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51. 发明专利

TWI242333B 接收機 RECEIVER 失效
简体标题：接收机 RECEIVER
公开(公告)号：TWI242333B
公开(公告)日：2005-10-21
申请号：TW092129704
申请日：2003-10-27
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI
发明人：宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 古池剛 KOIKE, TSUYOSHI
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H04B17/20
摘要：本發明目的在提供一種接收機，可不需要作業測試的複雜連接而縮短測試時間，而且可簡化裝置構造。為產生輸入到局部振盪器13，所連接PLL電路20而使用振盪器21的輸出信號之參考信號，其以分頻器24來分頻，產生包含在AM播放之接收頻帶內的測試信號。本測試信號經由開關25來輸入到高頻放大電路11，對本測試信號之中頻信號輸出到電位檢出部30。在AM接收機正常地作業的情形中，電壓比較器31之輸出變成高電位。
简体摘要：本发明目的在提供一种接收机，可不需要作业测试的复杂连接而缩短测试时间，而且可简化设备构造。为产生输入到局部振荡器13，所连接PLL电路20而使用振荡器21的输出信号之参考信号，其以分频器24来分频，产生包含在AM播放之接收频带内的测试信号。本测试信号经由开关25来输入到高频放大电路11，对本测试信号之中频信号输出到电位检出部30。在AM接收机正常地作业的情形中，电压比较器31之输出变成高电位。

52. 发明专利

TW200524324A FM、AM接收電路及其半導體積體電路 FM/AM RECEIVER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 审中-公开
简体标题： FM、AM接收电路及其半导体集成电路 FM/AM RECEIVER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200524324A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093135234
申请日：2004-11-17
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：勝永浩史 KATSUNAGA, HIROSHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H04H , H04B
CPC分类号： H03L7/07 , H03J5/244 , H03L7/093
摘要：本案之主要目的為減少AM／FM接收電路中所使用迴路濾波器的數目，AM之PLL電路的輸入和輸出係連接於兩個半導體開關之其中一方的接點，FM立體聲解調用之PLL電路的輸入和輸出係連接於兩個半導體開關之另一方的接點，迴路濾波器係連接於半導體開關的共通接點，同時，藉由控制半導體開關的共通接點與AM之PLL電路或FM立體聲解調用之PLL電路的連接，以切換迴路濾波器的接續。
简体摘要：本案之主要目的为减少AM／FM接收电路中所使用回路滤波器的数目，AM之PLL电路的输入和输出系连接于两个半导体开关之其中一方的接点，FM三維声解调用之PLL电路的输入和输出系连接于两个半导体开关之另一方的接点，回路滤波器系连接于半导体开关的共通接点，同时，借由控制半导体开关的共通接点与AM之PLL电路或FM三維声解调用之PLL电路的连接，以切换回路滤波器的接续。

53. 发明专利

TW200524270A AM(調幅)中頻可變增益放大電路,可變增益放大電路及其半導體積體電路 AM IF VARIABLE GAIN AMPLIFIER CIRCUIT, VARIABLE GAIN AMPLIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题： AM(调幅)中频可变增益放大电路,可变增益放大电路及其半导体集成电路 AM IF VARIABLE GAIN AMPLIFIER CIRCUIT, VARIABLE GAIN AMPLIFIER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200524270A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093135231
申请日：2004-11-17
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：勝永浩史 KATSUNAGA, HIROSHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H03G
CPC分类号： H03G1/007 , H03G1/0029
摘要：本案之主要課題為提供能夠使用低電源電壓，並在電路內部產生極少之雜訊的可變增益放大電路，構成差動放大電路的2個MOS電晶體的源極之間連接了第三MOS電晶體，將使得第三MOS電晶體於非飽和區域中動作的直流偏壓電壓供給到第三MOS電晶體的閘極端，當AM可變增益放大電路的輸出電壓增加時，會賦予可減小第三MOS電晶體之源–汲極間之阻抗的控制電壓，以降低AM中頻可變增益放大電路的增益。
简体摘要：本案之主要课题为提供能够使用低电源电压，并在电路内部产生极少之噪声的可变增益放大电路，构成差动放大电路的2个MOS晶体管的源极之间连接了第三MOS晶体管，将使得第三MOS晶体管于非饱和区域中动作的直流偏压电压供给到第三MOS晶体管的闸极端，当AM可变增益放大电路的输出电压增加时，会赋予可减小第三MOS晶体管之源–汲极间之阻抗的控制电压，以降低AM中频可变增益放大电路的增益。

54. 发明专利

TWI227054B 半導體積體電路及半導體積體電路的製造方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD 有权
简体标题：半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI227054B
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：TW092118310
申请日：2003-07-04
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03G1/007 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/306
摘要：以串級(cascode)連接之P型通道金屬氧化物場效電晶體(P channel MOSFET)4,5構成射頻放大電路21，用以將調幅播送信號放大。因係依串級之方式作連接，故可令P型通道金屬氧化物場效電晶體之源極、閘極間的回授容量變小，而使動力穩定。再者，因調幅播放信號之放大電路係以P型通道金屬氧化物場效電晶體構成，故除可降低閃變效應(flicker)雜音外，復可依互補式金屬氧化物半導體(CMOS)數位電路相同之MOS製法用以製造者。
简体摘要：以串级(cascode)连接之P型信道金属氧化物场效应管(P channel MOSFET)4,5构成射频放大电路21，用以将调幅播送信号放大。因系依串级之方式作连接，故可令P型信道金属氧化物场效应管之源极、闸极间的回授容量变小，而使动力稳定。再者，因调幅播放信号之放大电路系以P型信道金属氧化物场效应管构成，故除可降低闪变效应(flicker)杂音外，复可依互补式金属氧化物半导体(CMOS)数字电路相同之MOS制法用以制造者。

55. 发明专利

TW589788B 雜訊抑制電路失效
简体标题：噪声抑制电路
公开(公告)号：TW589788B
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW091137098
申请日：2002-12-24
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03H19/00 , H03H11/26 , H03H19/004 , H03K5/1252
摘要：本發明之目的係，提供可一體形成在半導體基板上，且可提升抑制雜訊成份的精度之雜訊抑制電路。雜訊抑制電路係具備有：高通濾波器，檢測包含在輸入信號中之雜訊成份；脈衝產生電路，產生所檢測到雜訊成份其所對應之脈衝信號；使輸入信號延遲之類比延遲電路252；輸出電路，因應脈衝信號的輸出時序，抑制包含在此延遲的信號之雜訊成份。類比延遲電路252係，使開關51~56依序導通且將在各自的時點之輸入信號的電壓予以保持在各電容器81~86中，同時在更新此保持電壓之前，使開關61~66導通且將之取出以延遲輸入信號之輸出時序。
简体摘要：本发明之目的系，提供可一体形成在半导体基板上，且可提升抑制噪声成份的精度之噪声抑制电路。噪声抑制电路系具备有：高通滤波器，检测包含在输入信号中之噪声成份；脉冲产生电路，产生所检测到噪声成份其所对应之脉冲信号；使输入信号延迟之模拟延迟电路252；输出电路，因应脉冲信号的输出时序，抑制包含在此延迟的信号之噪声成份。模拟延迟电路252系，使开关51~56依序导通且将在各自的时点之输入信号的电压予以保持在各电容器81~86中，同时在更新此保持电压之前，使开关61~66导通且将之取出以延迟输入信号之输出时序。

56. 发明专利

TW200408208A 接收機及其自動增益控制方法 RECEIVER AND AUTO GAIN CONTROL METHOD THEREOF 失效
简体标题：接收机及其自动增益控制方法 RECEIVER AND AUTO GAIN CONTROL METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200408208A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW092123853
申请日：2003-08-29
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：勝永浩史 KATSUNAGA, HIROSHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H03G3/3052
摘要：本發明之接收機可以很容易設定穩定之放大器之輸出梯度。利用第2檢波器檢測從主動濾波器朝向中頻放大器之輸出，藉以進行高頻放大器之AGC。經由分開對中頻放大器4之AGC之回饋迴路，和對高頻放大器之回饋迴路，可以很容易的設定更穩定之高頻放大器和中頻放大器之輸出梯度。
简体摘要：本发明之接收机可以很容易设置稳定之放大器之输出梯度。利用第2检波器检测从主动滤波器朝向中频放大器之输出，借以进行高频放大器之AGC。经由分开对中频放大器4之AGC之回馈回路，和对高频放大器之回馈回路，可以很容易的设置更稳定之高频放大器和中频放大器之输出梯度。

57. 发明专利

TW200406983A 放大電路 AMPLIFICATION CIRCUIT 失效
简体标题：放大电路 AMPLIFICATION CIRCUIT
公开(公告)号：TW200406983A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW092123513
申请日：2003-08-27
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：勝永浩史 KATSUNAGA, HIROSHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03H11/126 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/483
摘要：以MOSFET28所放大之信號，係以低通濾波器41之截止頻率數以下，及高通濾波器42之截止頻率數以上的信號，輸出於次段之放大器。此時，較諸高通濾波器42之截止頻率數為低的頻率數，其之1／f雜訊乃被阻止，而較諸低通濾波器41之截止頻率數為高之高域，其之雜訊亦被阻止。依此，乃可除去1／f雜訊及高域之雜訊，則可放大所希頻率數之信號者。
简体摘要：以MOSFET28所放大之信号，系以低通滤波器41之截止频率数以下，及高通滤波器42之截止频率数以上的信号，输出于次段之放大器。此时，较诸高通滤波器42之截止频率数为低的频率数，其之1／f噪声乃被阻止，而较诸低通滤波器41之截止频率数为高之高域，其之噪声亦被阻止。依此，乃可除去1／f噪声及高域之噪声，则可放大所希频率数之信号者。

58. 发明专利

TW200405688A 立體解調電路 STEREO-DEMODULATION CIRCUIT 失效
简体标题：三維解调电路 STEREO-DEMODULATION CIRCUIT
公开(公告)号：TW200405688A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092122948
申请日：2003-08-21
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
发明人：古池剛 KOIKE, TSUYOSHI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H04H
CPC分类号： H04H40/72 , H04B1/1676
摘要：一種立體解調電路，其具備至少一個雜訊控制部，其在該受信電場強度(RSSI)在所定之範圍內時進行一種對應於該受信電場強度之雜訊控制，其具有：AD變換部，其對該與受信電場強度(RSSI)相對應之信號進行AD變換；控制信號生成部，當該AD變換部所得到之信號位準在所定之範圍中時，對應於該位準而生成該雜訊控制部之雜訊控制用之控制信號。該控制信號生成部具備一種偏移部，其使該AD變換部所得到之信號中只有所定值之部份以數位方式而被偏移，又，其使該數位信號之下位位元中只有對應於該雜訊控制之精度之粗度所設定之位元數被去除；以偏移部所得到之信號為基準，使該控制信號被輸出。
简体摘要：一种三維解调电路，其具备至少一个噪声控制部，其在该受信电场强度(RSSI)在所定之范围内时进行一种对应于该受信电场强度之噪声控制，其具有：AD变换部，其对该与受信电场强度(RSSI)相对应之信号进行AD变换；控制信号生成部，当该AD变换部所得到之信号位准在所定之范围中时，对应于该位准而生成该噪声控制部之噪声控制用之控制信号。该控制信号生成部具备一种偏移部，其使该AD变换部所得到之信号中只有所定值之部份以数码方式而被偏移，又，其使该数码信号之下位比特中只有对应于该噪声控制之精度之粗度所设置之比特数被去除；以偏移部所得到之信号为基准，使该控制信号被输出。

59. 发明专利

TWI294212B 切換式電容器電路及其半導體積體電路 SWITCHED CAPACITOR CIRCUIT AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 有权
简体标题：切换式电容器电路及其半导体集成电路 SWITCHED CAPACITOR CIRCUIT AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TWI294212B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW093116782
申请日：2004-06-11
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部分處形成閘極氧化膜，再形成MOS電晶體。如上述所製造之p通道MOS電晶體與n通道MOS電晶體予以並列連接，即構成了切換式電容器電路的開關。經由此，切換式電容器電路的泄放電流、直流偏移皆可減低。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部分处形成闸极氧化膜，再形成MOS晶体管。如上述所制造之p信道MOS晶体管与n信道MOS晶体管予以并列连接，即构成了切换式电容器电路的开关。经由此，切换式电容器电路的泄放电流、直流偏移皆可减低。

60. 发明专利

TWI286414B 限幅器電路及其半導體積體電路 LIMITER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题：限幅器电路及其半导体集成电路 LIMITER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TWI286414B
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW093116777
申请日：2004-06-11
申请人：新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03G
CPC分类号： H03G1/0029 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03G1/0023 , H03G7/00 , H03K5/08
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部份處形成閘極氧化膜。閘極電極26之兩側處形成源極及汲極而作成MOS電晶體。由MOS電晶體61和62組成的差動放大電路構成了限幅器電路。經由此，限幅器電路可獲致大的增益。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部份处形成闸极氧化膜。闸极电极26之两侧处形成源极及汲极而作成MOS晶体管。由MOS晶体管61和62组成的差动放大电路构成了限幅器电路。经由此，限幅器电路可获致大的增益。

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