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41. 发明专利

TW200809904A 具有可變掃描頻率的離子 ION IMPLANTER WITH VARIABLE SCAN FREQUENCY 审中-公开
简体标题：具有可变扫描频率的离子 ION IMPLANTER WITH VARIABLE SCAN FREQUENCY
公开(公告)号：TW200809904A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096110332
申请日：2007-03-26
申请人：瓦里安半導體設備公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：歐爾森約瑟C. OLSON, JOSEPH C. , 艾文斯摩根 EVANS, MORGAN
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/1477 , H01J37/302 , H01J2237/0041 , H01J2237/30488 , H01L21/265
摘要：一種離子植入機包括離子束產生器,其產生離子束;掃描器,其沿至少一方向以一掃描頻率對所述離子束進行掃描;及控制器。所述控制器根據所述離子植入機的操作參數控制所述掃描頻率,所述操作參數至少部份取決於所述離子束的能量,若所述能量高於能量閥(threshold)値,則所述掃描頻率高於掃描頻率閥値,若所述能量低於所述能量閥値,則所述掃描頻率低於所述掃描頻率閥値。
简体摘要：一种离子植入机包括离子束产生器,其产生离子束;扫描仪,其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描;及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率,所述操作参数至少部份取决于所述离子束的能量,若所述能量高于能量阀(threshold)値,则所述扫描频率高于扫描频率阀値,若所述能量低于所述能量阀値,则所述扫描频率低于所述扫描频率阀値。

42. 发明专利

TW200618126A 晶圓電荷補償裝置及具有晶圓電荷補償裝置之離子植入系統 WAFER CHARGE COMPENSATION DEVICE AND ION IMPLANTATION SYSTEM HAVING THE SAME 审中-公开
简体标题：晶圆电荷补偿设备及具有晶圆电荷补偿设备之离子植入系统 WAFER CHARGE COMPENSATION DEVICE AND ION IMPLANTATION SYSTEM HAVING THE SAME
公开(公告)号：TW200618126A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094119655
申请日：2005-06-14
申请人：住友伊頓諾巴股份有限公司 SUMITOMO EATON NOVA CORPORATION
发明人：川口宏 KAWAGUCHI, HIROSHI , 佐野信 SANO, MAKOTO , 杉谷道朗 SUGITANI, MICHIRO , 村上純一 MURAKAMI, JUNICHI , 月原光國 TSUKIHARA, MITSUKUNI , 澤光昭 KABASAWAI, MITSUAKI , 黑田隆之 KURODA, TAKASHI , 上田一成 UEDA, KAZUNARI , 曾我部博 SOGABE, HIROSHI
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J49/26 , H01J37/026 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0041
摘要：根據本發明之電荷補償裝置係當以來自離子束產生源單元之離子束照射晶圓時用來抑制晶圓之充電，該電荷補償裝置包含至少一第一電弧室，具有至少一第一提取孔，及一第二電弧室，具有至少一面向該預定掃描範圍之往復擺動離子束的第二提取孔，第一電弧電壓被施加於該第一電弧室以產生第一電漿於該第一電弧室中，所產生之第一電漿係自第一電弧室中被提取出且被導引入第二電弧室內，第二電漿被產生於第二電弧室中，並且來自第二電弧室之第二提取電漿形成一電漿橋於該第二提取孔與往復擺動離子束之間。
简体摘要：根据本发明之电荷补偿设备系当以来自离子束产生源单元之离子束照射晶圆时用来抑制晶圆之充电，该电荷补偿设备包含至少一第一电弧室，具有至少一第一提取孔，及一第二电弧室，具有至少一面向该预定扫描范围之往复摆动离子束的第二提取孔，第一电弧电压被施加于该第一电弧室以产生第一等离子于该第一电弧室中，所产生之第一等离子系自第一电弧室中被提取出且被导引入第二电弧室内，第二等离子被产生于第二电弧室中，并且来自第二电弧室之第二提取等离子形成一等离子桥于该第二提取孔与往复摆动离子束之间。

43. 发明专利

TWI244676B 離子植入機及其電弧反應室燈絲 ARC CHAMBER FILAMENT FOR ION IMPLANTER 失效
简体标题：离子植入机及其电弧反应室灯丝 ARC CHAMBER FILAMENT FOR ION IMPLANTER
公开(公告)号：TWI244676B
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW093128823
申请日：2004-09-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林弘青 LIN, HOM CHUNG , 洪美蘭 HUNG, MEI LAN , 余啓福 YU, CHI FU , 曾新宏 TZENG, SHIN HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J1/16 , H01J37/026 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J2237/0044
摘要：一種離子植入機中新穎及改善之電弧反應室燈絲，在基底上製造積體電路的過程中用以植入離子在一半導體晶片之基底上。該燈絲包含一對平行之燈絲段，而每一燈絲段係連接至一末端上之一電壓來源。上述平行之燈絲段係經由一雙向捲繞結構而相互連接，其定義至少一個大致呈U型捲繞組件於一將燈絲對稱平分之平面的每一邊，且其中上述捲繞燈絲組件之線段係與上述平行燈絲段大致垂直。
简体摘要：一种离子植入机中新颖及改善之电弧反应室灯丝，在基底上制造集成电路的过程中用以植入离子在一半导体芯片之基底上。该灯丝包含一对平行之灯丝段，而每一灯丝段系连接至一末端上之一电压来源。上述平行之灯丝段系经由一双向卷绕结构而相互连接，其定义至少一个大致呈U型卷绕组件于一将灯丝对称平分之平面的每一边，且其中上述卷绕灯丝组件之线段系与上述平行灯丝段大致垂直。

44. 发明专利

TW420769B 用於使用導電銷之光罩的防靜電方法有权
简体标题：用于使用导电销之光罩的防静电方法
公开(公告)号：TW420769B
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：TW087113884
申请日：1998-08-21
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：山崎浩
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/20 , G03F1/40 , G03F7/2037 , H01J37/026 , H01J2237/0044 , H01J2237/2007 , H01J2237/3175 , Y10S430/143
摘要：一個使用於光罩(3)之防靜電方法，包括一個導電性光學屏蔽層(32)、插入至少兩個導電銷到該光罩，如此該導電銷和該導電性光學屏蔽層就可互相接觸。然後，將該光罩裝著於一個電子束曝光裝置的一個卡匣(71)中。然後，藉導電板(72)將該導電銷電性連接該卡匣。如此，在該導電性光學屏蔽層以電子束所充電的電子可以有效率的從導電銷中放電至該卡匣。
简体摘要：一个使用于光罩(3)之防静电方法，包括一个导电性光学屏蔽层(32)、插入至少两个导电销到该光罩，如此该导电销和该导电性光学屏蔽层就可互相接触。然后，将该光罩装着于一个电子束曝光设备的一个卡匣(71)中。然后，藉导电板(72)将该导电销电性连接该卡匣。如此，在该导电性光学屏蔽层以电子束所充电的电子可以有效率的从导电销中放电至该卡匣。

45. 发明专利

TW385477B 用於離子植入器電漿簇射之燈絲失效
简体标题：用于离子植入器等离子簇射之灯丝
公开(公告)号：TW385477B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW087113781
申请日：1998-08-21
申请人：伊藤公司
发明人：彼得羅倫斯凱勒曼
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/026 , H01J1/16 , H01J2237/004 , H01J2237/31701
摘要：一種帶狀燈絲(86)係提供用於一熱離子式放射裝置。該燈絲包含一細長本體，其具有由一長度、一寬度與一厚度所界定之一結構。該長度包含一中央部位(96)以及於中央部位各側之第一與第二端部位(98)。該中央部位之寬度係大於第一與第二端部位之寬度。此外，該燈絲之厚度係大致小於沿其全長之寬度。該帶狀燈絲(86)可構成為一單一螺旋狀線圈，其具有分別安裝至第一與第二腳部(85)於其內之槽位置的第一與第二端部位(98)。較佳為，燈絲(86)係含有鎢，且第一與第二腳部(86)係亦含有鎢。
简体摘要：一种带状灯丝(86)系提供用于一热离子式放射设备。该灯丝包含一细长本体，其具有由一长度、一宽度与一厚度所界定之一结构。该长度包含一中央部位(96)以及于中央部位各侧之第一与第二端部位(98)。该中央部位之宽度系大于第一与第二端部位之宽度。此外，该灯丝之厚度系大致小于沿其全长之宽度。该带状灯丝(86)可构成为一单一螺旋状线圈，其具有分别安装至第一与第二脚部(85)于其内之槽位置的第一与第二端部位(98)。较佳为，灯丝(86)系含有钨，且第一与第二脚部(86)系亦含有钨。

46. 发明专利

TW350974B 用於離子束中和之方法及裝置失效
简体标题：用于离子束中和之方法及设备
公开(公告)号：TW350974B
公开(公告)日：1999-01-21
申请号：TW086110393
申请日：1997-07-22
申请人：伊藤公司
发明人：陳中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/026 , H01J2237/0041 , H01J2237/31701
摘要：用於沿著離子束路徑維持一離子束（１４）從離子源（１２）到一離子植入站（１６）的方法與裝置，在離子植入站處工件係被加以離子束處理。一離子束中和器（４４）是被定位於離子處理站之上游，並包括約束離子束路徑的吸持結構（１２０）。一定位於吸持結構內的電子源（１２６）將電子發射到離子束。由吸持結構支撐的一排磁鐵（１２４）產生一磁場，以吸持在吸持結構內移動的電子。一內部磁鐵過濾場是是藉由復數個軸向延長的過濾桿（２０８）而建立於吸持結構內，該些過濾桿具有界限離子束的壓縮磁鐵（２２４），其方向大致被定位成於離子束路徑平行。此內部磁場限制較高能量之電子（３００）離開離子束路徑，並允許較低能量之電子（３０１）沿著離子束漂移。
简体摘要：用于沿着离子束路径维持一离子束（１４）从离子源（１２）到一离子植入站（１６）的方法与设备，在离子植入站处工件系被加以离子束处理。一离子束中和器（４４）是被定位于离子处理站之上游，并包括约束离子束路径的吸持结构（１２０）。一定位于吸持结构内的电子源（１２６）将电子发射到离子束。由吸持结构支撑的一排磁铁（１２４）产生一磁场，以吸持在吸持结构内移动的电子。一内部磁铁过滤场是是借由复数个轴向延长的过滤杆（２０８）而创建于吸持结构内，该些过滤杆具有界限离子束的压缩磁铁（２２４），其方向大致被定位成于离子束路径平行。此内部磁场限制较高能量之电子（３００）离开离子束路径，并允许较低能量之电子（３０１）沿着离子束漂移。

47. 发明专利

TW201722009A 自清潔線性離子棒及其方法审中-公开
简体标题：自清洁线性离子棒及其方法
公开(公告)号：TW201722009A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105133502
申请日：2016-10-18
申请人：伊利諾工具工程公司 , ILLINOIS TOOL WORKS INC.
发明人：蓋夫特彼得 , GEFTER, PETER
IPC分类号： H01T21/00 , H01T19/00
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/3002 , H01J2237/0041 , H01T19/00 , H01T23/00
摘要：在此揭示自清潔離子器，該自清潔離子器具有至少一個離子化電極、至少一個電極清潔器，及至少兩個線軸組件。電極具有相對端點，並以表面定義了軸向工作長度，該表面產生離子雲並隨著使用而發展降解產物。儘管電極的工作長度是固定的，但電極是可移動的。電極清潔器亦是固定的，並選擇性地沿著其工作長度接合電極。電極的相對端點固定到相對線軸組件，該等相對線軸組件選擇性地移動離子化電極，使得電極清潔器在移動期間從電極移除至少一些表面降解產物。在此亦揭示用於所揭示的離子器的方法，該方法具有運作的自清潔及離子化模式，該等模式可循環、交替或同時發生。
简体摘要：在此揭示自清洁离子器，该自清洁离子器具有至少一个离子化电极、至少一个电极清洁器，及至少两个线轴组件。电极具有相对端点，并以表面定义了轴向工作长度，该表面产生离子云并随着使用而发展降解产物。尽管电极的工作长度是固定的，但电极是可移动的。电极清洁器亦是固定的，并选择性地沿着其工作长度接合电极。电极的相对端点固定到相对线轴组件，该等相对线轴组件选择性地移动离子化电极，使得电极清洁器在移动期间从电极移除至少一些表面降解产物。在此亦揭示用于所揭示的离子器的方法，该方法具有运作的自清洁及离子化模式，该等模式可循环、交替或同时发生。

48. 发明专利

TW201643928A 用於使電子束掃瞄過的區域放電的系統审中-公开
简体标题：用于使电子束扫瞄过的区域放电的系统
公开(公告)号：TW201643928A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105113083
申请日：2016-04-27
申请人：應用材料以色列公司 , APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD.
发明人：高登史坦艾利克斯 , GOLDENSHTEIN, ALEX
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/04
CPC分类号： H01J37/073 , H01J37/026 , H01J37/226 , H01J37/28 , H01J2237/0047 , H01J2237/04 , H01J2237/063 , H01J2237/2801 , H01J2237/2817
摘要：一種用於對物體成像的方法與系統，該系統可包括電子光學元件，該電子光學元件經配置而用至少一個電子束掃描該物體的第一區域；其中該電子光學元件可包含第一電極；及光學元件，該光學元件經配置而照射（a）該第一電極與（b）該物體中的至少一個目標，從而引起該第一電極與該物體之間的一電子發射。
简体摘要：一种用于对物体成像的方法与系统，该系统可包括电子光学组件，该电子光学组件经配置而用至少一个电子束扫描该物体的第一区域；其中该电子光学组件可包含第一电极；及光学组件，该光学组件经配置而照射（a）该第一电极与（b）该物体中的至少一个目标，从而引起该第一电极与该物体之间的一电子发射。

49. 发明专利

TW201642301A 校準電荷調節模組的系統與方法审中-公开
简体标题：校准电荷调节模块的系统与方法
公开(公告)号：TW201642301A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104118435
申请日：2015-06-05
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION INC.
发明人：王義向 , WANG, YI-XIANG , 張劍 , ZHANG, JIAN , 趙焱 , ZHA, YAN
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/244 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/0047 , H01J2237/024
摘要：本發明提出一種在真空環境中校準電荷調節模組的系統與方法。固定電荷調節模組的裝置提供電荷調節模組的運動使由電荷調節模組照射之一於試片表面上之光束照射點可被移動至一帶電粒子束照射的一預定位置。
简体摘要：本发明提出一种在真空环境中校准电荷调节模块的系统与方法。固定电荷调节模块的设备提供电荷调节模块的运动使由电荷调节模块照射之一于试片表面上之光束照射点可被移动至一带电粒子束照射的一预定位置。

50. 发明专利

TWI540381B 遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法有权
简体标题：遮罩盖体用接地机构、遮罩盖体、带电粒子束描绘设备以及带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TWI540381B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103114104
申请日：2014-04-18
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：浅見悠 , ASAMI, YU , 川口通広 , KAWAGUCHI, MICHIHIRO
IPC分类号： G03F1/62 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/3002 , H01J37/3174 , H01J2237/31788

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