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51. 发明专利

TWI471436B Ｍｏ系濺鍍標靶板及其製造方法有权
简体标题：Ｍｏ系溅镀标靶板及其制造方法
公开(公告)号：TWI471436B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW097101370
申请日：2008-01-11
申请人：新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人：稻熊徹 , INAGUMA, TORU , 坂本廣明 , SAKAMOTO, HIROAKI , 大石忠美 , OISHI, TADAMI , 泉真吾 , IZUMI, SHINGO , 中村元 , NAKAMURA, HAJIME
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , C22C27/04
CPC分类号： C22C27/04 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22F1/18 , C23C14/3414 , B22F9/04 , B22F3/04 , B22F3/15

52. 发明专利

TW201439347A 金屬薄膜及金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材审中-公开
简体标题：金属薄膜及金属薄膜形成用钼合金溅镀靶材
公开(公告)号：TW201439347A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103105379
申请日：2014-02-19
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34 , C22C27/04 , C22C19/03
摘要：本發明提供一種包含鉬合金的電子零件用金屬薄膜及用以形成該金屬薄膜的鉬合金濺鍍靶材，該金屬薄膜可改善耐濕性或抗氧化性，並且在低電阻的Al或Cu的主配線膜上形成金屬薄膜作為基底膜或覆蓋膜時，即便經過加熱步驟亦可維持低電阻值。本發明是關於一種金屬薄膜及金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材。該金屬薄膜合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。該金屬薄膜形成用鉬合金濺鍍靶材合計含有3原子%以上的選自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一種以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合計含有50原子%以下的選自上述元素族群A中的元素與上述Ni，剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質。
简体摘要：本发明提供一种包含钼合金的电子零件用金属薄膜及用以形成该金属薄膜的钼合金溅镀靶材，该金属薄膜可改善耐湿性或抗氧化性，并且在低电阻的Al或Cu的主配线膜上形成金属薄膜作为基底膜或覆盖膜时，即便经过加热步骤亦可维持低电阻值。本发明是关于一种金属薄膜及金属薄膜形成用钼合金溅镀靶材。该金属薄膜合计含有3原子%以上的选自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一种以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合计含有50原子%以下的选自上述元素族群A中的元素与上述Ni，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质。该金属薄膜形成用钼合金溅镀靶材合计含有3原子%以上的选自Cr、Zr及Ta的元素族群A中的一种以上，含有10原子%~45原子%的Ni，且合计含有50原子%以下的选自上述元素族群A中的元素与上述Ni，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质。

53. 发明专利

TW201422825A 多元合金塊材及其製作方法审中-公开
简体标题：多元合金块材及其制作方法
公开(公告)号：TW201422825A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101145745
申请日：2012-12-05
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：周育賢 , CHOU, YU HSIEN , 楊智超 , YANG, CHIH CHAO
IPC分类号： C22C30/00 , C22C27/04 , C22F1/16
CPC分类号： C22C30/00 , C22C27/04 , C22C27/06 , C22F1/16 , C22F1/18
摘要：一種多元合金塊材，係由鋁(Al)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉬(Mo)和鎳(Ni)所組成，多元合金塊材之硬度係由外往中心遞減而使多元合金塊材呈現一硬度梯度。其製造方法包括熔煉AlCrFeMnMoNi之金屬組合、鑄造成型、均質化處理和高溫處理，使多元合金塊體加熱使其受高溫而在表面完成析出硬化，而形成具連續硬度梯度之多元合金塊材。例如可達到400Hv以上之外部硬度，從多元合金塊材之外表面向內例如至少1mm厚度具有此外部硬度。
简体摘要：一种多元合金块材，系由铝(Al)、铬(Cr)、铁(Fe)、锰(Mn)、钼(Mo)和镍(Ni)所组成，多元合金块材之硬度系由外往中心递减而使多元合金块材呈现一硬度梯度。其制造方法包括熔炼AlCrFeMnMoNi之金属组合、铸造成型、均质化处理和高温处理，使多元合金块体加热使其受高温而在表面完成析出硬化，而形成具连续硬度梯度之多元合金块材。例如可达到400Hv以上之外部硬度，从多元合金块材之外表面向内例如至少1mm厚度具有此外部硬度。

54. 发明专利

TWI401124B 鎢合金粒，使用其之加工方法及其製造方法失效
简体标题：钨合金粒，使用其之加工方法及其制造方法
公开(公告)号：TWI401124B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW095143690
申请日：2006-11-27
申请人：聯合材料股份有限公司 , A. L. M. T. CORP.
发明人：菊原真治 , SHINJI KIKUHARA , 井上均 , HITOSHI INOUE , 上西昇 , NOBORU UENISHI , 梅本智史 , SATOSHI UMEMOTO
IPC分类号： B22F1/00 , B24B31/14 , C22C27/04 , B22F3/00
CPC分类号： B24B31/02 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C09K3/1409 , C22C1/045 , C22C27/04 , Y10T428/2982 , B22F2207/01 , B22F1/0003 , B22F1/0059 , B22F9/04 , B22F1/0014 , B22F3/10 , B22F9/026

55. 发明专利

TW201319291A Ｍｏ－Ｗ靶材及其製造方法审中-公开
简体标题：Ｍｏ－Ｗ靶材及其制造方法
公开(公告)号：TW201319291A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101133450
申请日：2012-09-13
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：馬文平 , MA, WENPING , 松本博 , MATSUMOTO, HIROSHI , 新田純一 , NITTA, JUNICHI , 清田淳也 , KIYOTA, JUNYA , 武井應樹 , TAKEI, MASAKI , 坂本純一 , SAKAMOTO, JUNICHI
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/04 , C22C27/04 , B22F1/00 , B22F3/15
CPC分类号： C22C27/04 , B22F3/15 , C22C1/045 , C23C14/3414
摘要：本發明之課題係提供一種Mo-W靶材及其製造方法，其不施加軋延處理即能達成相對密度之提升。本發明解決課題之手段係在1100℃以上1300℃以下之溫度對鉬粉末進行脫氧處理，將鎢粉末與經過脫氧處理之上述鉬粉末混合，以特定溫度加壓燒結上述鉬粉末與上述鎢粉末的混合粉末。藉此抑制燒結時空孔(孔隙)之產生，並促進燒結體之高密度化。因此若依據上述製造方法，由於不施加軋延處理即能達成燒結體的高密度化，故可實現在濺鍍成膜時使膜厚均勻化。
简体摘要：本发明之课题系提供一种Mo-W靶材及其制造方法，其不施加轧延处理即能达成相对密度之提升。本发明解决课题之手段系在1100℃以上1300℃以下之温度对钼粉末进行脱氧处理，将钨粉末与经过脱氧处理之上述钼粉末混合，以特定温度加压烧结上述钼粉末与上述钨粉末的混合粉末。借此抑制烧结时空孔(孔隙)之产生，并促进烧结体之高密度化。因此若依据上述制造方法，由于不施加轧延处理即能达成烧结体的高密度化，故可实现在溅镀成膜时使膜厚均匀化。

56. 发明专利

TWI701346B 經塗佈的彈性組分有权
简体标题：经涂布的弹性组分
公开(公告)号：TWI701346B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105133024
申请日：2016-10-13
申请人：奧地利商攀時歐洲公司 , PLANSEE SE
发明人：胡斯頓堡爾哈拉德 , KOESTENBAUER, HARALD
IPC分类号： C22C27/04 , C22C30/00 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L29/786

57. 发明专利

TWI684660B TiW合金靶材及其製造方法有权
简体标题： TiW合金靶材及其制造方法
公开(公告)号：TWI684660B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW108100969
申请日：2019-01-10
申请人：日商日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：熊谷卓哉 , KUMAGAI, TAKUYA , 十亀宏明 , SOGAME, HIROAKI
IPC分类号： C23C14/34 , C22C27/04

58. 发明专利

TWI674325B MoNb靶材有权
公开(公告)号：TWI674325B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107122348
申请日：2018-06-28
申请人：日商日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：福岡淳 , FUKUOKA, JUN , 青木大輔 , AOKI, DAISUKE , 斉藤和也 , SAITO, KAZUYA , 上野英 , UENO, HIDE
IPC分类号： C22C27/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285

59. 发明专利

TWI663273B 鎢濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钨溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI663273B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104132372
申请日：2015-09-30
申请人：日商JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：大橋一允 , OHASHI, KAZUMASA , 小田國博 , ODA, KUNIHIRO
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/04 , C22C27/04 , B22F3/14

60. 发明专利

TW201907023A MoNb靶材审中-公开
公开(公告)号：TW201907023A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107122348
申请日：2018-06-28
申请人：日商日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：福岡淳 , FUKUOKA, JUN , 青木大輔 , AOKI, DAISUKE , 斉藤和也 , SAITO, KAZUYA , 上野英 , UENO, HIDE
IPC分类号： C22C27/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285
摘要：本發明提供一種靶材，其能夠解決配線薄膜或電極薄膜的基底膜或覆蓋膜中產生的高電阻的問題、與由濺鍍中的靶材的表面粗糙度引起的瘤塊的問題，並以低電阻形成適合於獲得穩定的TFT特性的平面圖像顯示裝置的MoNb薄膜。較佳為一種如下MoNb靶材，其具有含有5原子%～30原子%的Nb、且剩餘部分包含Mo及不可避免的雜質的組成，於濺鍍面的每200000 μm2中，具有超過70 μm的最大長度的Nb相未滿1.0個，Nb相的平均圓當量直徑為15 μm～65 μm。
简体摘要：本发明提供一种靶材，其能够解决配线薄膜或电极薄膜的基底膜或覆盖膜中产生的高电阻的问题、与由溅镀中的靶材的表面粗糙度引起的瘤块的问题，并以低电阻形成适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示设备的MoNb薄膜。较佳为一种如下MoNb靶材，其具有含有5原子%～30原子%的Nb、且剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的组成，于溅镀面的每200000 μm2中，具有超过70 μm的最大长度的Nb相未满1.0个，Nb相的平均圆当量直径为15 μm～65 μm。

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