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51. 发明专利

TW200732642A 半導體壓力感測器审中-公开
简体标题：半导体压力传感器
公开(公告)号：TW200732642A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095141180
申请日：2006-11-07
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：伊垣勝 IGAKI, MASARU , 四方秀明 SHIKATA, HIDEAKI
IPC分类号： G01L , H01L
CPC分类号： G01L9/0042 , G01L9/0098
摘要：本發明之課題在於提供一種,具有簡單的構成且容易進行膜片部的厚度控制等,並且具有高良率、低成本及溫度依存性較低的優點之高感應度的半導體壓力感測器。本發明之解決手段為一種半導體壓力感測器,係由肖特基能障二極體元件10及台座部4所構成,肖特基能障二極體元件10由障壁膜1;電極膜2;及n型半導體基板3所形成。於肖特基能障二極體元件10中,使以金屬所構成之障壁膜1與n型半導體基板3接觸,藉此於n型半導體基板3側的接觸面產生空乏層,而產生肖特基障壁。此肖特基接合部分係包含於n型半導體基板3的膜片部5中,而成為感測壓力之區域。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种,具有简单的构成且容易进行膜片部的厚度控制等,并且具有高良率、低成本及温度依存性较低的优点之高感应度的半导体压力传感器。本发明之解决手段为一种半导体压力传感器,系由肖特基能障二极管组件10及台座部4所构成,肖特基能障二极管组件10由障壁膜1;电极膜2;及n型半导体基板3所形成。于肖特基能障二极管组件10中,使以金属所构成之障壁膜1与n型半导体基板3接触,借此于n型半导体基板3侧的接触面产生空乏层,而产生肖特基障壁。此肖特基接合部分系包含于n型半导体基板3的膜片部5中,而成为传感压力之区域。

52. 发明专利

TWI245428B 壓力感測器失效
简体标题：压力传感器
公开(公告)号：TWI245428B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW093136782
申请日：2004-11-29
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 ALPS ELECTRIC CO., LTD.
发明人：酒井重史 , 阿部宗光
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要：〔課題〕提供長期間之可靠性優異，伴隨高壓化之耐受性也好，且能以量產性優異之製程所製造之壓力感測器
另外，提供小型、特性偏差少之壓力感測器。
〔解決手段〕一種壓力感測器，係以陽極接合來接合 SOI基板與玻璃基板，在矽層之一部份形成以到達SOI基板之絕緣層之溝而包圍周圍之矽島，進而，貫穿玻璃基板而形成貫穿孔，在該貫穿孔內部具有由導電性材料所成之取出電極，且形成在前述玻璃基板之電極與取出電極係藉由矽島而電性接合。
简体摘要：〔课题〕提供长期间之可靠性优异，伴随高压化之耐受性也好，且能以量产性优异之制程所制造之压力传感器另外，提供小型、特性偏差少之压力传感器。〔解决手段〕一种压力传感器，系以阳极接合来接合 SOI基板与玻璃基板，在硅层之一部份形成以到达SOI基板之绝缘层之沟而包围周围之硅岛，进而，贯穿玻璃基板而形成贯穿孔，在该贯穿孔内部具有由导电性材料所成之取出电极，且形成在前述玻璃基板之电极与取出电极系借由硅岛而电性接合。

53. 发明专利

TW200525766A 壓力感測器失效
简体标题：压力传感器
公开(公告)号：TW200525766A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093136782
申请日：2004-11-29
申请人：阿爾普士電氣股份有限公司 ALPS ELECTRIC CO., LTD.
发明人：酒井重史 , 阿部宗光
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要：〔課題〕提供長期間之可靠性優異，伴隨高壓化之耐受性也好，且能以量產性優異之製程所製造之壓力感測器。另外，提供小型、特性偏差少之壓力感測器。〔解決手段〕一種壓力感測器，係以陽極接合來接合SOI基板與玻璃基板，在矽層之一部份形成以到達SOI基板之絕緣層之溝而包圍周圍之矽島，進而，貫穿玻璃基板而形成貫穿孔，在該貫穿孔內部具有由導電性材料所成之取出電極，且形成在前述玻璃基板之電極與取出電極係藉由矽島而電性接合。
简体摘要：〔课题〕提供长期间之可靠性优异，伴随高压化之耐受性也好，且能以量产性优异之制程所制造之压力传感器。另外，提供小型、特性偏差少之压力传感器。〔解决手段〕一种压力传感器，系以阳极接合来接合SOI基板与玻璃基板，在硅层之一部份形成以到达SOI基板之绝缘层之沟而包围周围之硅岛，进而，贯穿玻璃基板而形成贯穿孔，在该贯穿孔内部具有由导电性材料所成之取出电极，且形成在前述玻璃基板之电极与取出电极系借由硅岛而电性接合。

54. 发明专利

TW200426354A 電容式半導體壓力感測器 CAPACITIVE SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR 审中-公开
简体标题：电容式半导体压力传感器 CAPACITIVE SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR
公开(公告)号：TW200426354A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW092114483
申请日：2003-05-28
申请人：友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP.
发明人：楊健生 YANG, CHIEN SHENG
IPC分类号： G01L , H01L
CPC分类号： G01L9/0073 , G01L9/0042
摘要：本發明係提供一種電容式半導體壓力感測器(capacitive semiconductor pressure sensor)。該壓力感測器主要包含有一由金屬固定電極與一可動的複晶矽隔膜(diaphragm)所構成的平板電容(plate capacitor)設置於一非單晶矽基底上，以及一薄膜電晶體(TFT)控制電路電連接於該平板電容，用來控制該壓力感測器的操作。
简体摘要：本发明系提供一种电容式半导体压力传感器(capacitive semiconductor pressure sensor)。该压力传感器主要包含有一由金属固定电极与一可动的复晶硅隔膜(diaphragm)所构成的平板电容(plate capacitor)设置于一非单晶硅基底上，以及一薄膜晶体管(TFT)控制电路电连接于该平板电容，用来控制该压力传感器的操作。

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