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51. 发明专利

TWI504565B 石墨烯懸浮溶液及其製作方法有权
简体标题：石墨烯悬浮溶液及其制作方法
公开(公告)号：TWI504565B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102114375
申请日：2013-04-23
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 彭晟書 , 水晨凱 , 鄭叡駿
IPC分类号： C01B31/04

52. 发明专利

TWI495716B 石墨烯散熱結構有权
简体标题：石墨烯散热结构
公开(公告)号：TWI495716B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW103115400
申请日：2014-04-29
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 陳靜茹 , CHEN, JING RU , 謝淑玲 , HSIEH, SHU LING , 黎冠廷 , LI, KUAN TING
IPC分类号： C09K5/14 , C01B31/04 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

53. 发明专利

TWI489680B 電化學裝置隔離膜及其製備方法有权
简体标题：电化学设备隔离膜及其制备方法
公开(公告)号：TWI489680B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101120930
申请日：2012-06-11
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 張源炘 , 陳靜茹 , 謝淑玲
IPC分类号： H01M2/16 , H01M2/18
CPC分类号： B01D69/10 , B01D67/0048 , B01D67/0079 , B01D71/024 , B01D71/12 , B01D71/16 , B01D71/34 , B01D71/42 , B01D71/48 , B01D71/56 , B01D71/64 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M2/166 , H01M2/1686

54. 发明专利

TW201515994A 奈米石墨烯空心粒子及其製作方法审中-公开
简体标题：奈米石墨烯空心粒子及其制作方法
公开(公告)号：TW201515994A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138919
申请日：2013-10-28
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 彭晟書 , PENG, CHENG SHU
IPC分类号： C01B31/04 , C09K13/04
CPC分类号： C01B31/0446 , C01B31/0492 , C01B32/184 , C01B32/196 , Y10T428/298
摘要：一種奈米石墨烯空心粒子，以多個石墨烯片相互堆疊形成，其粒徑為10~500nm，比表面積大於500m2/g，其製作方法包含石墨烯生成步驟、蝕刻步驟以及熱處理步驟，首先將還原劑導入通有保護氣體的高溫爐中，再導入含碳氣態化合物，或於高溫下裂解以生成碳之第二氣態化合物，進一步將溫度調升至反應溫度以進行氧化還原反應，形成含有副產物之奈米石墨烯粒子，再將該等粒子浸入酸性蝕刻液，去除副產物而得到奈米石墨烯空心粒子，最後將奈米石墨烯空心粒子進行熱處理以增加結晶度，如此可以避免使用劇毒或危險之化學藥劑，更有反應物選擇多元及製備容易等優點。
简体摘要：一种奈米石墨烯空心粒子，以多个石墨烯片相互堆栈形成，其粒径为10~500nm，比表面积大于500m2/g，其制作方法包含石墨烯生成步骤、蚀刻步骤以及热处理步骤，首先将还原剂导入通有保护气体的高温炉中，再导入含碳气态化合物，或于高温下裂解以生成碳之第二气态化合物，进一步将温度调升至反应温度以进行氧化还原反应，形成含有副产物之奈米石墨烯粒子，再将该等粒子浸入酸性蚀刻液，去除副产物而得到奈米石墨烯空心粒子，最后将奈米石墨烯空心粒子进行热处理以增加结晶度，如此可以避免使用剧毒或危险之化学药剂，更有反应物选择多元及制备容易等优点。

55. 发明专利

TW201445579A 石墨烯透明導電膜审中-公开
简体标题：石墨烯透明导电膜
公开(公告)号：TW201445579A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102117735
申请日：2013-05-20
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , WU, MARK Y. , 謝承佑 , HSIEH, CHENG YU , 彭晟書 , PENG, CHENG SHU
IPC分类号： H01B1/04 , H01B1/12 , H01B5/00
CPC分类号： H01B1/24
摘要：一種石墨烯透明導電膜，包含複數個石墨烯片以及透明導電黏結劑，透明導電黏結劑將石墨烯片黏結而共同形成該石墨烯透明導電膜，石墨烯片與透明導電黏結劑之重量比為1wt%至0.01wt%之間，而該透明導電黏結劑佔該石墨烯透明導電膜的體積百分比為0.5~10%，透明導電黏結劑為一透明導電高分子，包含一聚噻吩結構以及聚陽離子高分子結構的至少其中之一，藉由透明導電黏結劑將石墨烯片堆疊區塊連接，而能形成完整之導電網路，使得薄膜可在高透光度下仍具有較低的片電阻值，且可形成於可撓性的支持體上，擴展可應用的範疇。
简体摘要：一种石墨烯透明导电膜，包含复数个石墨烯片以及透明导电黏结剂，透明导电黏结剂将石墨烯片黏结而共同形成该石墨烯透明导电膜，石墨烯片与透明导电黏结剂之重量比为1wt%至0.01wt%之间，而该透明导电黏结剂占该石墨烯透明导电膜的体积百分比为0.5~10%，透明导电黏结剂为一透明导电高分子，包含一聚噻吩结构以及聚阳离子高分子结构的至少其中之一，借由透明导电黏结剂将石墨烯片堆栈区块连接，而能形成完整之导电网络，使得薄膜可在高透光度下仍具有较低的片电阻值，且可形成于可挠性的支持体上，扩展可应用的范畴。

56. 发明专利

TW201441147A 石墨烯懸浮溶液及其製作方法审中-公开
简体标题：石墨烯悬浮溶液及其制作方法
公开(公告)号：TW201441147A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102114375
申请日：2013-04-23
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 彭晟書 , 水晨凱 , 鄭叡駿
IPC分类号： C01B31/04
摘要：一種石墨烯懸浮溶液及其製作方法，該方法包含分散溶液準備步驟、添加步驟、剝離步驟及分離步驟，分散溶液準備步驟是準備表面張力為35~55mJ/m2的分散溶液，添加步驟是添加石墨粉體材料於分散溶液中，得到石墨混合溶液，濃度為0.01~5 g/L，剝離步驟是以機械力分離石墨粉體材料為單層石墨烯，所剝離出的單層石墨烯懸浮於分散溶液中形成初步懸浮溶液，分離步驟是將初步懸浮溶液離心，以使無法剝離的部份與初步懸浮溶液分離，得到表面電位為大於30mV，或小於-30mV的石墨烯懸浮溶液，藉由控制表面張力能使單層石墨烯懸浮、分散於溶液之中，克服了習用上單層石墨烯聚集的問題。
简体摘要：一种石墨烯悬浮溶液及其制作方法，该方法包含分散溶液准备步骤、添加步骤、剥离步骤及分离步骤，分散溶液准备步骤是准备表面张力为35~55mJ/m2的分散溶液，添加步骤是添加石墨粉体材料于分散溶液中，得到石墨混合溶液，浓度为0.01~5 g/L，剥离步骤是以机械力分离石墨粉体材料为单层石墨烯，所剥离出的单层石墨烯悬浮于分散溶液中形成初步悬浮溶液，分离步骤是将初步悬浮溶液离心，以使无法剥离的部份与初步悬浮溶液分离，得到表面电位为大于30mV，或小于-30mV的石墨烯悬浮溶液，借由控制表面张力能使单层石墨烯悬浮、分散于溶液之中，克服了习用上单层石墨烯聚集的问题。

57. 发明专利

TWI444329B 石墨烯的製備方法有权
简体标题：石墨烯的制备方法
公开(公告)号：TWI444329B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100132287
申请日：2011-09-07
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 彭晟書 , 陳靜茹 , 林君孟 , 林庚蔚
IPC分类号： C01B31/04

58. 发明专利

TW201305047A 表面改質之石墨烯审中-公开
简体标题：表面改质之石墨烯
公开(公告)号：TW201305047A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100125865
申请日：2011-07-21
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 彭晟書 , 陳靜茹 , 林君孟 , 林庚蔚
IPC分类号： C01B31/04 , B82B3/00 , B32B27/06
摘要：一種表面改質之石墨烯，包含一石墨烯粉體；以及至少一表面改質層，該至少一表面改質層包括一表面改質劑，包括至少二官能基，分別位於該表面改質劑之二端，該至少二官能基的一官能基與該石墨烯粉體表面之有機官能基產生化學鍵結，該至少二官能基的另一官能基形成該表面改質之石墨烯的表面特性，其中該表面改質劑係包含偶合劑、脂肪酸及樹脂的至少其中之一。因此，本發明的表面改質之石墨烯粉體，可提高石墨烯粉體於溶劑中的分散性，也可提高石墨烯粉體與有機高分子之間的親和性，並且可使這種複合材料變得更加結實，使其具更廣泛的應用性。
简体摘要：一种表面改质之石墨烯，包含一石墨烯粉体；以及至少一表面改质层，该至少一表面改质层包括一表面改质剂，包括至少二官能基，分别位于该表面改质剂之二端，该至少二官能基的一官能基与该石墨烯粉体表面之有机官能基产生化学键结，该至少二官能基的另一官能基形成该表面改质之石墨烯的表面特性，其中该表面改质剂系包含偶合剂、脂肪酸及树脂的至少其中之一。因此，本发明的表面改质之石墨烯粉体，可提高石墨烯粉体于溶剂中的分散性，也可提高石墨烯粉体与有机高分子之间的亲和性，并且可使这种复合材料变得更加结实，使其具更广泛的应用性。

59. 发明专利

TW201239013A 多孔性薄膜的製作方法审中-公开
简体标题：多孔性薄膜的制作方法
公开(公告)号：TW201239013A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109947
申请日：2011-03-23
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 張源炘 , 陳靜茹
IPC分类号： C08J , B32B
摘要：一種多孔性薄膜的製作方法,包含高分子溶液製備步驟、塗佈步驟、第一乾燥步驟、第二乾燥步驟、分離步驟以及熱處理步驟,將高分子材料溶劑以及非溶劑充份混合後塗佈於基板上,經過兩階段乾燥使溶劑和非溶劑揮發,而形成具有特定孔隙率及孔洞大小分佈的多孔性薄膜,再將多孔性薄膜與基板分離再經熱處理。本發明利用簡單的製程方式,製備特定孔洞分布與形狀之多孔高分子薄膜,可以節省成本並提高生產速率。
简体摘要：一种多孔性薄膜的制作方法,包含高分子溶液制备步骤、涂布步骤、第一干燥步骤、第二干燥步骤、分离步骤以及热处理步骤,将高分子材料溶剂以及非溶剂充份混合后涂布于基板上,经过两阶段干燥使溶剂和非溶剂挥发,而形成具有特定孔隙率及孔洞大小分布的多孔性薄膜,再将多孔性薄膜与基板分离再经热处理。本发明利用简单的制程方式,制备特定孔洞分布与形状之多孔高分子薄膜,可以节省成本并提高生产速率。

60. 发明专利

TW201238894A 單層石墨之製備方法审中-公开
简体标题：单层石墨之制备方法
公开(公告)号：TW201238894A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109949
申请日：2011-03-23
申请人：安炬科技股份有限公司
发明人：吳以舜 , 謝承佑 , 陳靜茹 , 林君孟 , 林庚蔚
IPC分类号： C01B
摘要：一種單層石墨之製備方法,包含:氧化步驟,係將石墨材料氧化形成石墨氧化物;剝離與預還原步驟,將石墨氧化物放置於真空、保護氣氛、還原氣氛下或保護氣氛及還原氣氛的混合中,並接觸高於300℃熱源,以使石墨氧化物以形成單層奈米結構的石墨氧化物;還原及熱處理步驟,將單層奈米結構的石墨氧化物放置於具有熱處理溫度的還原氣氛中,將單層奈米結構的石墨氧化物之含氧量降低至1wt%以下;以及機械研磨及還原步驟,進行機械研磨,並以鹼性溶液作為研磨液,充份分散並還原,而得到單層石墨。
简体摘要：一种单层石墨之制备方法,包含:氧化步骤,系将石墨材料氧化形成石墨氧化物;剥离与预还原步骤,将石墨氧化物放置于真空、保护气氛、还原气氛下或保护气氛及还原气氛的混合中,并接触高于300℃热源,以使石墨氧化物以形成单层奈米结构的石墨氧化物;还原及热处理步骤,将单层奈米结构的石墨氧化物放置于具有热处理温度的还原气氛中,将单层奈米结构的石墨氧化物之含氧量降低至1wt%以下;以及机械研磨及还原步骤,进行机械研磨,并以碱性溶液作为研磨液,充份分散并还原,而得到单层石墨。

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