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41. 发明专利

TWI463260B 浸漬曝光用正型光阻組成物及圖案形成方法有权
简体标题：浸渍曝光用正型光阻组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TWI463260B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098132454
申请日：2009-09-25
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山本慶 , YAMAMOTO, KEI , 三枝浩 , SAEGUSA, HIROSHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/039 , C09D133/16 , C09D133/26 , C09D143/04 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/2041 , Y10S430/122 , Y10S430/126

42. 发明专利

TW201335709A 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用其的抗蝕劑膜、圖案形成方法以及電子裝置的製造方法以及電子裝置审中-公开
简体标题：感光化射线性或感放射线性树脂组成物、使用其的抗蚀剂膜、图案形成方法以及电子设备的制造方法以及电子设备
公开(公告)号：TW201335709A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102103398
申请日：2013-01-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：山口修平 , YAMAGUCHI, SHUHEI , 高橋秀知 , TAKAHASHI, HIDENORI , 伊藤純一 , ITO, JUNICHI , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/038 , C08L33/08 , C08L25/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0388 , C08F220/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：提供一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其具有：具有由式(I)表示之重複單元的樹脂(A)；能夠在用光化射線或放射線照射時產生酸之化合物(B)；以及具有由式(II)表示之重複單元及由式(III)表示之重複單元中之至少一重複單元(x)且實質上不含氟原子或矽原子之樹脂(C)，其中所述重複單元(x)之含量以所述樹脂(C)中之所有重複單元計為90莫耳%或大於90莫耳%：其中Xa表示氫原子、烷基、氰基或鹵素原子，R1a、R1b及R1c中之每一者獨立地表示烷基或環烷基，R1a、R1b及R1c中之兩者可組合而形成環結構，Xb1表示氫原子、烷基、氰基或鹵素原子，R2表示具有一或多個CH3部分結構且對酸穩定之有機基團，Xb2表示氫原子、烷基、氰基或鹵素原子，R3表示具有一或多個CH3部分結構且對酸穩定之有機基團，且n表示1至5之整數。
简体摘要：提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组成物，其具有：具有由式(I)表示之重复单元的树脂(A)；能够在用光化射线或放射线照射时产生酸之化合物(B)；以及具有由式(II)表示之重复单元及由式(III)表示之重复单元中之至少一重复单元(x)且实质上不含氟原子或硅原子之树脂(C)，其中所述重复单元(x)之含量以所述树脂(C)中之所有重复单元计为90莫耳%或大于90莫耳%：其中Xa表示氢原子、烷基、氰基或卤素原子，R1a、R1b及R1c中之每一者独立地表示烷基或环烷基，R1a、R1b及R1c中之两者可组合而形成环结构，Xb1表示氢原子、烷基、氰基或卤素原子，R2表示具有一或多个CH3部分结构且对酸稳定之有机基团，Xb2表示氢原子、烷基、氰基或卤素原子，R3表示具有一或多个CH3部分结构且对酸稳定之有机基团，且n表示1至5之整数。

43. 发明专利

TW201027258A 浸漬曝光用正型光阻組成物及圖案形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE AND PATTERN FORMING METHOD 审中-公开
简体标题：浸渍曝光用正型光阻组成物及图案形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE AND PATTERN FORMING METHOD
公开(公告)号：TW201027258A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098132454
申请日：2009-09-25
申请人：富士軟片股份有限公司
发明人：山本慶 , 三枝浩
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/039 , C09D133/16 , C09D133/26 , C09D143/04 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/2041 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：一種浸漬曝光用正型光阻組成物包括以下(A)至(D):(A)一種因酸之作用可分解而增加在鹼顯影劑中溶解度的樹脂;(B)一種在以光化射線或輻射照射時可產生酸之化合物;(C)一種具有氟原子與矽原子至少之一的樹脂;及(D)一種含至少一種選自由如說明書所定義之下式(S1)至(S3)任一表示之溶劑的溶劑之混合溶劑,其中至少一種溶劑之總量按混合溶劑(D)之全部溶劑計為3至20質量%。
简体摘要：一种浸渍曝光用正型光阻组成物包括以下(A)至(D):(A)一种因酸之作用可分解而增加在碱显影剂中溶解度的树脂;(B)一种在以光化射线或辐射照射时可产生酸之化合物;(C)一种具有氟原子与硅原子至少之一的树脂;及(D)一种含至少一种选自由如说明书所定义之下式(S1)至(S3)任一表示之溶剂的溶剂之混合溶剂,其中至少一种溶剂之总量按混合溶剂(D)之全部溶剂计为3至20质量%。

44. 发明专利

TWI696046B 有機系處理液及圖案形成方法有权
简体标题：有机系处理液及图案形成方法
公开(公告)号：TWI696046B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW104143701
申请日：2015-12-25
申请人：日商富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：土橋徹 , TSUCHIHASHI, TORU , 椿英明 , TSUBAKI, HIDEAKI , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/32 , C11D7/26 , C11D7/24 , G03F7/40

45. 发明专利

TWI599843B 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用該組成物的感光化射線性或感放射線性膜及圖案形成方法、以及電子元件的製造方法及電子元件有权
简体标题：感光化射线性或感放射线性树脂组成物、使用该组成物的感光化射线性或感放射线性膜及图案形成方法、以及电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TWI599843B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104111797
申请日：2015-04-13
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：後藤硏由 , GOTO, AKIYOSHI , 白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO , 加藤啓太 , KATO, KEITA , 吉野文博 , YOSHINO, FUMIHIRO , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C309/06 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274

46. 发明专利

TW201732436A 圖案形成方法、電子裝置的製造方法及積層體审中-公开
简体标题：图案形成方法、电子设备的制造方法及积层体
公开(公告)号：TW201732436A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105131197
申请日：2016-09-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：福原敏明 , FUKUHARA, TOSHIAKI , 畠山直也 , HATAKEYAMA, NAOYA , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：根據本發明，提供一種圖案形成方法、電子裝置的製造方法及積層體，所述圖案形成方法包括：（a）藉由感光化射線性或感放射線性樹脂組成物形成感光化射線性或感放射線性膜的步驟、（b）於感光化射線性或感放射線性膜上藉由包含交聯劑的上層膜形成用組成物形成上層膜的步驟、（c）對感光化射線性或感放射線性膜進行曝光的步驟、以及（d）利用顯影液對經曝光的感光化射線性或感放射線性膜進行顯影的步驟，所述積層體包含感光化射線性或感放射線性膜及上層膜，所述感光化射線性或感放射線性膜包含含有具有芳香環的重複單元的樹脂，且上層膜相對於所述上層膜的總質量而包含1質量%～40質量%以下的並不藉由光化射線或放射線而產生酸的分子量5000以下的化合物（Q）。
简体摘要：根据本发明，提供一种图案形成方法、电子设备的制造方法及积层体，所述图案形成方法包括：（a）借由感光化射线性或感放射线性树脂组成物形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤、（b）于感光化射线性或感放射线性膜上借由包含交联剂的上层膜形成用组成物形成上层膜的步骤、（c）对感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤、以及（d）利用显影液对经曝光的感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤，所述积层体包含感光化射线性或感放射线性膜及上层膜，所述感光化射线性或感放射线性膜包含含有具有芳香环的重复单元的树脂，且上层膜相对于所述上层膜的总质量而包含1质量%～40质量%以下的并不借由光化射线或放射线而产生酸的分子量5000以下的化合物（Q）。

47. 发明专利

TW201719298A 處理液及圖案形成方法审中-公开
简体标题：处理液及图案形成方法
公开(公告)号：TW201719298A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105131201
申请日：2016-09-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：椿英明 , TSUBAKI, HIDEAKI , 土橋徹 , TSUCHIHASHI, TORU , 二橋亘 , NIHASHI, WATARU , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/304
摘要：本發明的課題為提供一種可同時抑制抗蝕劑L/S圖案中的圖案倒塌的產生與抗蝕劑C/H圖案中的貫穿不良的產生的抗蝕劑膜圖案化用處理液及圖案形成方法。本發明的處理液是用於對由感光化射線性或感放射線性組成物所獲得的抗蝕劑膜進行顯影及清洗的至少一者、且含有有機溶劑的抗蝕劑膜圖案化用處理液，並且含有SP值為16.3 MPa1/2以下的第一有機溶劑及SP值為17.1 MPa1/2以上的第二有機溶劑。
简体摘要：本发明的课题为提供一种可同时抑制抗蚀剂L/S图案中的图案倒塌的产生与抗蚀剂C/H图案中的贯穿不良的产生的抗蚀剂膜图案化用处理液及图案形成方法。本发明的处理液是用于对由感光化射线性或感放射线性组成物所获得的抗蚀剂膜进行显影及清洗的至少一者、且含有有机溶剂的抗蚀剂膜图案化用处理液，并且含有SP值为16.3 MPa1/2以下的第一有机溶剂及SP值为17.1 MPa1/2以上的第二有机溶剂。

48. 发明专利

TWI582534B 圖案形成方法、感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、電子元件的製造方法及電子元件有权
简体标题：图案形成方法、感光化射线性或感放射线性树脂组成物、抗蚀剂膜、电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TWI582534B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102118068
申请日：2013-05-22
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：伊藤純一 , ITO, JUNICHI , 山口修平 , YAMAGUCHI, SHUHEI , 高橋秀知 , TAKAHASHI, HIDENORI , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , C08F220/18 , C08F220/22 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/0273

49. 发明专利

TW201643548A 上層膜形成用組成物、以及使用其的圖案形成方法及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：上层膜形成用组成物、以及使用其的图案形成方法及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201643548A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105105564
申请日：2016-02-25
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：後藤研由 , GOTO, AKIYOSHI , 井上尚紀 , INOUE, NAOKI , 丹呉直紘 , TANGO, NAOHIRO , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI , 白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO
IPC分类号： G03F7/11 , C08L57/00 , C08F2/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F20/38 , C09D133/10 , C09D133/14 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種上層膜形成用組成物、以及使用其的圖案形成方法及電子元件的製造方法，所述上層膜形成用組成物為含有聚合物的光阻劑用的上層膜形成用組成物，所述光阻劑用的上層膜形成用組成物中，於聚合物的利用凝膠滲透層析而測定的分子量分佈中，相對於整體波峰面積，重量平均分子量4萬以上的高分子量成分的波峰面積為0.1%以下，藉此能夠以高焦點深度（DOF：Depth Of Focus）性能形成具有超微細的寬度或孔徑（例如60 nm以下）的溝圖案或孔圖案。
简体摘要：本发明提供一种上层膜形成用组成物、以及使用其的图案形成方法及电子组件的制造方法，所述上层膜形成用组成物为含有聚合物的光阻剂用的上层膜形成用组成物，所述光阻剂用的上层膜形成用组成物中，于聚合物的利用凝胶渗透层析而测定的分子量分布中，相对于整体波峰面积，重量平均分子量4万以上的高分子量成分的波峰面积为0.1%以下，借此能够以高焦点深度（DOF：Depth Of Focus）性能形成具有超微细的宽度或孔径（例如60 nm以下）的沟图案或孔图案。

50. 发明专利

TW201636735A 圖案形成方法、蝕刻方法及電子元件的製造方法审中-公开
简体标题：图案形成方法、蚀刻方法及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201636735A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105106954
申请日：2016-03-08
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：藤巻錦 , FUJIMAKI, NISHIKI , 白川三千紘 , SHIRAKAWA, MICHIHIRO , 杉山真一 , SUGIYAMA, SHINICHI , 山本慶 , YAMAMOTO, KEI , 井口直也 , IGUCHI, NAOYA
IPC分类号： G03F7/095 , G03F7/075 , G03F1/76 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/075 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種可形成多段抗蝕劑圖案之圖案形成方法、及使用該方法之蝕刻方法、以及包含該方法之電子元件的製造方法。圖案形成方法具有：（i）於基板上依次進行下述步驟（i-1）、下述步驟（i-2）及下述步驟（i-3），而形成第1圖案之步驟，（i-1）於前述基板上，使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（1）來形成第1膜之步驟、（i-2）對前述第1膜進行曝光之步驟、（i-3）使用顯影液對經曝光之前述第1膜進行顯影，而形成前述第1圖案之步驟；（iii）至少於前述第1圖案上，使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（2）來形成第2膜之步驟；（v）對前述第2膜進行曝光之步驟；以及（vi）使用顯影液對經曝光之前述第2膜進行顯影，至少於前述第1圖案上形成第2圖案之步驟，前述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物（1）、（2）的至少一方為含有包含具有Si原子的重複單元之樹脂之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物。
简体摘要：本发明提供一种可形成多段抗蚀剂图案之图案形成方法、及使用该方法之蚀刻方法、以及包含该方法之电子组件的制造方法。图案形成方法具有：（i）于基板上依次进行下述步骤（i-1）、下述步骤（i-2）及下述步骤（i-3），而形成第1图案之步骤，（i-1）于前述基板上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物（1）来形成第1膜之步骤、（i-2）对前述第1膜进行曝光之步骤、（i-3）使用显影液对经曝光之前述第1膜进行显影，而形成前述第1图案之步骤；（iii）至少于前述第1图案上，使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物（2）来形成第2膜之步骤；（v）对前述第2膜进行曝光之步骤；以及（vi）使用显影液对经曝光之前述第2膜进行显影，至少于前述第1图案上形成第2图案之步骤，前述感光化射线性或感放射线性树脂组成物（1）、（2）的至少一方为含有包含具有Si原子的重复单元之树脂之感光化射线性或感放射线性树脂组成物。

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