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51. 发明专利

TW200514155A 半導體晶圓之加工方法 METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之加工方法 METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200514155A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093129069
申请日：2004-09-24
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人： 山啓一 KAJIYAMA, KEIICHI
IPC分类号： H01L
摘要：本發明課題在研削半導體晶圓背面而形成很薄之後，不會傷及半導體晶圓並在背面黏貼接著薄膜。其解決手段為：切削被截斷的外周側部15而形成略垂直面之後，研削背面成為特定厚度，在其後背面粘著接著薄膜且加熱，藉此將半導體晶圓1和接著薄膜成為一體。藉由將外周側部15形成略垂直面，利用研削成為很薄之後，外周不會成為銳角形也不會產生缺口的緣故，然後即使加熱也不會產生裂痕。
简体摘要：本发明课题在研削半导体晶圆背面而形成很薄之后，不会伤及半导体晶圆并在背面黏贴接着薄膜。其解决手段为：切削被截断的外周侧部15而形成略垂直面之后，研削背面成为特定厚度，在其后背面粘着接着薄膜且加热，借此将半导体晶圆1和接着薄膜成为一体。借由将外周侧部15形成略垂直面，利用研削成为很薄之后，外周不会成为锐角形也不会产生缺口的缘故，然后即使加热也不会产生裂痕。

52. 发明专利

TW200512817A 四邊扁平無導線構裝(QFN)基材之處理方法 QFN SUBSTRATE PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：四边扁平无导线构装(QFN)基材之处理方法 QFN SUBSTRATE PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW200512817A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093104341
申请日：2004-02-20
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：關家一馬 SEKIYA, KAZUMA
IPC分类号： H01L
摘要：一種四邊扁平無導線構裝(QFN)基材之處理方法以將QFN基材分割成半導體晶片，該方法包括：一電極引線分離步驟以將構成QFN基材(10)的電極板(120)之電極架(121)移除，同時留下未切割的樹脂層(130)，以將電極引線(122)彼此分離；一半導體晶片測試步驟以經由分離的電極引線(122)測試半導體晶片(110)的電子特性；一QFN基材分割步驟以切割QFN基材(10)的電極架(121)已移除的部分之樹脂層(130)，俾形成晶片尺寸封裝(100)。
简体摘要：一种四边扁平无导线构装(QFN)基材之处理方法以将QFN基材分割成半导体芯片，该方法包括：一电极引线分离步骤以将构成QFN基材(10)的电极板(120)之电极架(121)移除，同时留下未切割的树脂层(130)，以将电极引线(122)彼此分离；一半导体芯片测试步骤以经由分离的电极引线(122)测试半导体芯片(110)的电子特性；一QFN基材分割步骤以切割QFN基材(10)的电极架(121)已移除的部分之树脂层(130)，俾形成芯片尺寸封装(100)。

53. 发明专利

TW200423284A 半導體晶片的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：半导体芯片的制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW200423284A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW093106342
申请日：2004-03-10
申请人：關西油漆股份有限公司 KANSAI PAINT CO., LTD. , 迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：竹添浩司 TAKEZOE, KOUJI , 市川昭人 ICHIKAWA, AKITO , 田村孝一 TAMURA, KOICHI , 北村政彥 KITAMURA, MASAHIKO , 矢興一 YAJIMA, KOUICHI , 南條雅俊 NANJO, MASATOSHI , 波岡伸一 NAMIOKA, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明係以：將支持於高剛性的支持基板上之半導體晶圓或半導體晶片進行研磨而製造半導體晶片之情形下，可使半導體晶圓或半導體晶片毫無損傷地從支持基板上卸下，做為技術課題。本發明在解決手段上，係介由受光時黏著力會降低的黏著層10、將半導體晶圓W1之表面黏貼在透光的支持基板11上、而使半導體晶圓W1的裏面露出；將與支持基板11成一體之半導體晶圓W1的裏面進行研磨，將膠帶40黏貼在與研磨後的支持基板11為一體之半導體晶圓W1的裏面，同時以框架支持該膠帶40的外周；在該膠帶40之黏貼之前或之後，將光從支持基板11對黏著層10照射、而使黏著層10之黏著力降低；其後，將該支持基板11及黏著層10從半導體晶圓W1的表面卸下，而將半導體晶圓W1支持於膠帶40及框架上；將支持於膠帶40及框架上之半導體晶圓W1之間道切斷、而分割成個個之半導體晶片。
简体摘要：本发明系以：将支持于高刚性的支持基板上之半导体晶圆或半导体芯片进行研磨而制造半导体芯片之情形下，可使半导体晶圆或半导体芯片毫无损伤地从支持基板上卸下，做为技术课题。本发明在解决手段上，系介由受光时黏着力会降低的黏着层10、将半导体晶圆W1之表面黏贴在透光的支持基板11上、而使半导体晶圆W1的里面露出；将与支持基板11成一体之半导体晶圆W1的里面进行研磨，将胶带40黏贴在与研磨后的支持基板11为一体之半导体晶圆W1的里面，同时以框架支持该胶带40的外周；在该胶带40之黏贴之前或之后，将光从支持基板11对黏着层10照射、而使黏着层10之黏着力降低；其后，将该支持基板11及黏着层10从半导体晶圆W1的表面卸下，而将半导体晶圆W1支持于胶带40及框架上；将支持于胶带40及框架上之半导体晶圆W1之间道切断、而分割成个个之半导体芯片。

54. 发明专利

TW200409291A 導體晶圓及基體 CONDUCTOR WAFER AND SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：导体晶圆及基体 CONDUCTOR WAFER AND SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200409291A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW092130293
申请日：2003-10-30
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：荒井一尚 ARAI, KAZUHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/544 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體晶圓，具有電路形成於基板的前表面上，以及一種ID記號，形成於預定位置上的基板內部。
简体摘要：一种半导体晶圆，具有电路形成于基板的前表面上，以及一种ID记号，形成于预定位置上的基板内部。

55. 发明专利

TW200939547A 光裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光设备之制造方法
公开(公告)号：TW200939547A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW098102024
申请日：2009-01-20
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：荒井一尚 ARAI, KAZUHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/64 , H01L2933/0075 , H01S5/0201
摘要：本發明之光裝置之製造方法,係沿著區隔多數光裝置之紋路,分割於基板表面藉光裝置層而形成有多數光裝置之光裝置晶圓,並可有效率地接合散熱裝置者。本發明之光裝置之製造方法係一種沿著區隔多數光裝置之紋路,分割於基板表面藉光裝置層而形成有多數光裝置之光裝置晶圓,並將散熱裝置接合於各光裝置之方法,包含有:散熱裝置構件溝槽形成步驟,係於散熱裝置構件的表面上與區隔多數光裝置之紋路對應之位置,形成深度相當於散熱裝置之完成厚度的溝槽者;散熱裝置構件接合步驟,係使光裝置晶圓之光裝置層的表面與散熱裝置構件的表面相對,且以接合金屬層為中介接合者;光裝置晶圓分割步驟,係沿著紋路切斷光裝置晶圓,分割成各個光裝置者;保護構件貼著步驟,係於光裝置晶圓的基板之背面貼著保護構件者;及,散熱裝置構件分割步驟,係研削散熱裝置構件之背面,在該背面使溝槽裸露,將散熱裝置構件分割成與各個光裝置相對應之散熱裝置者。
简体摘要：本发明之光设备之制造方法,系沿着区隔多数光设备之纹路,分割于基板表面藉光设备层而形成有多数光设备之光设备晶圆,并可有效率地接合散热设备者。本发明之光设备之制造方法系一种沿着区隔多数光设备之纹路,分割于基板表面藉光设备层而形成有多数光设备之光设备晶圆,并将散热设备接合于各光设备之方法,包含有:散热设备构件沟槽形成步骤,系于散热设备构件的表面上与区隔多数光设备之纹路对应之位置,形成深度相当于散热设备之完成厚度的沟槽者;散热设备构件接合步骤,系使光设备晶圆之光设备层的表面与散热设备构件的表面相对,且以接合金属层为中介接合者;光设备晶圆分割步骤,系沿着纹路切断光设备晶圆,分割成各个光设备者;保护构件贴着步骤,系于光设备晶圆的基板之背面贴着保护构件者;及,散热设备构件分割步骤,系研削散热设备构件之背面,在该背面使沟槽裸露,将散热设备构件分割成与各个光设备相对应之散热设备者。

56. 发明专利

TW200937514A 半導體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TW200937514A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097149250
申请日：2008-12-17
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：長澤唯人 NAGASAWA, TADATO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78
摘要：本發明係提供一種半導晶片之製造方法,其係在良好效率且不產生加工屑下,分割在裏面形成有金屬膜之半導體晶圓。本發明之半導體晶片之製造方法,其係將半導體晶圓分割成個別半導體晶片之半導體晶片的製造方法,該半導體晶圓係於表面形成格子狀之複數個界道,且具有於以該等複數個界道所劃分之複數個區域各別形成有元件的元件區域,以及圍繞該元件區域的外圍剩餘區域,該方法包含:一改質層形成步驟,其係以對該半導體晶圓具有穿透性之波長的雷射光束,自該半導體晶圓之裏面側,使聚光點對準該半導體晶圓內部,沿該界道照射,在該半導體晶圓內部形成沿該界道的改質層、一金屬膜成膜步驟,其係在實施該改質層形成步驟後,在該半導體晶圓之裏面形成一金屬膜、一半導體晶圓黏著步驟,其係將該半導體晶圓黏著於安裝在環狀框架上之黏著帶、一半導體晶圓分割步驟,其係在該半導體晶圓黏著於該黏著帶的狀態下,將外力作用於該半導體晶圓,而沿該改質層,將該半導體晶圓連同該金屬膜一起分割成個別的晶片。
简体摘要：本发明系提供一种半导芯片之制造方法,其系在良好效率且不产生加工屑下,分割在里面形成有金属膜之半导体晶圆。本发明之半导体芯片之制造方法,其系将半导体晶圆分割成个别半导体芯片之半导体芯片的制造方法,该半导体晶圆系于表面形成格子状之复数个界道,且具有于以该等复数个界道所划分之复数个区域各别形成有组件的组件区域,以及围绕该组件区域的外围剩余区域,该方法包含:一改质层形成步骤,其系以对该半导体晶圆具有穿透性之波长的激光光束,自该半导体晶圆之里面侧,使聚光点对准该半导体晶圆内部,沿该界道照射,在该半导体晶圆内部形成沿该界道的改质层、一金属膜成膜步骤,其系在实施该改质层形成步骤后,在该半导体晶圆之里面形成一金属膜、一半导体晶圆黏着步骤,其系将该半导体晶圆黏着于安装在环状框架上之黏着带、一半导体晶圆分割步骤,其系在该半导体晶圆黏着于该黏着带的状态下,将外力作用于该半导体晶圆,而沿该改质层,将该半导体晶圆连同该金属膜一起分割成个别的芯片。

57. 发明专利

TW200934611A 加工廢液處理裝置(一) 审中-公开
简体标题：加工废液处理设备(一)
公开(公告)号：TW200934611A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097149252
申请日：2008-12-17
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：風呂中武 FURONAKA, TAKESHI , 吉田幹 YOSHIDA, MIKI
IPC分类号： B23Q
CPC分类号： C02F9/005 , C02F1/001 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F2103/346 , Y02P70/171
摘要：本發明之目的在於提供一種可精緻地構成裝置全體的廢液處理裝置。為了達到前述目的,本發明係一種加工廢液處理裝置,包含有:廢液收納槽;廢液過濾裝置;清水貯存槽;純水形成裝置;純水溫度調整裝置;控制裝置;操作盤;及用以收納前述各結構裝置之裝置殼;而裝置殼具有底壁、上壁、左側壁、右側壁、後壁及用以開關前側開口之開關門。又,底壁之後壁側配置有廢液槽,且與廢液槽相鄰地於底壁的中央部配置有清水貯存槽,而與清水貯存槽相鄰地於底壁的前側開口側配置有純水形成裝置,純水形成裝置之上側配置有廢液過濾裝置,廢液槽之上方配置有純水溫度調整裝置,而廢液過濾裝置之上側配置有控制裝置及操作盤,且操作盤配置於裝置殼之前側。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可精致地构成设备全体的废液处理设备。为了达到前述目的,本发明系一种加工废液处理设备,包含有:废液收纳槽;废液过滤设备;清水贮存槽;纯水形成设备;纯水温度调整设备;控制设备;操作盘;及用以收纳前述各结构设备之设备壳;而设备壳具有底壁、上壁、左侧壁、右侧壁、后壁及用以开关前侧开口之开关门。又,底壁之后壁侧配置有废液槽,且与废液槽相邻地于底壁的中央部配置有清水贮存槽,而与清水贮存槽相邻地于底壁的前侧开口侧配置有纯水形成设备,纯水形成设备之上侧配置有废液过滤设备,废液槽之上方配置有纯水温度调整设备,而废液过滤设备之上侧配置有控制设备及操作盘,且操作盘配置于设备壳之前侧。

58. 发明专利

TW200933724A 晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW200933724A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097143862
申请日：2008-11-13
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人： 山啓一 KAJIYAMA, KEIICHI , 增田隆俊 MASUDA, TAKATOSHI , 渡邊真也 WATANABE, SHINYA , 山本節男 YAMAMOTO, SETSUO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/042 , B24B27/0076
摘要：本發明係提供一種使用加工研磨機構研磨業經粗研磨機構研磨之晶圓時,可使對於晶圓之所謂去角良好,防止燒蝕產生之晶圓之研磨方法。該晶圓之研磨方法,包含有:晶圓保持步驟,係將晶圓保持在具有圓錐狀保持面之夾頭台之該保持面;粗研磨步驟,係將粗研磨輪之研磨面相對該夾頭台之該保持面以預定之傾斜角度定位,並且使該粗研磨輪旋轉後對保持在該夾頭台之該保持面之晶圓進行粗研磨;及加工研磨步驟,係將加工研磨輪之研磨面相對該夾頭台之該保持面平行地定位,並且使該加工研磨輪在研磨輪之研磨領域中,朝該加工研磨輪之研磨面與晶圓之被研磨面之接觸角的頂點之方向旋轉,並且對晶圓進行加工研磨。
简体摘要：本发明系提供一种使用加工研磨机构研磨业经粗研磨机构研磨之晶圆时,可使对于晶圆之所谓去角良好,防止烧蚀产生之晶圆之研磨方法。该晶圆之研磨方法,包含有:晶圆保持步骤,系将晶圆保持在具有圆锥状保持面之夹头台之该保持面;粗研磨步骤,系将粗研磨轮之研磨面相对该夹头台之该保持面以预定之倾斜角度定位,并且使该粗研磨轮旋转后对保持在该夹头台之该保持面之晶圆进行粗研磨;及加工研磨步骤,系将加工研磨轮之研磨面相对该夹头台之该保持面平行地定位,并且使该加工研磨轮在研磨轮之研磨领域中,朝该加工研磨轮之研磨面与晶圆之被研磨面之接触角的顶点之方向旋转,并且对晶圆进行加工研磨。

59. 发明专利

TW200917409A 保持於夾頭台之被加工物之高度位置檢測裝置(一) 审中-公开
简体标题：保持于夹头台之被加工物之高度位置检测设备(一)
公开(公告)号：TW200917409A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097127620
申请日：2008-07-21
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：澤邊大樹 SAWABE, TAIKI , 能丸圭司 NOMARU, KEIJI
IPC分类号： H01L , B23K , G05B
CPC分类号： G01B11/0608 , B23K26/0057 , B23K26/048 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50
摘要：本發明係提供一種即使是藉由具有透明性之材料所形成之被加工物,亦可確實地檢測保持於夾頭台之被加工物之上面高度位置的高度位置檢測裝置。該高度位置檢測裝置係用以檢測保持於夾頭台之被加工物之上面高度位置者,且包含有:雷射光束振盪機構;環狀光點形成機構,係將業已藉由雷射光束振盪機構振盪之雷射光束之光點形狀形成為環狀者;第1光束分光鏡,係將光點形狀形成為環狀之雷射光束導入第1路徑者;聚光器,係將業已導入第1路徑之雷射光束聚光並照射至被加工物者;針孔光罩,係配置於第2路徑上,且該第2路徑係藉由被加工物反射之雷射光束被第1光束分光鏡分割形成者;第2光束分光鏡,係將通過針孔光罩之反射光分割至第3路徑與第4路徑者;第1受光元件,係接受業已分割至第3路徑之反射光者;第2受光元件,係接受業已分割至第4路徑之反射光者;受光領域限制機構,係配置於第4路徑上,且限制第2受光元件所接受之反射光之受光領域者;及控制機構,係依據第1受光元件受光之光量與第2受光元件受光之光量比,求取被加工物之上面高度位置者。
简体摘要：本发明系提供一种即使是借由具有透明性之材料所形成之被加工物,亦可确实地检测保持于夹头台之被加工物之上面高度位置的高度位置检测设备。该高度位置检测设备系用以检测保持于夹头台之被加工物之上面高度位置者,且包含有:激光光束振荡机构;环状光点形成机构,系将业已借由激光光束振荡机构振荡之激光光束之光点形状形成为环状者;第1光束分光镜,系将光点形状形成为环状之激光光束导入第1路径者;聚光器,系将业已导入第1路径之激光光束聚光并照射至被加工物者;针孔光罩,系配置于第2路径上,且该第2路径系借由被加工物反射之激光光束被第1光束分光镜分割形成者;第2光束分光镜,系将通过针孔光罩之反射光分割至第3路径与第4路径者;第1受光组件,系接受业已分割至第3路径之反射光者;第2受光组件,系接受业已分割至第4路径之反射光者;受光领域限制机构,系配置于第4路径上,且限制第2受光组件所接受之反射光之受光领域者;及控制机构,系依据第1受光组件受光之光量与第2受光组件受光之光量比,求取被加工物之上面高度位置者。

60. 发明专利

TW200912289A 加工裝置审中-公开
简体标题：加工设备
公开(公告)号：TW200912289A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097125868
申请日：2008-07-09
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：關家一馬 SEKIYA, KAZUMA
IPC分类号： G01N , H01L
摘要：本發明之加工裝置在發現監視器上顯示之細部影像有不良處時,可明確辨識該區域而能適切迅速查明原因,包含有:夾持盤,係固持被加工物者;加工機構,係將由該夾持盤固持之被加工物加工者;攝像機構,係拍攝被加工物者;及顯示機構,係顯示藉該攝像機構拍攝之影像者,且,前述攝像機構具有整體攝像部,係拍攝由前述夾持盤固持之被加工物之整體者;細部攝像部,係拍攝被加工物之細部者;影像合成部,係將藉前述整體攝像部拍攝之被加工物之整體影像與藉前述細部攝像部拍攝之細部影像合成顯示於前述顯示機構上,並且在被加工物之整體影像顯示細部影像之位置。
简体摘要：本发明之加工设备在发现监视器上显示之细部影像有不良处时,可明确辨识该区域而能适切迅速查明原因,包含有:夹持盘,系固持被加工物者;加工机构,系将由该夹持盘固持之被加工物加工者;摄像机构,系拍摄被加工物者;及显示机构,系显示藉该摄像机构拍摄之影像者,且,前述摄像机构具有整体摄像部,系拍摄由前述夹持盘固持之被加工物之整体者;细部摄像部,系拍摄被加工物之细部者;影像合成部,系将藉前述整体摄像部拍摄之被加工物之整体影像与藉前述细部摄像部拍摄之细部影像合成显示于前述显示机构上,并且在被加工物之整体影像显示细部影像之位置。

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