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    • 49. 发明专利
    • 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統
    • 基板处理方法、进程、电脑记忆媒体及基板处理系统
    • TW201626117A
    • 2016-07-16
    • TW104123761
    • 2015-07-22
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 靏田豊久TSURUDA, TOYOHISA井関智弘ISEKI, TOMOHIRO吉原孝介YOSHIHARA, KOUSUKE
    • G03F7/38H01L21/027
    • G03F7/38H01L21/027
    • 在顯像處理之前,以使光阻劑中之酸失活的方式,適切地進行顯像處理,並以所期望的尺寸來形成光阻圖案。 一種處理基板的基板處理方法,係具有:光阻膜形成工程(工程S1),在基板上形成光阻膜;曝光工程(工程S2),對基板上的光阻膜進行圖案之曝光;PEB處理工程(工程S3),對曝光工程後的基板進行加熱,藉由光阻膜中的酸使該光阻膜去保護;酸失活工程(工程S4),對PEB處理工程後之基板上的光阻膜供給鹼溶液之蒸汽或噴霧的至少一者,使前述光阻膜的酸失活;及顯像處理工程(工程S6),在酸失活工程後,對基板供給顯像液,而進行前述光阻膜之顯像處理。
    • 在显像处理之前,以使光阻剂中之酸失活的方式,适切地进行显像处理,并以所期望的尺寸来形成光阻图案。 一种处理基板的基板处理方法,系具有:光阻膜形成工程(工程S1),在基板上形成光阻膜;曝光工程(工程S2),对基板上的光阻膜进行图案之曝光;PEB处理工程(工程S3),对曝光工程后的基板进行加热,借由光阻膜中的酸使该光阻膜去保护;酸失活工程(工程S4),对PEB处理工程后之基板上的光阻膜供给碱溶液之蒸汽或喷雾的至少一者,使前述光阻膜的酸失活;及显像处理工程(工程S6),在酸失活工程后,对基板供给显像液,而进行前述光阻膜之显像处理。