類之該水泥組成物;最好該水泥組成物係相對於水泥100份,含有聚羧酸鹽系減水劑0.3~5份、膨潤土類0.1~10份、聚乙烯醇0.03~1份及糖類0.01~0.2份。
    • 本发明系提供一种混凝土用水泥混合材及使用其之水泥组成物,该水泥混合材系使用聚羧酸盐系减水剂,可制造出能防止发生滴垂等现象,且无材料分离状况、较轻、坍度损失较小、具良好作业性的混凝土。 本发明的混凝土用水泥混合材,为使用聚羧酸盐系减水剂,并含有膨润土类(较佳为从膨润土、酸性白土及活性白土所构成组群中选择之一种或二种以上)、与聚乙烯醇;或为更进一步调配入糖类之该水泥混合材。本发明的水泥组成物,系以水泥、聚羧酸盐系减水剂、膨润土类、及该聚乙烯醇为主成分;或为更进一步调配入糖类之该水泥组成物;最好该水泥组成物系相对于水泥100份,含有聚羧酸盐系减水剂0.3~5份、膨润土类0.1~10份、聚乙烯醇0.03~1份及糖类0.01~0.2份。
    • 69. 发明专利
    • 半導體區塊黏合裝置、半導體區塊黏合方法及半導體晶圓之製造方法
    • 半导体区块黏合设备、半导体区块黏合方法及半导体晶圆之制造方法
    • TW201201262A
    • 2012-01-01
    • TW100105113
    • 2011-02-16
    • 電氣化學工業股份有限公司
    • 金井朋之宮崎隼人稻角雅史
    • H01L
    • H01L21/67092H01L21/6715H01L21/6838
    • 本發明係具備:將半導體區塊8及底層基板7搬入及搬出之搬出入部2;支持部:具備吸附於半導體區塊表面8之吸附墊32、藉由氣壓使連接至吸附墊32並吸附於吸附墊32之半導體區塊8上下移動之傳動裝置(actuator)33、及連接至傳動裝置之空氣機34;將含有聚合性乙烯單體之黏合劑塗布於底層基板7上之塗布部4;承載半導體區塊8或底層基板7並於搬出入部2、支持部3及塗布部4之間移動之載置台13;及控制裝置5:用以控制將底層基板7自搬出入部2搬送至塗布部4,而於塗布部4,將黏合劑塗布於底層基板7上之後,隨即將塗布後之底層基板7搬送至半導體區塊8之下方,並降下半導體區塊8使之與底層基板7黏合之步驟。
    • 本发明系具备:将半导体区块8及底层基板7搬入及搬出之搬出入部2;支持部:具备吸附于半导体区块表面8之吸附垫32、借由气压使连接至吸附垫32并吸附于吸附垫32之半导体区块8上下移动之传动设备(actuator)33、及连接至传动设备之空气机34;将含有聚合性乙烯单体之黏合剂涂布于底层基板7上之涂布部4;承载半导体区块8或底层基板7并于搬出入部2、支持部3及涂布部4之间移动之载置台13;及控制设备5:用以控制将底层基板7自搬出入部2搬送至涂布部4,而于涂布部4,将黏合剂涂布于底层基板7上之后,随即将涂布后之底层基板7搬送至半导体区块8之下方,并降下半导体区块8使之与底层基板7黏合之步骤。