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61. 发明专利

TW200816427A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200816427A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096127791
申请日：2007-07-30
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：栗田行樹 KURITA, TAKAKI , 井川治 IGAWA, OSAMU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L23/433 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
摘要：在一個半導體晶片被切出來之後,一個In-10原子%Ag球是置放在一個金屬薄膜上。接著,一個在一個加固物上的環氧榭脂薄片是黏貼到一個陶瓷基體上。這時,該In合金球被夾在一個中央凸出部份與該金屬薄膜之間。然後,一個In合金薄膜是藉由加熱、熔化、而然後冷卻該In合金球來從該In合金球形成。結果,該半導體晶片與一個熱散佈器是經由該金屬薄膜和該In合金薄膜來黏接。
简体摘要：在一个半导体芯片被切出来之后,一个In-10原子%Ag球是置放在一个金属薄膜上。接着,一个在一个加固物上的环氧榭脂薄片是黏贴到一个陶瓷基体上。这时,该In合金球被夹在一个中央凸出部份与该金属薄膜之间。然后,一个In合金薄膜是借由加热、熔化、而然后冷却该In合金球来从该In合金球形成。结果,该半导体芯片与一个热散布器是经由该金属薄膜和该In合金薄膜来黏接。

62. 发明专利

TW200816132A 顯示元件、顯示元件之影像重寫方法、使用顯示元件之電子紙及電子終端 DISPLAY ELEMENT, METHOD OF IMAGE OVERWRITING IN DISPLAY ELEMENT, AND ELECTRONIC PATER AS WELL AS ELECTRONIC TERMINAL USING DISPLAY ELEMENT 审中-公开
简体标题：显示组件、显示组件之影像重写方法、使用显示组件之电子纸及电子终端 DISPLAY ELEMENT, METHOD OF IMAGE OVERWRITING IN DISPLAY ELEMENT, AND ELECTRONIC PATER AS WELL AS ELECTRONIC TERMINAL USING DISPLAY ELEMENT
公开(公告)号：TW200816132A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095136378
申请日：2006-09-29
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：能勢將樹 NOSE, MASAKI , 吉原敏明 YOSHIHARA, TOSHIAKI , 新海知久 SHINGAI, TOMOHISA
IPC分类号： G09G
摘要：本發明係有關於顯示元件、顯示元件之影像重寫方法、使用顯示元件之電子紙及電子終端,且其目的在於實現可得到良好顯示品質之顯示元件、顯示元件之影像重寫方法、使用顯示元件之電子紙及電子終端。又,本發明係根據第1及第2影像重寫時的溫度、時間資訊、及領域R0之大小/位置資訊,選擇在第2影像重寫時重寫整個顯示領域DR、還是重寫含有領域R0之顯示領域DR的一部份領域S12。
简体摘要：本发明系有关于显示组件、显示组件之影像重写方法、使用显示组件之电子纸及电子终端,且其目的在于实现可得到良好显示品质之显示组件、显示组件之影像重写方法、使用显示组件之电子纸及电子终端。又,本发明系根据第1及第2影像重写时的温度、时间信息、及领域R0之大小/位置信息,选择在第2影像重写时重写整个显示领域DR、还是重写含有领域R0之显示领域DR的一部份领域S12。

63. 发明专利

TW200816055A 射頻辨識(RFID)標籤 RFID TAG 审中-公开
简体标题：射频辨识(RFID)标签 RFID TAG
公开(公告)号：TW200816055A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096124442
申请日：2007-07-05
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED , 富士通先端科技股份有限公司 FUJITSU FRONTECH LIMITED
发明人：馬場俊二 BABA, SHUNJI , 橋本繁 HASHIMOTO, SHIGERU , 杉村吉康 SUGIMURA, YOSHIYASU , 庭田剛 NIWATA, TSUYOSHI
IPC分类号： G06K
CPC分类号： G06K19/07728
摘要：一種減少彎折應力且同時防止天線破裂的射頻識別(RFID)標籤被提供,該RFID標籤包含一基部、一延伸在該基部上用於通訊的天線、及一經由該天線執行無線電通訊的電路晶片。該RFID標籤更包含一覆蓋了該電路晶片的周圍與該天線的一部分之晶片加强構件、以及一覆蓋該基部、該天線、該電路晶片及該晶片加强構件的覆蓋構件。該覆蓋構件係比晶片加强構件更具彈性。
简体摘要：一种减少弯折应力且同时防止天线破裂的射频识别(RFID)标签被提供,该RFID标签包含一基部、一延伸在该基部上用于通信的天线、及一经由该天线运行无线电通信的电路芯片。该RFID标签更包含一覆盖了该电路芯片的周围与该天线的一部分之芯片加强构件、以及一覆盖该基部、该天线、该电路芯片及该芯片加强构件的覆盖构件。该覆盖构件系比芯片加强构件更具弹性。

64. 发明专利

TW200815926A 光阻圖案增厚材料、形成光阻圖案之方法、半導體元件及其製造方法 RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：光阻图案增厚材料、形成光阻图案之方法、半导体组件及其制造方法 RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200815926A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096127260
申请日：2007-07-26
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：野崎耕司 NOZAKI, KOJI , 小澤美和 KOZAWA, MIWA
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/38 , C08K5/17 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11543 , H01L29/06
摘要：本發明提供一種可利用 ArF 準分子雷射光之光阻圖案增厚材料,此準分子雷射光當應用在欲增厚的光阻圖案上時,例如線條及空間圖案形成,不論欲增厚之光阻圖案的尺寸,可增厚欲增厚之光阻圖案,以及此準分子雷射光超越曝光限制,適用於形成精細之空間圖案或類似物。本發明亦提供形成光阻圖案之方法及製造半導體元件之方法,其中適當地應用本發明的光阻圖案增厚材料。
简体摘要：本发明提供一种可利用 ArF 准分子激光光之光阻图案增厚材料,此准分子激光光当应用在欲增厚的光阻图案上时,例如线条及空间图案形成,不论欲增厚之光阻图案的尺寸,可增厚欲增厚之光阻图案,以及此准分子激光光超越曝光限制,适用于形成精细之空间图案或类似物。本发明亦提供形成光阻图案之方法及制造半导体组件之方法,其中适当地应用本发明的光阻图案增厚材料。

65. 发明专利

TW200814789A 編碼資料傳送裝置與方法 ENCODED DATA TRANSFER DEVICE AND ENCODED DATA TRANSFERRING METHOD 审中-公开
简体标题：编码数据发送设备与方法 ENCODED DATA TRANSFER DEVICE AND ENCODED DATA TRANSFERRING METHOD
公开(公告)号：TW200814789A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096120084
申请日：2007-06-05
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：伊賀希一郎 IGA, KIICHIRO
IPC分类号： H04N
CPC分类号： H04N7/52 , H04N1/32448 , H04N21/23406 , H04N21/2383 , H04N21/44004
摘要：一種編碼資料傳送裝置包含一JPEG壓縮部其將影像資料轉換成編碼資料、一資料緩衝器其儲存來自該JPEG壓縮部之編碼資料、一儲存資料量偵測部其偵測儲存在該資料緩衝器中的編碼資料之儲存資料量達到一預定量、一資料傳送部其回應該儲存資料量偵測部的一結果將儲存在該資料緩衝器中的編碼資料傳送至外部、及一傳送資料量偵測部其偵測自該資料傳送部傳送來之該編碼資料的預定量。該資料緩衝器中,自該JPEG壓縮部的傳送係回應該儲存資料量偵測部的一結果而被禁止,並且自該JPEG壓縮部的傳送係回應一傳送資料量偵測部而被啓始。
简体摘要：一种编码数据发送设备包含一JPEG压缩部其将影像数据转换成编码数据、一数据缓冲器其存储来自该JPEG压缩部之编码数据、一存储数据量侦测部其侦测存储在该数据缓冲器中的编码数据之存储数据量达到一预定量、一数据发送部其回应该存储数据量侦测部的一结果将存储在该数据缓冲器中的编码数据发送至外部、及一发送数据量侦测部其侦测自该数据发送部发送来之该编码数据的预定量。该数据缓冲器中,自该JPEG压缩部的发送系回应该存储数据量侦测部的一结果而被禁止,并且自该JPEG压缩部的发送系回应一发送数据量侦测部而被启始。

66. 发明专利

TW200814528A 輸出緩衝器電路 OUTPUT BUFFER CIRCUIT 审中-公开
简体标题：输出缓冲器电路 OUTPUT BUFFER CIRCUIT
公开(公告)号：TW200814528A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096124438
申请日：2007-07-05
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：宮崎裕至 MIYAZAKI, HIROSHI
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/00315
摘要：可抑制電力啓動期間之錯誤信號之產生的輸出緩衝器電路包括依據具有介於第一電源供應器電位與接地參考電位間之振幅範圍之資料輸入信號產生第一信號的第一位準變換器。此第一信號具有介於與第一電源供應器電位不同之第二電源供應器電位與接地參考電位間之振幅範圍。第二位準變換器依據具有介於第一電源供應器與接地參考電位間之振幅範圍之控制輸入信號,產生具有介於第二電源供應器與接地參考電位間的振幅範圍之第二信號。第一信號自第二信號經過一延遲後下降。輸出電路產生輸出信號。時序調整電路可補償電力啓動期間之第一信號之下降延遲。
简体摘要：可抑制电力启动期间之错误信号之产生的输出缓冲器电路包括依据具有介于第一电源供应器电位与接地参考电位间之振幅范围之数据输入信号产生第一信号的第一位准变换器。此第一信号具有介于与第一电源供应器电位不同之第二电源供应器电位与接地参考电位间之振幅范围。第二位准变换器依据具有介于第一电源供应器与接地参考电位间之振幅范围之控制输入信号,产生具有介于第二电源供应器与接地参考电位间的振幅范围之第二信号。第一信号自第二信号经过一延迟后下降。输出电路产生输出信号。时序调整电路可补偿电力启动期间之第一信号之下降延迟。

67. 发明专利

TW200813857A 射頻標籤讀取器及方法(一) RF TAG READER AND METHOD 失效
简体标题：射频标签读取器及方法(一) RF TAG READER AND METHOD
公开(公告)号：TW200813857A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096127520
申请日：2007-07-27
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：木村重一 KIMURA, SHIGEKAZU
IPC分类号： G06K
CPC分类号： H04L1/1838 , G06K7/0008
摘要：一種被揭露的RF標籤讀取器從RF標籤接收至少包括識別資訊的資料;以預定的資訊替換部份的識別資訊;決定在包括部份替換識別資訊的資料中是否有一個錯誤會被偵測到;及把一個要求傳輸到該RF標籤俾可重送該資料,倘若一個錯誤是在包括該部份替換識別資訊的資料中被偵測到。
简体摘要：一种被揭露的RF标签读取器从RF标签接收至少包括识别信息的数据;以预定的信息替换部份的识别信息;决定在包括部份替换识别信息的数据中是否有一个错误会被侦测到;及把一个要求传输到该RF标签俾可重送该数据,倘若一个错误是在包括该部份替换识别信息的数据中被侦测到。

68. 发明专利

TW200812277A 無線電終端機、中繼站、無線電基地台及通訊方法 RADIO TERMINAL, RELAY STATION, RADIO BASE STATION AND COMMUNICATION METHOD 审中-公开
简体标题：无线电终端机、中继站、无线电基地台及通信方法 RADIO TERMINAL, RELAY STATION, RADIO BASE STATION AND COMMUNICATION METHOD
公开(公告)号：TW200812277A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096123752
申请日：2007-06-29
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：奧田將人 OKUDA, MASATO
IPC分类号： H04B , H04Q
CPC分类号： H04B7/2606
摘要：本發明利用一種通訊方法,其包含,以一無線電基地台,取得由一無線電終端機所測量來自無線電基地台不經任何中繼站所接收之接收信號的接收品質以及來自該無線電基地台經由一中繼站所接收之接收品質,並且根據所取得的兩個接收品質來選擇該無線電終端機的路線。此外,本發明利用一種中繼站,其包含一用於自該無線電基地台所告知的無線電終端機之傳送的一傳送時序下接收信號的接收單元、一用於測量由接收所得到之接收信號的接收品質、及一用於將該測量結果傳送至該無線電基地台的傳送單元。
简体摘要：本发明利用一种通信方法,其包含,以一无线电基地台,取得由一无线电终端机所测量来自无线电基地台不经任何中继站所接收之接收信号的接收品质以及来自该无线电基地台经由一中继站所接收之接收品质,并且根据所取得的两个接收品质来选择该无线电终端机的路线。此外,本发明利用一种中继站,其包含一用于自该无线电基地台所告知的无线电终端机之发送的一发送时序下接收信号的接收单元、一用于测量由接收所得到之接收信号的接收品质、及一用于将该测量结果发送至该无线电基地台的发送单元。

69. 发明专利

TW200812206A 步升/步降型直流對直流變換器及其控制電路與方法 STEP-UP/STEP-DOWN TYPE DC-DC CONVERTER, AND CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：步升/步降型直流对直流变换器及其控制电路与方法 STEP-UP/STEP-DOWN TYPE DC-DC CONVERTER, AND CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW200812206A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096118748
申请日：2007-05-25
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：永井龍太 NAGAI, RYUTA , 松本敬史 MATSUMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H02M
CPC分类号： H02M3/157 , H02M3/1582
摘要：為了提供一種能夠實現高效率之步升/步降型直流對直流變換器的控制電路與控制方法。在一狀態(1)中,一扼流線圈的一端Tx係連接至一輸入端Tin,且一端Ty係連接至參考電位。在一狀態(2)中,該端Tx係連接至該參考電位,且該端Ty係連接至一輸出端Tout。在一狀態(3)中,該端Tx係連接至該輸入端Tin,且該端Ty係連接至該輸出端Tout。一第一期間操作TO1係由該等狀態(1)與(2)構成,且一第二期間操作TO2係由該等狀態(1)與(3)構成。該第二期間操作TO2被執行在其中的一第二期間T2是一如該第一期間操作TO1被執行在其中之一第一期間T1的n倍長之値。該第二期間操作TO2中,狀態(1)被切換至狀態(3)以至於一電感電流的增加斜率被降低。
简体摘要：为了提供一种能够实现高效率之步升/步降型直流对直流变换器的控制电路与控制方法。在一状态(1)中,一扼流线圈的一端Tx系连接至一输入端Tin,且一端Ty系连接至参考电位。在一状态(2)中,该端Tx系连接至该参考电位,且该端Ty系连接至一输出端Tout。在一状态(3)中,该端Tx系连接至该输入端Tin,且该端Ty系连接至该输出端Tout。一第一期间操作TO1系由该等状态(1)与(2)构成,且一第二期间操作TO2系由该等状态(1)与(3)构成。该第二期间操作TO2被运行在其中的一第二期间T2是一如该第一期间操作TO1被运行在其中之一第一期间T1的n倍长之値。该第二期间操作TO2中,状态(1)被切换至状态(3)以至于一电感电流的增加斜率被降低。

70. 发明专利

TW200812148A 平面天線 PLANAR ANTENNA 审中-公开
简体标题：平面天线 PLANAR ANTENNA
公开(公告)号：TW200812148A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096122477
申请日：2007-06-22
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：山城尚志 YAMAGAJO, TAKASHI , 馬庭透 MANIWA, TORU , 安德瑞寇安德雷 ANDRENKO, ANDREY
IPC分类号： H01Q
CPC分类号： H01Q21/24 , H01Q1/38 , H01Q9/065
摘要：該平面天線包括:一個被供應有電力的線性輻射天線元件;及數個不被供應有電力的線性寄生天線元件。該等寄生天線元件是設置在一個位置,該輻射天線元件與該等寄生天線元件在沒有直接接觸下於該位置彼此相交。該等寄生天線元件橫臥在一個方向上,該輻射天線元件與該等寄生天線元件在該方向上彼此相交,而且該數個寄生天線元件之與輻射天線元件相交之相交部份中之每一者是與該輻射天線元件平行。結果,要提供一個能夠得到良好圓形極化波之具有簡單結構的平面天線是有可能的。此外,該平面天線亦能夠以較小尺寸製造。
简体摘要：该平面天线包括:一个被供应有电力的线性辐射天线组件;及数个不被供应有电力的线性寄生天线组件。该等寄生天线组件是设置在一个位置,该辐射天线组件与该等寄生天线组件在没有直接接触下于该位置彼此相交。该等寄生天线组件横卧在一个方向上,该辐射天线组件与该等寄生天线组件在该方向上彼此相交,而且该数个寄生天线组件之与辐射天线组件相交之相交部份中之每一者是与该辐射天线组件平行。结果,要提供一个能够得到良好圆形极化波之具有简单结构的平面天线是有可能的。此外,该平面天线亦能够以较小尺寸制造。

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