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51. 发明专利

TW200401407A 半導體元件 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体组件 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200401407A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：TW092116113
申请日：2003-06-13
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：吉村鐵夫 TETSUO YOSHIMURA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/10 , H01L27/0617 , H01L27/08
摘要：一種能夠防止被設置於其上之電感器元件之性能降級的半導體元件係被提供。一個高電阻區域係被設置在該形成於該半導體基體上的電感器元件下面。該高電阻區域係被形成比該p－通道和n－通道MOS電晶體的井區域更深，因此防止一個渦流因該由電感器元件所產生之磁通的引起。
简体摘要：一种能够防止被设置于其上之电感器组件之性能降级的半导体组件系被提供。一个高电阻区域系被设置在该形成于该半导体基体上的电感器组件下面。该高电阻区域系被形成比该p－信道和n－信道MOS晶体管的井区域更深，因此防止一个涡流因该由电感器组件所产生之磁通的引起。

53. 发明专利

TW201743431A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201743431A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105118570
申请日：2016-06-14
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：邢溯 , XING, SU , 王學文 , WANG, HSUEH-WEN
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/96
CPC分类号： H01L27/0635 , G05F1/56 , H01L21/8249 , H01L21/8258 , H01L27/0207 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L28/00 , H01L29/0649 , H01L29/26 , H01L29/41708 , H01L29/4966 , H01L29/66234 , H01L29/735
摘要：本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，然後形成一雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT)於該基底上，形成一金氧半導體電晶體於基底上並電連接雙極性接面電晶體，形成一電阻於基底上並電連接金氧半導體電晶體，形成一介電層於基底上並覆蓋雙極性接面電晶體、該金氧半導體電晶體及該電阻，以及形成一氧化物半導體場效電晶體於介電層上並電連接金氧半導體電晶體及電阻。
简体摘要：本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，然后形成一双极性接面晶体管(bipolar junction transistor, BJT)于该基底上，形成一金属氧化物半导体晶体管于基底上并电连接双极性接面晶体管，形成一电阻于基底上并电连接金属氧化物半导体晶体管，形成一介电层于基底上并覆盖双极性接面晶体管、该金属氧化物半导体晶体管及该电阻，以及形成一氧化物半导体场效应管于介电层上并电连接金属氧化物半导体晶体管及电阻。

54. 发明专利

TW201719858A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201719858A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW106101884
申请日：2014-03-04
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：船矢琢央 , FUNAYA, TAKUO , 五十嵐孝行 , IGARASHI, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
摘要：在半導體基板(SB)上隔著第1絕緣膜形成有線圈(CL1)，以能夠覆蓋第1絕緣膜及線圈(CL1)的方式形成第2絕緣膜，在第2絕緣膜上形成焊墊(PD1)。在第2絕緣膜上是形成具有露出焊墊(PD1)的一部分的開口部(OP1)之層疊膜(LF)，在前述層疊絕緣膜上形成線圈(CL2)。線圈(CL2)是被配置於線圈(CL1)的上方，線圈(CL2)與線圈(CL1)是被磁性地結合。層疊膜(LF)是由：氧化矽膜(LF1)，及其上的氮化矽膜(LF2)，以及其上的樹脂膜(LF3)所構成。
简体摘要：在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜形成有线圈(CL1)，以能够覆盖第1绝缘膜及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成焊垫(PD1)。在第2绝缘膜上是形成具有露出焊垫(PD1)的一部分的开口部(OP1)之层叠膜(LF)，在前述层叠绝缘膜上形成线圈(CL2)。线圈(CL2)是被配置于线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)是被磁性地结合。层叠膜(LF)是由：氧化硅膜(LF1)，及其上的氮化硅膜(LF2)，以及其上的树脂膜(LF3)所构成。

55. 发明专利

TWI573178B 具有氮化鎵基元件與矽基元件於其上之矽基板以及於矽基板上形成氮化鎵基元件與矽基元件之方法有权
简体标题：具有氮化镓基组件与硅基组件于其上之硅基板以及于硅基板上形成氮化镓基组件与硅基组件之方法
公开(公告)号：TWI573178B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW100106854
申请日：2011-03-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 余俊磊 , YU, JIUN LEI JERRY , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 段孝勤 , TUAN, HSIAO CHIN , 卡尼斯基艾利克斯 , KALNITSKY, ALEX
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L27/0617 , H01L21/26506 , H01L21/8258 , H01L27/085 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

56. 发明专利

TWI557918B 具電晶體陣列之積體電路及其佈局方法有权
简体标题：具晶体管数组之集成电路及其布局方法
公开(公告)号：TWI557918B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103134427
申请日：2014-10-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張清河 , CHANG, CHINGHO , 洪照俊 , HORNG, JAWJUINN , 彭永州 , PENG, YUNGCHOW
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： G05F3/262 , G06F17/5072 , H01L27/0617 , H01L27/0705 , H01L27/10 , H01L29/42376

57. 发明专利

TW201626505A 半導體熔絲及其製法审中-公开
简体标题：半导体熔丝及其制法
公开(公告)号：TW201626505A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104126811
申请日：2015-08-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：辛格杰高爾 , SINGH, JAGAR , 密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/525 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/5256 , G11C17/16 , H01L21/823431 , H01L27/0617 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提出具有磊晶熔絲連接區之半導體熔絲及其製法。該方法包括：製造包含以熔絲連接區電性連接的陽極區和陰極區的半導體熔絲，該製造包括：在該陽極區和該陰極區之間以磊晶方式形成該熔絲連接區，其中該熔絲連接區有助於在該陽極區和該陰極區之間施加編程電流時令該半導體熔絲形成斷路。該半導體熔絲包括：以熔絲連接區電性連接的陽極區和陰極區，其中該熔絲連接區包括磊晶結構且有助於在該陽極區和該陰極區之間施加編程電流時令該半導體熔絲的形成斷路，其中，該磊晶結構係與該半導體熔絲的該陽極區和該陰極區至少部分結晶對準。
简体摘要：本发明提出具有磊晶熔丝连接区之半导体熔丝及其制法。该方法包括：制造包含以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区的半导体熔丝，该制造包括：在该阳极区和该阴极区之间以磊晶方式形成该熔丝连接区，其中该熔丝连接区有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝形成断路。该半导体熔丝包括：以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区，其中该熔丝连接区包括磊晶结构且有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝的形成断路，其中，该磊晶结构系与该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区至少部分结晶对准。

58. 发明专利

TWI540700B 半導體組成件及其製造方法有权
简体标题：半导体组成件及其制造方法
公开(公告)号：TWI540700B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103121893
申请日：2014-06-25
申请人：通用電機股份有限公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：卡夏普阿維納許 , KASHYAP, AVINASH SRIKRISHNAN , 珊維克彼得 , SANDVIK, PETER MICAH , 周銳 , ZHOU, RUI
IPC分类号： H01L23/60 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786

59. 发明专利

TWI485834B 結合靜電放電保護電路及方法有权
简体标题：结合静电放电保护电路及方法
公开(公告)号：TWI485834B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101130697
申请日：2012-08-23
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：范曉峰 , FAN, XIAOFENG , 錢麥可D , CHAINE, MICHAEL D.
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H02H9/044 , H01L27/0259 , H01L27/0262 , H01L27/0617 , H01L27/0817 , H02H9/046

60. 发明专利

TW201517238A 半導體組成件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组成件及其制造方法
公开(公告)号：TW201517238A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103121893
申请日：2014-06-25
申请人：通用電機股份有限公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：卡夏普阿維納許 , KASHYAP, AVINASH SRIKRISHNAN , 珊維克彼得 , SANDVIK, PETER MICAH , 周銳 , ZHOU, RUI
IPC分类号： H01L23/60 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786
摘要：本發明提供一種單片整合式半導體組成件。該半導體組成件包含一包含碳化矽(SiC)的基板，且氮化鎵(GaN)半導體裝置被製造在該基板上。該半導體組成件進一步包含被製造在該基板中或該基板上之至少一個暫態電壓抑制器(TVS)結構，其中，該TVS結構與該GaN半導體裝置成電接觸。當跨於該GaN半導體裝置上之施加電壓係大於臨限電壓時，該TVS結構被組構成操作於衝穿模式、突崩模式或其組合。本發明亦提供單片整合式半導體組成件之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种单片集成式半导体组成件。该半导体组成件包含一包含碳化硅(SiC)的基板，且氮化镓(GaN)半导体设备被制造在该基板上。该半导体组成件进一步包含被制造在该基板中或该基板上之至少一个暂态电压抑制器(TVS)结构，其中，该TVS结构与该GaN半导体设备成电接触。当跨于该GaN半导体设备上之施加电压系大于临限电压时，该TVS结构被组构成操作于冲穿模式、突崩模式或其组合。本发明亦提供单片集成式半导体组成件之制造方法。

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