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41. 发明专利

TWI670866B 發光二極體晶粒的製造方法有权
简体标题：发光二极管晶粒的制造方法
公开(公告)号：TWI670866B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106138672
申请日：2017-11-08
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：凃博閔 , TU, PO-MIN , 洪梓健 , HUNG, TZU-CHIEN , 沈佳輝 , SHEN, CHIA-HUI , 黃建翔 , HUANG, CHIEN-SHIANG , 彭建忠 , PENG, CHIEN-CHUNG
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/36

42. 发明专利

TW201919137A 發光二極體微晶粒的製作方法审中-公开
简体标题：发光二极管微晶粒的制作方法
公开(公告)号：TW201919137A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW106138524
申请日：2017-11-07
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：凃博閔 , TU, PO-MIN , 洪梓健 , HUNG, TZU-CHIEN , 沈佳輝 , SHEN, CHIA-HUI , 黃建翔 , HUANG, CHIEN-SHIANG , 彭建忠 , PENG, CHIEN-CHUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , B23K26/362 , B23K26/50 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
摘要：本發明涉及一種發光二極體微晶粒的製作方法，包括：提供襯底基板，在襯底基板上形成緩衝層，且在緩衝層的表面形成雷射阻隔層；在所述雷射阻隔層上形成陣列排列的發光二極體微晶粒；提供輔助基板，在所述輔助基板上形成一層粘著膠層；將所述輔助基板具有粘著膠層的表面壓向所述發光二極體微晶粒，所述粘著膠層填充所述發發光二極體微晶粒之間的間隙，並對所述粘著膠層進行固化；利用雷射從所述襯底基板的底面照射所述襯底基板，所述緩衝層在所述雷射光束的作用下氣化，所述襯底基板與所述雷射阻隔層分離；蝕刻移除所述襯底基板；以及對所述粘著膠層進行解膠，便得到多個發光二極體微晶粒。
简体摘要：本发明涉及一种发光二极管微晶粒的制作方法，包括：提供衬底基板，在衬底基板上形成缓冲层，且在缓冲层的表面形成激光阻隔层；在所述激光阻隔层上形成数组排列的发光二极管微晶粒；提供辅助基板，在所述辅助基板上形成一层粘着胶层；将所述辅助基板具有粘着胶层的表面压向所述发光二极管微晶粒，所述粘着胶层填充所述发发光二极管微晶粒之间的间隙，并对所述粘着胶层进行固化；利用激光从所述衬底基板的底面照射所述衬底基板，所述缓冲层在所述激光光束的作用下气化，所述衬底基板与所述激光阻隔层分离；蚀刻移除所述衬底基板；以及对所述粘着胶层进行解胶，便得到多个发光二极管微晶粒。

43. 发明专利

TWI566431B 組合式電子阻擋層發光元件有权
简体标题：组合式电子阻挡层发光组件
公开(公告)号：TWI566431B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW097128065
申请日：2008-07-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：吳芃逸 , WU, PENG YI , 黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG , 凃博閔 , TU, PO MIN , 葉穎超 , YEH, YING CHAO , 林文禹 , LIN, WEN YU , 徐智鵬 , HSU, CHIH PENG , 詹世雄 , CHAN, SHIH HSIUNG
IPC分类号： H01L33/14 , H01S5/20
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/32

44. 发明专利

TWI560910B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI560910B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104100621
申请日：2015-01-09
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58

45. 发明专利

TW201630216A 發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201630216A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104109258
申请日：2015-03-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA-HUNG , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58
摘要：一種發光二極體封裝結構，包括基板，所述基板包括一上表面、與上表面相對的下表面，以及與上表面邊緣和下表面邊緣連接的第一側面和第二側面，一第一電極、第二電極、及發光二極體設置在基板的上表面，一封裝層位於基板上表面且覆蓋所述第一電極、第二電極及發光二極體，所述基板內形成第一空氣洞列及第二空氣洞列，所述第一空氣洞列及第二空氣洞列分別由多個均勻間隔排布的空氣洞組成且分別形成於基板內靠近所述第一側面的一側和靠近所述第二側面的一側，所述發光二極體朝向基板下表面的正向投影位於第一空氣洞列和第二空氣洞列之間。
简体摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。

46. 发明专利

TW201630215A 發光二極體封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201630215A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104106453
申请日：2015-03-02
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/54 , H01L25/0753 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要：一種發光二極體封裝體，包括基板、設置在基板上表面的第一電極、第二電極及位於第一電極及第二電極之間的發光二極體，還包括由疏水性材料製成的擋圈，所述擋圈固定於所述基板上且圍設所述發光二極體於其內，封裝層形成在所述擋圈內並包覆所述發光二極體，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側面，所述封裝層的弧形側面貼設所述擋圈的內表面。
简体摘要：一种发光二极管封装体，包括基板、设置在基板上表面的第一电极、第二电极及位于第一电极及第二电极之间的发光二极管，还包括由疏水性材料制成的挡圈，所述挡圈固定于所述基板上且围设所述发光二极管于其内，封装层形成在所述挡圈内并包覆所述发光二极管，所述封装层包括一底面及自底面延伸的弧形侧面，所述封装层的弧形侧面贴设所述挡圈的内表面。

47. 发明专利

TWI535058B 外延基板有权
公开(公告)号：TWI535058B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW099132318
申请日：2010-09-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：凃博閔 , TU, PO MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG , 黃嘉宏 , HUANG, CHIA HUNG , 楊順貴 , YANG, SHUN KUEI
IPC分类号： H01L33/20

48. 发明专利

TW201618324A 垂直式發光二極體的製造方法审中-公开
简体标题：垂直式发光二极管的制造方法
公开(公告)号：TW201618324A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104112936
申请日：2015-04-22
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：邱鏡學 , CHIU, CHING-HSUEH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN , 凃博閔 , TU, PO-MIN , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG
IPC分类号： H01L33/00
摘要：一種垂直式發光二極體的製造方法，包括如下步驟：提供一基體，在基體的第一表面表面形成多個凸起；在所述凸起外表面形成一氮化鋁層；加熱氮化鋁層，使氮化鋁層結晶；將凸起從氮化鋁層內脫離；在氮化鋁層外成長緩衝層；在所述基體緩衝層上依次成長N-GaN層、發光活性層和P-GaN層，從而獲得發光二極體磊晶結構；提供導電基板，將所述發光二極體磊晶結構粘結於所述導電基板上；提供分離板，將基體從上述發光二極體磊晶結構中分離；使用物理蝕刻的方式蝕刻緩衝層直至至n-GaN層並在n-GaN層上設置N電極。
简体摘要：一种垂直式发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基体，在基体的第一表面表面形成多个凸起；在所述凸起外表面形成一氮化铝层；加热氮化铝层，使氮化铝层结晶；将凸起从氮化铝层内脱离；在氮化铝层外成长缓冲层；在所述基体缓冲层上依次成长N-GaN层、发光活性层和P-GaN层，从而获得发光二极管磊晶结构；提供导电基板，将所述发光二极管磊晶结构粘结于所述导电基板上；提供分离板，将基体从上述发光二极管磊晶结构中分离；使用物理蚀刻的方式蚀刻缓冲层直至至n-GaN层并在n-GaN层上设置N电极。

49. 发明专利

TWI513039B 發光二極體晶粒及其製作方法有权
简体标题：发光二极管晶粒及其制作方法
公开(公告)号：TWI513039B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101126199
申请日：2012-07-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林雅雯 , LIN, YA WEN , 黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG , 凃博閔 , TU, PO MIN
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/145

50. 发明专利

TWI509837B 發光二極體晶粒及其製造方法、發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI509837B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW100101608
申请日：2011-01-17
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃世晟 , HUANG, SHIH CHENG , 凃博閔 , TU, PO MIN , 林雅雯 , LIN, YA WEN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62

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