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41. 发明专利

TW201800529A 半導體晶圓加工用黏著性膜审中-公开
简体标题：半导体晶圆加工用黏着性膜
公开(公告)号：TW201800529A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106121866
申请日：2017-06-30
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：栗原宏嘉 , KURIHARA, HIROYOSHI
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： B32B27/18 , C09J4/00 , C09J11/06 , H01L21/304
摘要：本發明的半導體晶圓加工用黏著性膜（100）依次包括基材層（10）、抗靜電層（30）及黏著性樹脂層（40），且用於保護半導體晶圓的表面或將半導體晶圓固定。而且，黏著性樹脂層（40）包含離子傳導性添加劑。
简体摘要：本发明的半导体晶圆加工用黏着性膜（100）依次包括基材层（10）、抗静电层（30）及黏着性树脂层（40），且用于保护半导体晶圆的表面或将半导体晶圆固定。而且，黏着性树脂层（40）包含离子传导性添加剂。

42. 发明专利

TW201735220A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201735220A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106109627
申请日：2017-03-23
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/301 , B32B7/12 , C09J7/02
CPC分类号： G01R31/26
摘要：本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下4個步驟。（A）準備結構體（100）的步驟，所述結構體（100）包括具有放射線硬化型的黏著性樹脂層（30）的黏著性膜（50）、貼附於黏著性樹脂層（30）上的1個或2個以上的半導體晶片（70）；（B）對黏著性膜（50）照射放射線，使黏著性樹脂層（30）進行交聯的步驟；（C）於步驟（B）之後，以貼附於黏著性樹脂層（30）上的狀態，確認半導體晶片（70）的動作的步驟；以及（D）於步驟（C）之後，從黏著性樹脂層（30）上拾取半導體晶片（70）的步驟。
简体摘要：本发明的半导体设备的制造方法至少包括以下4个步骤。（A）准备结构体（100）的步骤，所述结构体（100）包括具有放射线硬化型的黏着性树脂层（30）的黏着性膜（50）、贴附于黏着性树脂层（30）上的1个或2个以上的半导体芯片（70）；（B）对黏着性膜（50）照射放射线，使黏着性树脂层（30）进行交联的步骤；（C）于步骤（B）之后，以贴附于黏着性树脂层（30）上的状态，确认半导体芯片（70）的动作的步骤；以及（D）于步骤（C）之后，从黏着性树脂层（30）上十取半导体芯片（70）的步骤。

43. 发明专利

TWI591835B 太陽電池封裝用片套組以及太陽電池模組有权
简体标题：太阳电池封装用片套组以及太阳电池模块
公开(公告)号：TWI591835B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102106540
申请日：2013-02-25
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：大土井正昭 , ODOI, MASAAKI , 丸子展弘 , MARUKO, NOBUHIRO , 遣水一広 , YARIMIZU, KAZUHIRO , 池永成伸 , IKENAGA, SHIGENOBU , 大清水薰 , OHSHIMIZU, KAORU
IPC分类号： H01L31/0203 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/048 , C08F210/02 , C08F210/16 , C08L2203/204 , C08L2312/00 , C09D123/0815 , C09D123/0853 , H01L31/0481 , H01L31/0488 , Y02E10/50 , C08F210/14 , C08F2500/08 , C08F2500/12 , C08F210/08 , C08F218/08 , C08F220/06

44. 发明专利

TWI577723B 太陽電池封裝材及太陽電池模組有权
简体标题：太阳电池封装材及太阳电池模块
公开(公告)号：TWI577723B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102104947
申请日：2013-02-07
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：池永成伸 , IKENAGA, SHIGENOBU , 竹內文人 , TAKEUCHI, FUMITO , 伊藤智章 , ITO, TOMOAKI
IPC分类号： C08L23/08 , C08K5/14 , C08K5/3492 , H01L31/048
CPC分类号： C08F255/10 , C08F2/48 , C08F8/00 , C08F8/30 , C08F8/42 , C08F255/00 , C08J5/18 , C08J2351/06 , C08K5/00 , C08L2203/204 , C08L2312/00 , C09D123/0815 , H01L31/0481 , Y02B10/12 , Y02E10/50 , C08F210/16 , C08F210/08 , C08F2500/12 , C08F2500/08 , C08F2230/085 , C08F2220/286 , C08L43/04 , C08L33/06

45. 发明专利

TW201700566A 氣體阻擋性積層體的製造方法审中-公开
简体标题：气体阻挡性积层体的制造方法
公开(公告)号：TW201700566A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105115463
申请日：2016-05-19
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：城所雅子 , KIDOKORO, MASAKO , 守屋英一 , MORIYA, EIICHI , 野本晃 , NOMOTO, AKIRA
IPC分类号： C08J7/04 , C08G69/26 , B32B27/34 , B32B27/16 , B65D65/42
CPC分类号： B05D3/02 , B05D5/00 , B05D7/24 , B32B27/34
摘要：本發明的氣體阻擋性積層體（100）的製造方法是包含基材層（101）、以及設於基材層（101）的至少其中一個面上的氣體阻擋性聚合物層（103）的氣體阻擋性積層體（100）的製造方法，其包括：將含有多羧酸及多胺化合物的混合物塗佈於基材層（101）上而獲得塗佈層的步驟；以及利用加熱機構對所述塗佈層進行加熱，使所述多羧酸中所含的羧基與所述多胺化合物中所含的胺基進行脫水縮合反應，藉此形成具有醯胺鍵的氣體阻擋性聚合物層（103）的步驟。而且，所述加熱機構含有選自傳導傳熱方式及輻射傳熱方式的至少一種。
简体摘要：本发明的气体阻挡性积层体（100）的制造方法是包含基材层（101）、以及设于基材层（101）的至少其中一个面上的气体阻挡性聚合物层（103）的气体阻挡性积层体（100）的制造方法，其包括：将含有多羧酸及多胺化合物的混合物涂布于基材层（101）上而获得涂布层的步骤；以及利用加热机构对所述涂布层进行加热，使所述多羧酸中所含的羧基与所述多胺化合物中所含的胺基进行脱水缩合反应，借此形成具有酰胺键的气体阻挡性聚合物层（103）的步骤。而且，所述加热机构含有选自传导传热方式及辐射传热方式的至少一种。

46. 发明专利

TWI553050B 太陽電池密封材及太陽電池模組有权
简体标题：太阳电池密封材及太阳电池模块
公开(公告)号：TWI553050B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101150795
申请日：2012-12-28
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：池永成伸 , IKENAGA, SHIGENOBU , 竹內文人 , TAKEUCHI, FUMITO , 伊藤智章 , ITO, TOMOAKI , 丸子展弘 , MARUKO, NOBUHIRO , 大土井正昭 , ODOI, MASAAKI
IPC分类号： C08L23/08
CPC分类号： C08L23/0815 , C08L23/02 , C08L33/06 , C08L2203/204 , C08L2203/206 , C08L2205/02 , H01L31/0481 , Y02E10/50

47. 发明专利

TWI534194B 太陽電池密封用樹脂片、使用其的太陽電池模組以及其製造方法有权
简体标题：太阳电池密封用树脂片、使用其的太阳电池模块以及其制造方法
公开(公告)号：TWI534194B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101113250
申请日：2012-04-13
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：佐藤理繪 , SATO, RIE , 窪真一郎 , KUBO, SHINICHIRO , 木戶敬恭 , KIDO, HIROYASU
IPC分类号： C08L23/08 , C08L31/04 , B32B17/10 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/18 , B32B17/10788 , C08L23/0853 , C08L2205/02 , C08L2205/025 , H01L31/0481 , Y02E10/50

48. 发明专利

TW201613754A 積層膜、輸液袋用外裝袋及輸液袋包裝體审中-公开
简体标题：积层膜、输液袋用外装袋及输液袋包装体
公开(公告)号：TW201613754A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104132318
申请日：2015-10-01
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：的場太輔 , MATOBA, DAISUKE , 城所雅子 , KIDOKORO, MASAKO , 野本晃 , NOMOTO, AKIRA , 島影愛子 , SHIMAKAGE, AIKO
IPC分类号： B32B9/04 , B65D65/40
CPC分类号： B65D65/40 , A61J1/00 , A61J1/10 , B32B9/005 , B32B27/06 , B32B2439/80 , B65D77/04 , C08J7/045 , C08J7/06 , C08J2323/08 , C08J2367/02 , C08J2427/08 , C08J2429/04 , C08J2433/02 , C08J2475/04
摘要：本發明的積層膜（100）包括基材層（101）及金屬氧化物層（103），該金屬氧化物層（103）設置於基材層（101）的單面或兩面且包含金屬氧化物。並且，依據JISK7126-2：2006在溫度20℃、濕度90%RH的條件下所測定的氧透過度為20 ml/m2 ·天·MPa以下，在溫度40℃、濕度90%RH的條件下所測定的水蒸氣透過度為2.5 g/m2 ·天以上。另外，在將藉由對金屬氧化物層（103）進行螢光X射線分析而獲得的構成所述金屬氧化物的金屬的Kα射線強度設為A、將藉由對包含構成所述金屬氧化物的金屬的金屬層進行螢光X射線分析而獲得的所述金屬的Kα射線強度設為B時，A/B為0.20以上且0.97以下。
简体摘要：本发明的积层膜（100）包括基材层（101）及金属氧化物层（103），该金属氧化物层（103）设置于基材层（101）的单面或两面且包含金属氧化物。并且，依据JISK7126-2：2006在温度20℃、湿度90%RH的条件下所测定的氧透过度为20 ml/m2 ·天·MPa以下，在温度40℃、湿度90%RH的条件下所测定的水蒸气透过度为2.5 g/m2 ·天以上。另外，在将借由对金属氧化物层（103）进行萤光X射线分析而获得的构成所述金属氧化物的金属的Kα射线强度设为A、将借由对包含构成所述金属氧化物的金属的金属层进行萤光X射线分析而获得的所述金属的Kα射线强度设为B时，A/B为0.20以上且0.97以下。

49. 发明专利

TW201609354A 二軸延伸乙烯聚合物膜及包裝體审中-公开
简体标题：二轴延伸乙烯聚合物膜及包装体
公开(公告)号：TW201609354A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104129716
申请日：2015-09-09
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：天満哲司 , TENMA, TETSUJI , 窪田勉 , KUBOTA, TSUTOMU
IPC分类号： B29C55/12 , B29K23/00 , B29L7/00 , B29L9/00
CPC分类号： B29C61/06 , B32B27/32 , C08J5/18
摘要：本發明是有關於一種二軸延伸乙烯聚合物膜，其是由密度、由示差掃描量熱計（DSC）所得的熔解熱量（ΔHT ）、熔解開始溫度～110℃的範圍的熔解熱量（ΔHL ）、110℃～熔解結束溫度的範圍的熔解熱量（ΔHH ）、（ΔHH ）/（ΔHL ）分別處於某範圍的乙烯系聚合物組成物（A）所得的二軸延伸乙烯聚合物膜，其特徵在於：所述二軸延伸乙烯聚合物膜的熱收縮特性（熱收縮率）是120℃的熱收縮率的縱方向（MD方向）的熱收縮率（%）與橫方向（TD方向）的熱收縮率（%）的和[MD+TD]處於15%＜[MD+TD]＜85%的範圍。
简体摘要：本发明是有关于一种二轴延伸乙烯聚合物膜，其是由密度、由示差扫描量热计（DSC）所得的熔解热量（ΔHT ）、熔解开始温度～110℃的范围的熔解热量（ΔHL ）、110℃～熔解结束温度的范围的熔解热量（ΔHH ）、（ΔHH ）/（ΔHL ）分别处于某范围的乙烯系聚合物组成物（A）所得的二轴延伸乙烯聚合物膜，其特征在于：所述二轴延伸乙烯聚合物膜的热收缩特性（热收缩率）是120℃的热收缩率的纵方向（MD方向）的热收缩率（%）与横方向（TD方向）的热收缩率（%）的和[MD+TD]处于15%＜[MD+TD]＜85%的范围。

50. 发明专利

TW201533210A 半導體晶圓表面保護用黏著膜、及使用黏著膜的半導體晶圓的保護方法以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着膜、及使用黏着膜的半导体晶圆的保护方法以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201533210A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104105011
申请日：2015-02-13
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：栗田恭三 , KURITA, KYOZO
IPC分类号： C09J7/02 , C09J11/06 , C09J109/02 , H01L21/78
CPC分类号： B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/306 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2250/24 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C08L33/10 , C08L2312/00 , C09J7/20 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J133/18 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2407/00 , C09J2421/00 , C09J2423/006 , C09J2423/046 , C09J2433/00 , C09J2467/006 , C09J2483/00
摘要：一種半導體晶圓表面保護用黏著膜，其包括：基材膜；以及黏著劑層，配置於所述基材膜的一表面上。黏著劑層以57/43~90/10的質量比(A/B)含有動態黏彈性的tanδ變成最大的溫度(Ta)超過0℃的聚合物(A)、及動態黏彈性的tanδ變成最大的溫度(Tb)為0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)含有22質量%~30質量%的源自丙烯腈或甲基丙烯腈的結構單元。半導體晶圓表面保護用黏著膜的剝離速度10mm/min時的黏著力為1.0N/25mm以上。
简体摘要：一种半导体晶圆表面保护用黏着膜，其包括：基材膜；以及黏着剂层，配置于所述基材膜的一表面上。黏着剂层以57/43~90/10的质量比(A/B)含有动态黏弹性的tanδ变成最大的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、及动态黏弹性的tanδ变成最大的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)含有22质量%~30质量%的源自丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元。半导体晶圆表面保护用黏着膜的剥离速度10mm/min时的黏着力为1.0N/25mm以上。

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