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51. 发明专利

TW201723103A 耐熱性絕緣電線與形成其絕緣層所使用之電沉積液审中-公开
简体标题：耐热性绝缘电线与形成其绝缘层所使用之电沉积液
公开(公告)号：TW201723103A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104142295
申请日：2015-12-16
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：飯田慎太郎 , IIDA, SHINTARO , 泉礼子 , IZUMI, REIKO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 林井研 , HAYASHII, KEN , 芦田桂子 , ASHIDA, KEIKO
IPC分类号： C09D5/25 , C09D5/44 , C09D133/02 , C09D179/08 , C09D7/12 , C25D13/00 , H01B7/29 , H01B13/16 , H01B3/44 , H01B3/30 , H01B3/10
摘要：本發明之耐熱性絕緣電線係具有耐熱性之絕緣層的絕緣電線，其係於上述絕緣層中含有耐熱性粒子，且上述耐熱性粒子密集於上述絕緣層之表面層厚部分。例如，自上述絕緣層之表面0.5μm之層厚部分所包含的耐熱性粒子之量係上述絕緣層之中央部分所包含的耐熱性粒子之量的2倍以上。使用於形成上述絕緣層之電沉積液係使耐熱性粒子分散於分散有樹脂粒子的懸浮液而成，黏度為100cP以下，且混濁度為1mg/L以上。
简体摘要：本发明之耐热性绝缘电线系具有耐热性之绝缘层的绝缘电线，其系于上述绝缘层中含有耐热性粒子，且上述耐热性粒子密集于上述绝缘层之表面层厚部分。例如，自上述绝缘层之表面0.5μm之层厚部分所包含的耐热性粒子之量系上述绝缘层之中央部分所包含的耐热性粒子之量的2倍以上。使用于形成上述绝缘层之电沉积液系使耐热性粒子分散于分散有树脂粒子的悬浮液而成，黏度为100cP以下，且混浊度为1mg/L以上。

52. 发明专利

TW201637029A 絕緣電線與其製造方法审中-公开
简体标题：绝缘电线与其制造方法
公开(公告)号：TW201637029A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104135871
申请日：2015-10-30
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 川村賢治 , KAWAMURA, KENJI , 田窪毅 , TAKUBO, TSUYOSHI
IPC分类号： H01B7/02 , H01B13/16
CPC分类号： H01B7/02 , C25D13/16 , H01B1/026 , H01B3/306 , H01B7/00 , H01B7/0009 , H01B13/00 , H01B13/0036 , H01B13/16 , H01F5/06
摘要：一種絕緣電線及其製造方法，係在銅線表面具有藉由電沉積法所形成的絕緣被覆之絕緣電線，其特徵為包含該絕緣被覆的橫剖面形狀為六角形，且在該銅線的六角形剖面之各角部形成抑制該絕緣被覆膨脹的切角部分，該切角部分的長度為該六角形剖面的平坦部的長度之1/3~1/20，且捲繞狀態之空隙率為5%以下。
简体摘要：一种绝缘电线及其制造方法，系在铜线表面具有借由电沉积法所形成的绝缘被覆之绝缘电线，其特征为包含该绝缘被覆的横剖面形状为六角形，且在该铜线的六角形剖面之各角部形成抑制该绝缘被覆膨胀的切角部分，该切角部分的长度为该六角形剖面的平坦部的长度之1/3~1/20，且卷绕状态之空隙率为5%以下。

53. 发明专利

TW201611041A 電沉積塗裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：电沉积涂装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201611041A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104125939
申请日：2015-08-10
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION , 三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：飯田慎太郎 , IIDA, SHINTARO , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 上林裕之 , KAMIBAYASHI, HIROYUKI , 長門豊和 , NAGATO, TOYOKAZU
IPC分类号： H01B13/16 , B05D7/24 , B05D3/02
CPC分类号： C09D5/4461 , C09D5/44 , C09D179/08 , C25D13/04 , C25D13/06 , C25D13/10 , C25D13/16 , H01B3/306
摘要：一種製造電沉積塗裝體之方法，其係使用電沉積塗料，藉由電沉積方法在被塗裝體的表面上形成絕緣層後，藉由烘烤處理而形成絕緣被膜，其中電沉積塗料包含含有聚醯胺醯亞胺的溶劑與添加於電沉積塗料中的有機溶劑，有機溶劑係沸點超過100℃且漢森(Hansen)溶解度參數與聚醯胺醯亞胺類似而相溶性高。
简体摘要：一种制造电沉积涂装体之方法，其系使用电沉积涂料，借由电沉积方法在被涂装体的表面上形成绝缘层后，借由烘烤处理而形成绝缘被膜，其中电沉积涂料包含含有聚酰胺酰亚胺的溶剂与添加于电沉积涂料中的有机溶剂，有机溶剂系沸点超过100℃且汉森(Hansen)溶解度参数与聚酰胺酰亚胺类似而相溶性高。

54. 发明专利

TWI522555B 軸封有权
简体标题：轴封
公开(公告)号：TWI522555B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103114061
申请日：2014-04-17
申请人：三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：卯之田和史 , UNODA, KAZUSHI , 本井伝尙彥 , HONIDEN, TAKAHIKO , 細川敦 , HOSOKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： F16J15/32
CPC分类号： F16J15/3236

55. 发明专利

TW201546388A 密封環审中-公开
简体标题：密封环
公开(公告)号：TW201546388A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104118509
申请日：2015-06-08
申请人：三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤井政徳 , FUJII, MASANORI , 木津賢一 , KIZU, KENICHI , 池田穀 , IKEDA, TAKESHI
IPC分类号： F16J15/32 , F16J15/14
CPC分类号： F16J15/18
摘要：藉由熱可塑性樹脂組成物射出成形，且成形時之形狀係作為非正圓形之缺口開口狀態，於使用狀態下縮徑為正圓形使用。將在圓周一處具有缺口之剖面角形的密封環，不必進行機械加工即可成形，且可發揮優良的密封性能。
简体摘要：借由热可塑性树脂组成物射出成形，且成形时之形状系作为非正圆形之缺口开口状态，于使用状态下缩径为正圆形使用。将在圆周一处具有缺口之剖面角形的密封环，不必进行机械加工即可成形，且可发挥优良的密封性能。

56. 发明专利

TW201529739A 橡膠組成物及密封構件审中-公开
简体标题：橡胶组成物及密封构件
公开(公告)号：TW201529739A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103140939
申请日：2014-11-26
申请人：三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：奥田智昭 , OKUDA, TOMOAKI , 石井雄 , ISHII, YUU
IPC分类号： C08L9/02 , C08K3/06 , C08K5/40 , C08K5/44 , C08K5/47 , C08K5/435 , C09K3/10 , B29C45/00 , B29C35/02 , B29L31/26
CPC分类号： C08K3/06 , C08K5/0025 , C08K5/435 , C08L9/02
摘要：本發明提供一種橡膠組成物，其含有腈橡膠、硫、硫化促進劑及抗焦劑，其中，硫化促進劑係選自由秋蘭姆系硫化促進劑、次磺醯胺系硫化促進劑、噻唑系硫化促進劑及二硫胺甲酸鹽系硫化促進劑所成群組之至少2種，抗焦劑係N-苯基-N-(三氯甲基硫基)苯磺醯胺。
简体摘要：本发明提供一种橡胶组成物，其含有腈橡胶、硫、硫化促进剂及抗焦剂，其中，硫化促进剂系选自由秋兰姆系硫化促进剂、次磺酰胺系硫化促进剂、噻唑系硫化促进剂及二硫胺甲酸盐系硫化促进剂所成群组之至少2种，抗焦剂系N-苯基-N-(三氯甲基硫基)苯磺酰胺。

57. 发明专利

TWI491822B 金屬密封件有权
简体标题：金属密封件
公开(公告)号：TWI491822B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW102101824
申请日：2013-01-17
申请人：三菱電線工業股份有限公司 , MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤堂聡 , TOHDOH, SATOSHI
IPC分类号： F16J15/08
CPC分类号： F16J15/08 , F16J15/0887

58. 发明专利

TW200935067A 探針失效
简体标题：探针
公开(公告)号：TW200935067A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097149566
申请日：2008-12-19
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山本巧 YAMAMOTO, TAKUMI , 赤羽晃彥 AKABANE, AKIHIKO , 和田睦 WADA, MAKOTO , 福士誠一 FUKUSHI, SEIICHI , 小池直人 KOIKE, NAOTO , 藤井政德 FUJII, MASANORI , 金子隆 KANEKO, TAKASHI , 廚子敏博 ZUSHI, TOSHIHIRO , 小林祐兒 KOBAYASHI, YUUJI
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R1/06772 , G01R1/06738 , G01R1/0675 , G01R1/07357 , G01R31/2891 , H01R24/40 , H01R2103/00 , H01R2201/20
摘要：以與導電針同軸配置之外部導體來圍繞將導電針插通於中心之絕緣體的外周,並於該絕緣體形成貫通該導電針之軸心方向的透孔。較佳為,將該透孔形成於該導電針周圍之複數個部位。藉此,可使用在較高之高頻區域。
简体摘要：以与导电针同轴配置之外部导体来围绕将导电针插通于中心之绝缘体的外周,并于该绝缘体形成贯通该导电针之轴心方向的透孔。较佳为,将该透孔形成于该导电针周围之复数个部位。借此,可使用在较高之高频区域。

59. 发明专利

TW200813300A 電磁波屏蔽體及電磁波吸收體审中-公开
简体标题：电磁波屏蔽体及电磁波吸收体
公开(公告)号：TW200813300A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096122175
申请日：2007-06-20
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人： 井聰 SAKAI, SATOSHI , 池田毅 IKEDA, TAKESHI , 柏原一之 KASHIHARA, KAZUYUKI , 工藤敏夫 KUDO, TOSHIO , 細谷勝宣 HOSOTANI, KATSUNORI
IPC分类号： E04B , H05K
CPC分类号： H01Q15/14 , H01Q15/0013 , H05K9/0083
摘要：屏蔽建築物內外的電磁波時,能夠僅屏蔽特定頻帶電磁波而使其他頻率的電磁波透射,並且,使得工事上不費事;在不燃性面材1的其中一個面上,經由設置以複數導電部4,4,…至少選擇性地屏蔽一個頻帶的電磁波之頻率選擇層2來構成電磁波屏蔽工事所用的電磁波屏蔽體。
简体摘要：屏蔽建筑物内外的电磁波时,能够仅屏蔽特定频带电磁波而使其他频率的电磁波透射,并且,使得工事上不费事;在不燃性面材1的其中一个面上,经由设置以复数导电部4,4,…至少选择性地屏蔽一个频带的电磁波之频率选择层2来构成电磁波屏蔽工事所用的电磁波屏蔽体。

60. 发明专利

TW200511618A GaN系發光二極體 GAN GROUP LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题： GaN系发光二极管 GAN GROUP LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200511618A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093127400
申请日：2004-09-10
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD.
发明人：岡川廣明 OKAGAWA, HIROAKI , 城市隆秀 JYOICHI, TAKAHIDE , 只友一行 TADATOMO, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/38
摘要：本發明係關於一種作成以下的構成之GaN系發光二極體，在基板之上依次至少疊層：n型GaN系半導體層、由GaN系半導體構成的發光層、p型GaN系半導體層，以該p型GaN系半導體層側為發光觀測面。在該p型GaN系半導體層表面配設：形成為由不具透光性的金屬層構成的可取出光的圖案之p型歐姆電極；與該p型歐姆電極電性連接的p型接合電極，另一方面，使該p型接合電極不與該p型GaN系半導體層歐姆接合，且在p型接合電極之下方實質上不形成p型歐姆電極。依照該GaN系發光二極體，可實現p型接合電極的接著強度高，而且顯示高發光效率以及高輸出的GaN系發光二極體。
简体摘要：本发明系关于一种作成以下的构成之GaN系发光二极管，在基板之上依次至少叠层：n型GaN系半导体层、由GaN系半导体构成的发光层、p型GaN系半导体层，以该p型GaN系半导体层侧为发光观测面。在该p型GaN系半导体层表面配设：形成为由不具透光性的金属层构成的可取出光的图案之p型欧姆电极；与该p型欧姆电极电性连接的p型接合电极，另一方面，使该p型接合电极不与该p型GaN系半导体层欧姆接合，且在p型接合电极之下方实质上不形成p型欧姆电极。依照该GaN系发光二极管，可实现p型接合电极的接着强度高，而且显示高发光效率以及高输出的GaN系发光二极管。

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