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51. 发明专利

TWI509694B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI509694B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW103120788
申请日：2010-09-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：赤江尚德 , AKAE, NAONORI , 廣瀨義朗 , HIROSE, YOSHIRO , 高澤裕真 , TAKASAWA, YUSHIN , 太田陽介 , OTA, YOSUKE , 笹島亮太 , SASAJIMA, RYOTA
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/3185

52. 发明专利

TW201541515A 隙縫塡充技術中的精確膜厚度控制审中-公开
简体标题：隙缝填充技术中的精确膜厚度控制
公开(公告)号：TW201541515A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104106307
申请日：2015-02-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李寧 , LI, NING , 閆文波 , YAN, WENBO , 蓋葉維多 , NGUYEN, VICTOR , 鄭共 , TRINH, CONG , 巴賽諾米海拉 , BALSEANU, MIHAELA , 夏立群 , XIA, LI-QUN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC分类号： C23C16/45534 , C23C16/045 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3065
摘要：本文公開的實施例一般地涉及基板處理，及更具體地涉及使用沉積蝕刻循環精確控制薄膜厚度的方法。具體地，本案的實施例可用於在充填高深寬比特徵結構期間控制薄膜厚度。
简体摘要：本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。

53. 发明专利

TW201537651A 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备，半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201537651A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103131708
申请日：2014-09-15
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：鎌倉司 , KAMAKURA, TSUKASA , 龜田賢治 , KAMEDA, KENJI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228
摘要：本發明係即便利用排氣緩衝室施行氣體排氣的情況，仍可對該排氣緩衝室內充分且良好地施行清洗處理。本發明的基板處理裝置係具備有：處理空間、氣體供應系統、排氣緩衝室、氣體排氣系統、及清洗氣體供應管。其中，該處理空間係對基板載置面上所載置基板施行處理。該氣體供應系統係從基板載置面的對向側朝處理空間內供應氣體。該排氣緩衝室係具有依包圍處理空間之側邊外周方式設置的空間，且供應給處理空間內的氣體會流入空間內的方式構成。該氣體排氣系統係將流入排氣緩衝室內的氣體予以排氣。該清洗氣體供應管係從連通於構成排氣緩衝室的空間，並對排氣緩衝室內供應清洗氣體。
简体摘要：本发明系即便利用排气缓冲室施行气体排气的情况，仍可对该排气缓冲室内充分且良好地施行清洗处理。本发明的基板处理设备系具备有：处理空间、气体供应系统、排气缓冲室、气体排气系统、及清洗气体供应管。其中，该处理空间系对基板载置面上所载置基板施行处理。该气体供应系统系从基板载置面的对向侧朝处理空间内供应气体。该排气缓冲室系具有依包围处理空间之侧边外周方式设置的空间，且供应给处理空间内的气体会流入空间内的方式构成。该气体排气系统系将流入排气缓冲室内的气体予以排气。该清洗气体供应管系从连通于构成排气缓冲室的空间，并对排气缓冲室内供应清洗气体。

54. 发明专利

TW201530696A 整合矽氧氮氧半導體至互補式金屬氧化物半導體流程的方法审中-公开
简体标题：集成硅氧氮氧半导体至互补式金属氧化物半导体流程的方法
公开(公告)号：TW201530696A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103140574
申请日：2014-11-24
申请人：賽普拉斯半導體公司 , CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：庫馬爾克里希納斯瓦米 , RAMKUMAR, KRISHNASWAMY , 普拉哈卡爾范卡特拉曼 , PRABHAKAR, VENKATRAMAN
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L29/66833 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/28282 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L27/11563 , H01L27/11573 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/792
摘要：描述的是形成包括非揮發性記憶體(NVM)和MOS電晶體之記憶體胞格的方法。於一具體態樣，該方法包括：沉積和圖案化閘極層在基板上的介電堆疊之上以形成NVM電晶體的閘極，該介電堆疊包括覆蓋基板之表面的穿隧層、覆蓋穿隧層的電荷捕捉層、覆蓋電荷捕捉層的阻擋層；形成暴露NVM電晶體之源極和汲極(S/D)區域的遮罩；透過遮罩來蝕刻介電堆疊，以藉由移除NVM電晶體之S/D區域中的阻擋層和至少第一部分的電荷捕捉層而薄化介電堆疊；以及經由薄化的介電堆疊而將摻雜物植入NVM電晶體的S/D區域裡，以形成輕度摻雜的汲極而相鄰於NVM電晶體的閘極。
简体摘要：描述的是形成包括非挥发性内存(NVM)和MOS晶体管之内存胞格的方法。于一具体态样，该方法包括：沉积和图案化闸极层在基板上的介电堆栈之上以形成NVM晶体管的闸极，该介电堆栈包括覆盖基板之表面的穿隧层、覆盖穿隧层的电荷捕捉层、覆盖电荷捕捉层的阻挡层；形成暴露NVM晶体管之源极和汲极(S/D)区域的遮罩；透过遮罩来蚀刻介电堆栈，以借由移除NVM晶体管之S/D区域中的阻挡层和至少第一部分的电荷捕捉层而薄化介电堆栈；以及经由薄化的介电堆栈而将掺杂物植入NVM晶体管的S/D区域里，以形成轻度掺杂的汲极而相邻于NVM晶体管的闸极。

55. 发明专利

TW201526111A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201526111A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103105591
申请日：2014-02-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：郭仲儀 , GUO, JUNG YI , 鄭俊民 , CHENG, CHUN MIN
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/32105 , H01L21/32133 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/513 , H01L29/518
摘要：一種半導體裝置之製造方法及其半導體裝置，製造方法包括以下步驟。提供一基板。形成一絕緣基底層於基板上。於一初始溫度下將一導電層配置在絕緣基底層上。此方法更包括以一第一增加速率增加初始溫度至一第一增加溫度，並於第一增加溫度下對導電層執行一原位回火製程。此方法更包括以一第二增加速率增加第一增加溫度至一第二增加溫度，並於第二增加溫度下，在執行原位回火製程後，形成一絕緣層。
简体摘要：一种半导体设备之制造方法及其半导体设备，制造方法包括以下步骤。提供一基板。形成一绝缘基底层于基板上。于一初始温度下将一导电层配置在绝缘基底层上。此方法更包括以一第一增加速率增加初始温度至一第一增加温度，并于第一增加温度下对导电层运行一原位回火制程。此方法更包括以一第二增加速率增加第一增加温度至一第二增加温度，并于第二增加温度下，在运行原位回火制程后，形成一绝缘层。

56. 发明专利

TW201526106A 使用處理系統之氣隙結構整合审中-公开
简体标题：使用处理系统之气隙结构集成
公开(公告)号：TW201526106A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142446
申请日：2014-12-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那克美荷B , NAIK, MEHUL B. , 任河 , REN, HE , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/7682 , C23C16/303 , C23C16/36 , H01J37/32082 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76819 , H01L21/76832 , H01L21/76834
摘要：一種在積體層堆疊中形成氣隙結構之方法，該方法包含在真空下在處理系統中乾蝕刻設置在堆疊上的模具層。模具層係設置於一或多個互連件之間，且模具層之乾蝕刻的處理曝露互連件之至少一部分。該方法亦包含在互連件之曝露部分上沉積襯層。在另一個實施例中，一種在積體層堆疊中形成氣隙結構之方法，包含在真空下在處理系統中在第一處理腔室中乾蝕刻設置在堆疊上的氧化物模具層。該方法亦包含在互連件上沉積低介電常數材料襯層，其中襯層具有低於約2奈米的厚度。於此揭露的方法係執行於處理系統中，且無需破壞真空。
简体摘要：一种在积体层堆栈中形成气隙结构之方法，该方法包含在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆栈上的模具层。模具层系设置于一或多个互连件之间，且模具层之干蚀刻的处理曝露互连件之至少一部分。该方法亦包含在互连件之曝露部分上沉积衬层。在另一个实施例中，一种在积体层堆栈中形成气隙结构之方法，包含在真空下在处理系统中在第一处理腔室中干蚀刻设置在堆栈上的氧化物模具层。该方法亦包含在互连件上沉积低介电常数材料衬层，其中衬层具有低于约2奈米的厚度。于此揭露的方法系运行于处理系统中，且无需破坏真空。

57. 发明专利

TW201525066A 硬罩幕組成物和使用硬罩幕組成物形成圖案的方法审中-公开
简体标题：硬罩幕组成物和使用硬罩幕组成物形成图案的方法
公开(公告)号：TW201525066A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103140956
申请日：2014-11-26
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：南沇希 , NAM, YOUN-HEE , 金惠廷 , KIM, HEA-JUNG , 金相均 , KIM, SANG-KYUN , 金瑆煥 , KIM, SUNG-HWAN , 金潤俊 , KIM, YUN-JUN , 文俊怜 , MOON, JOON-YOUNG , 宋炫知 , SONG, HYUN-JI
IPC分类号： C08L77/10 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G69/32 , C08G73/1039 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1071 , C09D177/10 , C09D179/08 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02282 , H01L21/0276 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明提供一種硬罩幕組成物和使用硬罩幕組成物形成圖案的方法。此硬罩幕組成物包含聚合物和溶劑，所述聚合物包含由以下化學式1表示的部分。在以上化學式1中，A和B與本說明書中所定義的相同。
简体摘要：本发明提供一种硬罩幕组成物和使用硬罩幕组成物形成图案的方法。此硬罩幕组成物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。在以上化学式1中，A和B与本说明书中所定义的相同。

58. 发明专利

TWI475599B 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI475599B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW101132696
申请日：2012-09-07
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：奧田和幸 , OKUDA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/34 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/02107 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/6715 , H01L21/67242

59. 发明专利

TW201507030A 立式熱處理裝置之運轉方法、立式熱處理裝置及非暫時性記錄媒體审中-公开
简体标题：立式热处理设备之运转方法、立式热处理设备及非暂时性记录媒体
公开(公告)号：TW201507030A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103111818
申请日：2014-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE , 本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45542 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/67109
摘要：本發明提供一種使立式熱處理裝置運轉之方法，施行電性中和步驟：於清洗步驟之後，將夾持有虛設用的半導體基板或導電性基板之基板夾持具搬入該反應容器內，以不施行供給該第1氣體至反應容器內的階段之方式，施行自該第2氣體噴嘴供給第2氣體至該反應容器內並使第2氣體電漿化的階段。而後，施行成膜步驟：藉由交互施行複數次將第1氣體供給至該反應容器內的階段、以及將第2氣體供給至該反應容器內並使第2氣體電漿化的階段，而於反應容器內形成薄膜。
简体摘要：本发明提供一种使立式热处理设备运转之方法，施行电性中和步骤：于清洗步骤之后，将夹持有虚设用的半导体基板或导电性基板之基板夹持具搬入该反应容器内，以不施行供给该第1气体至反应容器内的阶段之方式，施行自该第2气体喷嘴供给第2气体至该反应容器内并使第2气体等离子化的阶段。而后，施行成膜步骤：借由交互施行复数次将第1气体供给至该反应容器内的阶段、以及将第2气体供给至该反应容器内并使第2气体等离子化的阶段，而于反应容器内形成薄膜。

60. 发明专利

TWI472008B 包括突起型隔離層之半導體裝置有权
简体标题：包括突起型隔离层之半导体设备
公开(公告)号：TWI472008B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW099100105
申请日：2010-01-05
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金東鉉 , KIM, DONG-HYUN , 朴宰均 , PARK, JAI-KYUN
IPC分类号： H01L23/58 , H01L27/085
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/0217 , H01L21/308 , H01L21/76224 , H01L27/0207 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L29/66621 , Y10S257/906 , Y10S257/907

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