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51. 发明专利

TWI632700B 具有高效率反射結構之發光元件有权
简体标题：具有高效率反射结构之发光组件
公开(公告)号：TWI632700B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106141181
申请日：2013-05-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO,WEN-LUH , 呂紹平 , LU,SHAO-PING , 鄭鴻達 , CHENG,HUNG-TA , 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 魏守勤 , WEI,SHOU-CHIN , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 彭鈺仁 , PENG,YU-REN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 張峻賢 , CHANG,CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/26

52. 发明专利

TW201807843A 具有高效率反射結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有高效率反射结构之发光组件
公开(公告)号：TW201807843A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106141181
申请日：2013-05-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO,WEN-LUH , 呂紹平 , LU,SHAO-PING , 鄭鴻達 , CHENG,HUNG-TA , 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 魏守勤 , WEI,SHOU-CHIN , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 彭鈺仁 , PENG,YU-REN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 張峻賢 , CHANG,CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/26
摘要：一發光元件，包含一反射層；一第一透光層，位於反射層之上；一發光疊層，包含一主動層，位於該第一透光層之上；以及一孔洞，形成於該第一透光層之中。
简体摘要：一发光组件，包含一反射层；一第一透光层，位于反射层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于该第一透光层之上；以及一孔洞，形成于该第一透光层之中。

53. 发明专利

TWI611602B 具有高效率反射結構之發光元件有权
简体标题：具有高效率反射结构之发光组件
公开(公告)号：TWI611602B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW106101995
申请日：2013-05-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO,WEN-LUH , 呂紹平 , LU,SHAO-PING , 鄭鴻達 , CHENG,HUNG-TA , 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 魏守勤 , WEI,SHOU-CHIN , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 彭鈺仁 , PENG,YU-REN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 張峻賢 , CHANG,CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L33/46

54. 发明专利

TWI611600B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI611600B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW106101551
申请日：2012-03-30
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN,SHIH-I , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 李宗憲 , LEE,TSUNG-XIAN
IPC分类号： H01L33/36

55. 发明专利

TW201717427A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201717427A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW106104252
申请日：2013-07-10
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO,WEN-LUH , 徐建中 , HSU,CHIEN-CHUNG , 張耀儒 , CHANG,YAO-RU , 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG
IPC分类号： H01L33/12
摘要：一發光元件，包含一發光疊層，包含一主動層；以及一非氧化物絕緣層，位於發光疊層之下，其中非氧化物絕緣層之折射率小於1.4。
简体摘要：一发光组件，包含一发光叠层，包含一主动层；以及一非氧化物绝缘层，位于发光叠层之下，其中非氧化物绝缘层之折射率小于1.4。

56. 发明专利

TW201712896A 具有高效率反射結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有高效率反射结构之发光组件
公开(公告)号：TW201712896A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW106101995
申请日：2013-05-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO,WEN-LUH , 呂紹平 , LU,SHAO-PING , 鄭鴻達 , CHENG,HUNG-TA , 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 魏守勤 , WEI,SHOU-CHIN , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 彭鈺仁 , PENG,YU-REN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 張峻賢 , CHANG,CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L33/46
摘要：一發光元件，包含一反射層；一第一透光層，位於反射層之上；一發光疊層，包含一主動層，位於該第一透光層之上；以及一孔洞，形成於該第一透光層之中。
简体摘要：一发光组件，包含一反射层；一第一透光层，位于反射层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于该第一透光层之上；以及一孔洞，形成于该第一透光层之中。

57. 发明专利

TWI574436B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI574436B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104143964
申请日：2012-03-30
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN,SHIH-I , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 李宗憲 , LEE,TSUNG-XIAN
IPC分类号： H01L33/36

58. 发明专利

TW201628213A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201628213A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104101418
申请日：2015-01-16
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 陳世益 , CHEN, SHIH I , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/505
摘要：一種半導體發光元件，包含一磊晶疊層具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一主動層位於該第一半導體層以及該第二半導體層之間用以產生一光波；以及一主要出光面位於該第一半導體層之上，該光波穿透過該主要出光面；其中，該主要出光面包含一第一出光區域、一第二出光區域以及一最大近場發光強度，該第一出光區域內的近場發光強度分佈介於該最大近場發光強度的70%到100%之間，該第二出光區域內的近場發光強度分佈介於該最大近場發光強度的0%到70%之間。
简体摘要：一种半导体发光组件，包含一磊晶叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一主动层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波；以及一主要出光面位于该第一半导体层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70%到100%之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0%到70%之间。

59. 发明专利

TW201616678A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201616678A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW105102279
申请日：2011-08-04
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 許晏銘 , HSU,YE-MING , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳昭興 , CHEN,CHAO-HSING , 姚久琳 , YAO,CHIU-LIN , 劉欣茂 , LIU,HSIN-MAO , 鍾健凱 , CHUNG,CHIEN-KAI
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一發光元件包含︰一支持基板；一透明層位於該支持基板之上；一發光疊層包含一主動層且位於該透明層之上；以及一蝕刻阻擋層設於該發光疊層與該支持基板之間且與該透明層接觸；其中，該蝕刻阻擋層之厚度小於該透明層之厚度。
简体摘要：一发光组件包含︰一支持基板；一透明层位于该支持基板之上；一发光叠层包含一主动层且位于该透明层之上；以及一蚀刻阻挡层设于该发光叠层与该支持基板之间且与该透明层接触；其中，该蚀刻阻挡层之厚度小于该透明层之厚度。

60. 发明专利

TW201613136A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201613136A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104143964
申请日：2012-03-30
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN,SHIH-I , 陳威佑 , CHEN,WEI-YO , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 李宗憲 , LEE,TSUNG-XIAN
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一發光元件，包括：一發光疊層，具有一長度、一寬度、一第一電性半導體層、一活性層位於上述第一電性半導體層之上、以及一第二電性半導體層位於上述活性層之上，其中上述第一電性半導體層，上述活性層，及上述第二電性半導體層沿著一堆疊方向堆疊；一第一電極和上述第一電性半導體層相連結且向平行於上述堆疊方向之方向延伸；一第二電極和上述第二電性半導體層相連結且向平行於上述堆疊方向之方向延伸；以及一絕緣層位於上述第一電極和上述第二電極之間。
简体摘要：一发光组件，包括：一发光叠层，具有一长度、一宽度、一第一电性半导体层、一活性层位于上述第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于上述活性层之上，其中上述第一电性半导体层，上述活性层，及上述第二电性半导体层沿着一堆栈方向堆栈；一第一电极和上述第一电性半导体层相链接且向平行于上述堆栈方向之方向延伸；一第二电极和上述第二电性半导体层相链接且向平行于上述堆栈方向之方向延伸；以及一绝缘层位于上述第一电极和上述第二电极之间。

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