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51. 发明专利

TW201418481A 冷作工具鋼之切削方法及冷作模具材料之製造方法审中-公开
简体标题：冷作工具钢之切削方法及冷作模具材料之制造方法
公开(公告)号：TW201418481A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102129841
申请日：2013-08-20
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD. , 日立工具股份有限公司 , HITACHI TOOL ENGINEERING, LTD.
发明人：伊達正芳 , DATE, MASAYOSHI , 庄司辰也 , SHOUJI, TATSUYA , 菅野隆一朗 , SUGANO, RYUUICHIROH , 森下佳奈 , MORISHITA, KANA , 井上謙一 , INOUE, KENICHI
IPC分类号： C22C38/06 , C22C38/14
CPC分类号： B23B1/00 , B23B2222/32 , B23B2222/84 , B23B2228/10 , B23B2228/24 , B32B15/012 , B32B15/013 , C21D9/22 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/20 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/34 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48
摘要：本發明提供一種冷作工具鋼之切削方法，係使用以金屬(含半金屬)部分之原子比例中Al多於50%的AlTi之氮化物皮膜所被覆的被覆切削工具，切削包含質量比為0.6%~1.2%的C且硬度調整為60HRC以上的冷作工具鋼。
简体摘要：本发明提供一种冷作工具钢之切削方法，系使用以金属(含半金属)部分之原子比例中Al多于50%的AlTi之氮化物皮膜所被覆的被覆切削工具，切削包含质量比为0.6%~1.2%的C且硬度调整为60HRC以上的冷作工具钢。

52. 发明专利

TWI420834B 分頻電路、高頻電路及高頻模組有权
简体标题：分频电路、高频电路及高频模块
公开(公告)号：TWI420834B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW096124111
申请日：2007-07-03
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：林健兒 , HAYASHI, KENJI , 內田昌幸 , UCHIDA, MASAYUKI
IPC分类号： H04B1/44 , H01P1/20 , H03H7/075
CPC分类号： H03H7/463 , H03H7/0115 , H03H7/0123 , H03H7/1708 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H7/1775 , H03H7/1783 , H03H7/38 , H03H7/465 , H03H2001/0085 , H04B1/0057 , H04B1/52

53. 发明专利

TW201336207A 肥粒鐵燒結磁鐵之製造方法审中-公开
简体标题：肥粒铁烧结磁铁之制造方法
公开(公告)号：TW201336207A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102110904
申请日：2007-02-13
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：高見崇 , TAKAMI, TAKASHI , 岩崎洋 , IWASAKI, HIROSHI , 小林義德 , KOBAYASHI, YOSHINORI , 餅直樹 , MOCHI, NAOKI , 後藤隆治 , GOTOH, RYUJI
IPC分类号： H02K15/03 , H01F1/055
CPC分类号： H01F7/02 , C01G49/0018 , C01G49/009 , C01G51/006 , C01P2002/52 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/42 , C01P2006/80 , C04B35/2633 , C04B35/2641 , C04B35/62204 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/444 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/605 , C04B2235/656 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , H01F1/11 , H01F41/0266 , H01F41/028
摘要：本發明係提供一種使用肥粒鐵燒結磁鐵之旋轉機，該肥粒鐵燒結磁鐵具有M型肥粒鐵結構，並以Ca、含有至少1種稀土元素且必須含有La之R元素、Ba、Fe及Co作為必要元素，具有由通式：Ca1-x-yRxBayFe2n-zCoz[其中(1-x-y)、x、y、z及n係各自表示Ca、R元素、Ba及Co的含量、及莫耳比，並滿足0.3≦1-x-y≦0.65、0.2≦x≦0.65、0.001≦y≦0.2、0.03≦z≦0.65、4≦n≦7及1-x-y>y之數值]所表示之組成，並提供一種由具有前述組成之肥粒鐵粉末及黏合劑所構成的黏結磁鐵、及由前述黏結磁鐵構成至少一個磁極部之磁力輥。
简体摘要：本发明系提供一种使用肥粒铁烧结磁铁之旋转机，该肥粒铁烧结磁铁具有M型肥粒铁结构，并以Ca、含有至少1种稀土元素且必须含有La之R元素、Ba、Fe及Co作为必要元素，具有由通式：Ca1-x-yRxBayFe2n-zCoz[其中(1-x-y)、x、y、z及n系各自表示Ca、R元素、Ba及Co的含量、及莫耳比，并满足0.3≦1-x-y≦0.65、0.2≦x≦0.65、0.001≦y≦0.2、0.03≦z≦0.65、4≦n≦7及1-x-y>y之数值]所表示之组成，并提供一种由具有前述组成之肥粒铁粉末及黏合剂所构成的黏结磁铁、及由前述黏结磁铁构成至少一个磁极部之磁力辊。

54. 发明专利

TW201332076A 電子零件用積層配線膜审中-公开
简体标题：电子零件用积层配线膜
公开(公告)号：TW201332076A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW102103400
申请日：2013-01-30
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
摘要：本發明提供一種電子零件用積層配線膜，其是以Cu作為主導電層的積層配線膜，該電子零件用積層配線膜使用包覆層，該包覆層可確保對包覆層要求的作為基底層的與基板的密著性、或作為保護主導電層的Cu的表面的上層層(頂蓋膜)的耐熱性，進而即便經過加熱步驟亦可維持低的電阻值。本發明的電子零件用積層配線膜在基板上形成有金屬層，該電子零件用積層配線膜包含以Cu作為主成分的主導電層、及覆蓋該主導電層的至少一個面的包覆層，該包覆層是原子比的組成式由Cu100-X-AlX、20≦X≦60表示，且殘部包含不可避免的雜質的Cu合金。
简体摘要：本发明提供一种电子零件用积层配线膜，其是以Cu作为主导电层的积层配线膜，该电子零件用积层配线膜使用包覆层，该包覆层可确保对包覆层要求的作为基底层的与基板的密着性、或作为保护主导电层的Cu的表面的上层层(顶盖膜)的耐热性，进而即便经过加热步骤亦可维持低的电阻值。本发明的电子零件用积层配线膜在基板上形成有金属层，该电子零件用积层配线膜包含以Cu作为主成分的主导电层、及覆盖该主导电层的至少一个面的包覆层，该包覆层是原子比的组成式由Cu100-X-AlX、20≦X≦60表示，且残部包含不可避免的杂质的Cu合金。

55. 发明专利

TW201310535A 電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材审中-公开
简体标题：电子零件用积层配线膜及被覆层形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TW201310535A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101129421
申请日：2012-08-14
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 , MURATA, HIDEO
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14
摘要：本發明提供使用包含Mo合金的被覆層的電子零件用積層配線膜及用以形成被覆層的濺鍍靶材，上述包含Mo合金的被覆層可改善耐濕性或耐氧化性，而且在與作為低電阻的主導電層的Cu積層時，即便經過加熱步驟亦可維持較低的電阻值。本發明的電子零件用積層配線膜是在基板上形成有金屬膜，其包括：以Cu為主成分的主導電層、以及覆蓋該導電層的一面及/或另一面的被覆層；該被覆層是以原子比的組成式為Mo100-x-y-Nix-Tiy、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53來表示，其餘部分包含不可避免的雜質。
简体摘要：本发明提供使用包含Mo合金的被覆层的电子零件用积层配线膜及用以形成被覆层的溅镀靶材，上述包含Mo合金的被覆层可改善耐湿性或耐氧化性，而且在与作为低电阻的主导电层的Cu积层时，即便经过加热步骤亦可维持较低的电阻值。本发明的电子零件用积层配线膜是在基板上形成有金属膜，其包括：以Cu为主成分的主导电层、以及覆盖该导电层的一面及/或另一面的被覆层；该被覆层是以原子比的组成式为Mo100-x-y-Nix-Tiy、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53来表示，其余部分包含不可避免的杂质。

56. 发明专利

TW200923981A 線圈組件 COIL COMPONENT 审中-公开
简体标题：线圈组件 COIL COMPONENT
公开(公告)号：TW200923981A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097137854
申请日：2008-10-02
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：三上秀人 MIKAMI, HIDETO , 加藤智紹 KATO, TOMOTSUGU , 野口伸 NOGUCHI, SHIN
IPC分类号： H01F
摘要：本發明提供一種在高頻帶發揮優異特性之線圈組件。本發明線圈組件包含有六方晶鐵氧體鐵芯、捲繞於該六方晶鐵氧體鐵芯之一對導體、形成於前述六方晶鐵氧體鐵芯表面,連接前述導體之端子電極;前述六方晶鐵氧體鐵芯具有捲繞於前述一對導體之繞組部,前述繞組部之前述導體之捲繞軸向之起始磁導率大於與前述捲繞軸向垂直之至少一方向之起始磁導率。
简体摘要：本发明提供一种在高频带发挥优异特性之线圈组件。本发明线圈组件包含有六方晶铁氧体铁芯、卷绕于该六方晶铁氧体铁芯之一对导体、形成于前述六方晶铁氧体铁芯表面,连接前述导体之端子电极;前述六方晶铁氧体铁芯具有卷绕于前述一对导体之绕组部,前述绕组部之前述导体之卷绕轴向之起始磁导率大于与前述卷绕轴向垂直之至少一方向之起始磁导率。

57. 发明专利

TWI308349B 奈米複合磁鐵及其製造方法 NANOCOMPOSITE MAGNET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：奈米复合磁铁及其制造方法 NANOCOMPOSITE MAGNET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI308349B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW092128748
申请日：2003-10-16
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：三次敏夫 MIYOSHI, TOSHIO , 金清裕和 KANEKIYO, HIROKAZU
IPC分类号： H01F
CPC分类号： B82Y25/00 , H01F1/0579 , H01F41/0266
摘要：一種奈米複合磁鐵,以通式(Fe1-mTm)100-x-y-z-w-n(B1-pCp)xRyTizVwMn表示,其中T是鈷及/或鎳;R是一稀土元素;M是由鋁、矽、鉻、錳、銅、鋅、鎵、鈮、鋯、鉬、銀、鉭、鎢所組成的族群中選出之至少一元素;並且x、y、z、w、n、m及p分別滿足:10 at%
简体摘要：一种奈米复合磁铁,以通式(Fe1-mTm)100-x-y-z-w-n(B1-pCp)xRyTizVwMn表示,其中T是钴及/或镍;R是一稀土元素;M是由铝、硅、铬、锰、铜、锌、镓、铌、锆、钼、银、钽、钨所组成的族群中选出之至少一元素;并且x、y、z、w、n、m及p分别满足:10 at%

58. 发明专利

TW200914808A 半導體變形感測器 SEMICONDUCTOR STRAIN SENSOR 审中-公开
简体标题：半导体变形传感器 SEMICONDUCTOR STRAIN SENSOR
公开(公告)号：TW200914808A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097130822
申请日：2008-08-13
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：風間敦 KAZAMA, ATSUSHI , 岡田亮二 OKADA, RYOJI , 川井哲郎 KAWAI, TETSUROU
IPC分类号： G01L , G01B , G01G , H01L
CPC分类号： G01L1/18 , G01B7/16 , G01L1/2293
摘要：一種半導體變形感測器,係作為變形檢測部而具備有由具備壓電電阻元件之半導體基板所成的變形感測晶片,其特性係長期間安定,且在因應於測定對象物之變形而在變形感測晶片處所產生之變形的變換係數所測定之大小的變形範圍內係為安定。藉由金屬接合材而被接合有變形感測晶片之金屬基底板,係具備有從變形感測晶片之側邊而突出的用以安裝測定對象物之2個或是4個的突出構件。較理想,在與將變形感測晶片與金屬基底板作接合之接合區域相對應之金屬基底板的下面區域和突出構件的下面之間,係被設置有溝,在金屬基底板之下面,係被設置有藉由溝而被挾持之突出部。
简体摘要：一种半导体变形传感器,系作为变形检测部而具备有由具备压电电阻组件之半导体基板所成的变形传感芯片,其特性系长期间安定,且在因应于测定对象物之变形而在变形传感芯片处所产生之变形的变换系数所测定之大小的变形范围内系为安定。借由金属接合材而被接合有变形传感芯片之金属基底板,系具备有从变形传感芯片之侧边而突出的用以安装测定对象物之2个或是4个的突出构件。较理想,在与将变形传感芯片与金属基底板作接合之接合区域相对应之金属基底板的下面区域和突出构件的下面之间,系被设置有沟,在金属基底板之下面,系被设置有借由沟而被挟持之突出部。

59. 发明专利

TW200825416A 加速度感測器 ACCELERATION SENSOR 审中-公开
简体标题：加速度传感器 ACCELERATION SENSOR
公开(公告)号：TW200825416A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096136043
申请日：2007-09-27
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：秦野弘之 HATANO, HIROYUKI , 三重野敦司 MIENO, ATSUSHI , 齋藤正勝 SAITOH, MASAKATSU , 池田由夫 IKEDA, YOSHIO
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/084
摘要：揭示即使作用著過剩的衝擊、加速度,也不會有補償電壓變動的壓電電阻元件型加速度感測器。將加速度感測器的可撓部與秤砣上面的金屬配線設於形成在可撓部上面/秤砣上面的溝中,即使秤砣與上部規制板相撞之際,作成金屬線也不會與上部規制板相撞的構造,可防止補償電壓的變動。
简体摘要：揭示即使作用着过剩的冲击、加速度,也不会有补偿电压变动的压电电阻组件型加速度传感器。将加速度传感器的可挠部与秤砣上面的金属配线设于形成在可挠部上面/秤砣上面的沟中,即使秤砣与上部规制板相撞之际,作成金属线也不会与上部规制板相撞的构造,可防止补偿电压的变动。

60. 发明专利

TW200805903A 高頻電路、高頻零件及通信裝置 HIGH-FREQUENCY CIRCUIT, HIGH-FREQUENCY DEVICE, AND COMMUNICATIONS APPARATUS 审中-公开
简体标题：高频电路、高频零件及通信设备 HIGH-FREQUENCY CIRCUIT, HIGH-FREQUENCY DEVICE, AND COMMUNICATIONS APPARATUS
公开(公告)号：TW200805903A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096114523
申请日：2007-04-25
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：深町啓介 FUKAMACHI, KEISUKE , 持茂 KEMMOCHI, SHIGERU , 佐竹裕崇 SATAKE, HIROTAKA
IPC分类号： H04B , H04L
CPC分类号： H04B1/50 , H04B1/0057
摘要：一種高頻電路,其具備:開關電路,連接於天線端子;第一及第二分頻電路,連接於開關電路;第一及第二功率放大器電路,連接於第一分頻電路;第一及第二帶通濾波器電路,連接於第一及第二功率放大器電路;第三帶通濾波器電路,連接於第二分頻電路;檢波電路,設在開關電路和第一分頻電路之間;以及低雜訊放大器電路,設在開關電路和第二分頻電路之間。
简体摘要：一种高频电路,其具备:开关电路,连接于天线端子;第一及第二分频电路,连接于开关电路;第一及第二功率放大器电路,连接于第一分频电路;第一及第二带通滤波器电路,连接于第一及第二功率放大器电路;第三带通滤波器电路,连接于第二分频电路;检波电路,设在开关电路和第一分频电路之间;以及低噪声放大器电路,设在开关电路和第二分频电路之间。

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