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51. 发明专利

TWI606490B 半導體膜的製造方法，半導體裝置的製造方法，和光電轉換裝置的製造方法有权
简体标题：半导体膜的制造方法，半导体设备的制造方法，和光电转换设备的制造方法
公开(公告)号：TWI606490B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW100122000
申请日：2011-06-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：田中哲弘 , TANAKA, TETSUHIRO , 加藤繪里香 , KATO, ERIKA
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/336 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/20 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L31/0304 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/0376 , H01L31/03762 , H01L31/03765 , H01L31/072 , H01L31/0735 , H01L31/105 , H01L31/1136 , H01L31/1808 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1852 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521

52. 发明专利

TWI573859B 紋理蝕刻液組成物及結晶狀矽晶圓之紋理蝕刻方法有权
简体标题：纹理蚀刻液组成物及结晶状硅晶圆之纹理蚀刻方法
公开(公告)号：TWI573859B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW100128913
申请日：2011-08-12
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：洪亨杓 , HONG, HYUNG-PYO , 李在連 , LEE, JAE-YOUN , 林大成 , LIM, DAE-SUNG
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/306 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/302 , C09K13/00 , C09K13/02 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L31/02363 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/50

53. 发明专利

TW201539776A 具有藉由印刷導體串聯連接之印刷光伏打電池之光伏打模組审中-公开
简体标题：具有借由印刷导体串联连接之印刷光伏打电池之光伏打模块
公开(公告)号：TW201539776A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104104287
申请日：2015-02-09
申请人：尼斯迪格瑞科技環球公司 , NTHDEGREE TECHNOLOGIES WORLDWIDE INC.
发明人：楊伯翠霞 , YOUNGBULL, TRICIA , 歐若拉伯來迪史帝芬 , ORAW, BRADLEY STEVEN , 瑞威廉約翰史東 , RAY, WILLIAM JOHNSTONE
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1824 , H01L27/1421 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0443 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/18 , H01L31/188 , Y02E10/50
摘要：形成一種光伏打模組，其具有光伏打電池之陣列，其中該等電池藉由間隙分開。各電池含有並聯連接之小矽球體二極體(直徑為10微米至300微米)之陣列。可藉由印刷來圖案化二極體及導體層。一連續金屬基板支撐所有該等電池中之二極體及導體層。將一介電基板層壓至金屬基板。接著，藉由雷射燒蝕圍繞該等電池而形成溝渠以切斷金屬基板，以形成電隔離之光伏打電池。接著，執行一金屬化步驟以串聯連接該等電池，以增大該光伏打模組之電壓輸出。亦藉由該溝渠形成步驟形成各電池之一電隔離旁路二極體。金屬化步驟以一反並聯關係連接旁路二極體與其相關聯電池。
简体摘要：形成一种光伏打模块，其具有光伏打电池之数组，其中该等电池借由间隙分开。各电池含有并联连接之小硅球体二极管(直径为10微米至300微米)之数组。可借由印刷来图案化二极管及导体层。一连续金属基板支撑所有该等电池中之二极管及导体层。将一介电基板层压至金属基板。接着，借由激光烧蚀围绕该等电池而形成沟渠以切断金属基板，以形成电隔离之光伏打电池。接着，运行一金属化步骤以串联连接该等电池，以增大该光伏打模块之电压输出。亦借由该沟渠形成步骤形成各电池之一电隔离旁路二极管。金属化步骤以一反并联关系连接旁路二极管与其相关联电池。

54. 发明专利

TWI453939B 太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI453939B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW099147033
申请日：2010-12-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 李欣峯 , LI, HSIN FENG , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521

55. 发明专利

TWI413271B 太陽能電池之製造方法有权
简体标题：太阳能电池之制造方法
公开(公告)号：TWI413271B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW098144619
申请日：2009-12-23
申请人：樂金顯示科技股份有限公司 , LG DISPLAY CO., LTD.
发明人：李正禹 , LEE, JEONG WOO , 朴成基 , PARK, SEONG KEE , 沈敬珍 , SHIM, KYUNG JIN , 金泰潤 , KIM, TAE YOUN , 朴元緒 , PARK, WON SEO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/202 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/078 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521

56. 发明专利

TW201334211A 薄膜太陽能電池的中間反射結構审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池的中间反射结构
公开(公告)号：TW201334211A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101148644
申请日：2012-12-20
申请人： TEL太陽能股份有限公司 , TEL SOLAR AG
发明人：菲西歐盧莫拉利瑪莉安 , FECIORU-MORARIU, MARIAN
IPC分类号： H01L31/052
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明涉及一種高效率及低成本製造的多接面薄膜太陽能電池(70)。多接面薄膜太陽能電池的構成電池(61)當中一個的n層(64、65、66、67)具有在照射光的既定方向上包含如下序列的結構：非晶形氫化矽n層(64)、第一微晶形氫化矽n層(65)、中間反射層(66)及第二微晶形氫化矽n層(67)，其中中間反射層係下列之一者：-單一的基本上微晶形氧化矽層；或-複數個層序列，每個層序列係由在照射光的既定方向上的基本上微晶形氧化矽層、及微晶矽n層所構成。本發明還涉及製造上述n層(64、65、66、67)的方法，及製造上述多接面薄膜太陽能電池(70)的方法。
简体摘要：本发明涉及一种高效率及低成本制造的多接面薄膜太阳能电池(70)。多接面薄膜太阳能电池的构成电池(61)当中一个的n层(64、65、66、67)具有在照射光的既定方向上包含如下串行的结构：非晶形氢化硅n层(64)、第一微晶形氢化硅n层(65)、中间反射层(66)及第二微晶形氢化硅n层(67)，其中中间反射层系下列之一者：-单一的基本上微晶形氧化硅层；或-复数个层串行，每个层串行系由在照射光的既定方向上的基本上微晶形氧化硅层、及微晶硅n层所构成。本发明还涉及制造上述n层(64、65、66、67)的方法，及制造上述多接面薄膜太阳能电池(70)的方法。

57. 发明专利

TW201319301A 成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201319301A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101131535
申请日：2012-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森島雅人 , MORISHIMA, MASATO
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
摘要：本發明的課題是在於利用電漿CVD法，將例如成為太陽電池的發電層的矽膜成膜時，可控制矽膜的結晶性之成膜方法。其解決手段是組合：第1工程(預混合)，其係預先混合氫氣及甲矽烷氣體，使此混合氣體電漿化，在基板(S)上將矽膜(F1)成膜；及第2工程(後混合)，其係分別供給氫氣及甲矽烷氣體而使電漿化，將矽膜(F2)成膜。組合的例子可舉：在基板(S)上藉由預混合來將矽膜(F1)成膜，在該矽膜(F1)上藉由後混合來將矽膜(F2)成膜之方法，在基板(S)上將矽膜(F1)及(F2)交替成膜複數次之方法等。
简体摘要：本发明的课题是在于利用等离子CVD法，将例如成为太阳电池的发电层的硅膜成膜时，可控制硅膜的结晶性之成膜方法。其解决手段是组合：第1工程(预混合)，其系预先混合氢气及甲硅烷气体，使此混合气体等离子化，在基板(S)上将硅膜(F1)成膜；及第2工程(后混合)，其系分别供给氢气及甲硅烷气体而使等离子化，将硅膜(F2)成膜。组合的例子可举：在基板(S)上借由预混合来将硅膜(F1)成膜，在该硅膜(F1)上借由后混合来将硅膜(F2)成膜之方法，在基板(S)上将硅膜(F1)及(F2)交替成膜复数次之方法等。

58. 发明专利

TW201228002A 薄膜太陽能電池堆疊製造方法及其薄膜太陽能電池 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM SOLAR CELLS AND THIN FILM SOLAR CELLS THEREOF 审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池堆栈制造方法及其薄膜太阳能电池 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM SOLAR CELLS AND THIN FILM SOLAR CELLS THEREOF
公开(公告)号：TW201228002A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099146191
申请日：2010-12-27
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：彭振維 , 盧俊雄 , 黃昭雄 , 張評款
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/1824 , Y02E10/542 , Y02E10/545 , Y02P70/521
摘要：本發明係揭露一種薄膜太陽能電池堆疊製造方法及其薄膜太陽能電池,其包含一基板、一非晶矽層、一第一導電型層、一本質型堆疊層、一第二導電型層以及一背電極層。非晶矽層係位於基板上。第一導電型層係位於非晶矽層上。本質型堆疊層係位於第一導電型層上,且本質型堆疊層由下而上係由不同沉積率的第一本質型層、第二本質型層及第三本質型層堆疊而成,該第二本質型層,相對於該第一本質型層及該第三本質型層具有較高之沉積率。第二導電型層係位於本質型堆疊層上。背電極層係位於第二導電型層上方,該背電極層係取出電能。
简体摘要：本发明系揭露一种薄膜太阳能电池堆栈制造方法及其薄膜太阳能电池,其包含一基板、一非晶硅层、一第一导电型层、一本质型堆栈层、一第二导电型层以及一背电极层。非晶硅层系位于基板上。第一导电型层系位于非晶硅层上。本质型堆栈层系位于第一导电型层上,且本质型堆栈层由下而上系由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆栈而成,该第二本质型层,相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高之沉积率。第二导电型层系位于本质型堆栈层上。背电极层系位于第二导电型层上方,该背电极层系取出电能。

59. 发明专利

TW201227994A 太陽能電池及其製作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201227994A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099147033
申请日：2010-12-30
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 李欣峯 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池,包括一半導體基底、一第一摻雜半導體層、一絕緣層、一第二摻雜半導體層以及一第一電極層。半導體基底具有第一摻雜型式。第一摻雜半導體層係設置於半導體基底上,且第一摻雜半導體層包含一摻雜接觸區。絕緣層係設置於第一摻雜半導體層上且暴露出摻雜接觸區。第二摻雜半導體層係設置於絕緣層與摻雜接觸區上。第一摻雜半導體層、摻雜接觸區與第二摻雜半導體層具有第二摻雜型式,且第二摻雜半導體層之摻雜濃度實質上介於摻雜接觸區之摻雜濃度與第一摻雜半導體層之摻雜濃度之間。第一電極層係對應於摻雜接觸區。
简体摘要：一种太阳能电池,包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层系设置于半导体基底上,且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层系设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层系设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式,且第二掺杂半导体层之掺杂浓度实质上介于掺杂接触区之掺杂浓度与第一掺杂半导体层之掺杂浓度之间。第一电极层系对应于掺杂接触区。

60. 发明专利

TW201123466A 光電轉換裝置的製造方法 METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE 审中-公开
简体标题：光电转换设备的制造方法 METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
公开(公告)号：TW201123466A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099127456
申请日：2010-08-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：樋浦吉和 , 堅石李甫 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1824 , C23C16/45557 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/077 , Y02E10/545 , Y02P70/521
摘要：本發明所提供的係一種使用不具有空穴於晶粒間的密質結晶半導體膜之光電轉換元件的製造技術。具有第一電極，單元胞格，及第二電極於基板上之光電轉換裝置的製造方法包含以下步驟：在其中電漿CVD設備的室中之反應氣體的壓力係設定為自450帕至13332帕，及電漿CVD設備的第一電極與第二電極之間的距離係設定為自1毫米至20毫米，較佳地，自4毫米至16毫米之條件下，藉由供應60MHz或更小的高頻功率至該第一電極，而形成電漿區於該第一電極與該第二電極之間；形成包含結晶半導體之沈積先質於包含電漿區的氣相中；藉由沈積該等沈積先質而形成具有自5奈米至15奈米之晶粒尺寸的晶核；以及藉由自晶核來成長晶體而形成具有第一導電型的半導體膜，有效於光電轉換的半導體膜，或具有第二導電型的半導體膜於單元胞格之中。
简体摘要：本发明所提供的系一种使用不具有空穴于晶粒间的密质结晶半导体膜之光电转换组件的制造技术。具有第一电极，单元胞格，及第二电极于基板上之光电转换设备的制造方法包含以下步骤：在其中等离子CVD设备的室中之反应气体的压力系设置为自450帕至13332帕，及等离子CVD设备的第一电极与第二电极之间的距离系设置为自1毫米至20毫米，较佳地，自4毫米至16毫米之条件下，借由供应60MHz或更小的高频功率至该第一电极，而形成等离子区于该第一电极与该第二电极之间；形成包含结晶半导体之沉积先质于包含等离子区的气相中；借由沉积该等沉积先质而形成具有自5奈米至15奈米之晶粒尺寸的晶核；以及借由自晶核来成长晶体而形成具有第一导电型的半导体膜，有效于光电转换的半导体膜，或具有第二导电型的半导体膜於单元胞格之中。

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