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41. 发明专利

TWI491766B 青銅的腐蝕防護有权
简体标题：青铜的腐蚀防护
公开(公告)号：TWI491766B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW097117570
申请日：2008-05-13
申请人：安頌股份有限公司 , ENTHONE INC.
发明人：約瑟夫艾比斯 , ABYS, JOSEPH A. , 孫沈良 , SUN, SHENLIANG , 愛德華庫查克二世 , KUDRAK, JR., EDWARD J. , 卡特林奇澤斯克 , ZSCHINTZSCH, KATRIN , 希爾多安東利斯 , ANTONELLIS, THEODORE
IPC分类号： C23F11/167 , C23F11/14 , C23F11/12
CPC分类号： C23F11/10 , C23C22/03

42. 发明专利

TWI467065B 含奈米粒子之金屬基複合塗層之電解澱積有权
简体标题：含奈米粒子之金属基复合涂层之电解淀积
公开(公告)号：TWI467065B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW098120259
申请日：2009-06-17
申请人：安頌股份有限公司 , ENTHONE INC.
发明人：艾比斯約瑟夫 , ABYS, JOSEPH A. , 庫查克愛德華 , KUDRAK, EDWARD J. , 李敬業 , LI, JINGYE , 許琛 , XU, CHEN , 范崇倫 , FAN, CHONGLUN
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/50 , C25D15/00 , C25D5/00

43. 发明专利

TWI406976B 電子製造業的錫-銀焊料凸塊形成技術有权
简体标题：电子制造业的锡-银焊料凸块形成技术
公开(公告)号：TWI406976B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW095129665
申请日：2006-08-11
申请人：安頌股份有限公司 , ENTHONE INC.
发明人：湯瑪士理查森 , RICHARDSON, THOMAS B. , 馬里斯克林費爾德 , KLEINFELD, MARLIES , 克利斯汀瑞特曼 , RIETMANN, CHRISTIAN , 艾格札費寧 , ZAVARINE, IGOR , 歐楚史坦尼爾斯 , STEINIUS, ORTRUD , 張芸 , ZHANG, YUN , 約瑟夫艾比斯 , ABYS, JOSEPH A.
IPC分类号： C25D3/32 , C25D3/46 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012

44. 发明专利

TW200936813A 浸鍍銀塗層上的自組分子 SELF ASSEMBLED MOLECULES ON IMMERSION SILVER COATINGS 审中-公开
简体标题：浸镀银涂层上的自组分子 SELF ASSEMBLED MOLECULES ON IMMERSION SILVER COATINGS
公开(公告)号：TW200936813A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097143148
申请日：2008-11-07
申请人：安頌股份有限公司 ENTHONE INC.
发明人：艾比斯約瑟夫 ABYS, JOSEPH A. , 孫沈良 SUN, SHENLIANG , 安東利斯希爾多 ANTONELLIS, THEODORE
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23C22/02 , C23F11/08 , C23F11/10 , C23F11/149 , H05K3/244 , H05K3/282 , H05K2203/122 , H05K2203/124 , Y10T428/12556
摘要：本發明提供一種用以增進包含沈積在可焊接銅基板上的銀塗層之物品的耐腐蝕性之方法。該方法包含將該上面具有浸鍍銀塗層的銅基板暴露於抗腐蝕組成物,該抗腐蝕組成物包含:a)包含至少一個會與銅表面交互作用且保護銅表面的有機官能基及至少一個會與銀表面交互作用且保護銀表面的有機官能基之多官能基分子;b)醇;及c)表面活性劑。
简体摘要：本发明提供一种用以增进包含沉积在可焊接铜基板上的银涂层之物品的耐腐蚀性之方法。该方法包含将该上面具有浸镀银涂层的铜基板暴露于抗腐蚀组成物,该抗腐蚀组成物包含:a)包含至少一个会与铜表面交互作用且保护铜表面的有机官能基及至少一个会与银表面交互作用且保护银表面的有机官能基之多官能基分子;b)醇;及c)表面活性剂。

45. 发明专利

TW200912043A 銅的腐蝕防護 CORROSION PROTECTION OF BRONZES 审中-公开
简体标题：铜的腐蚀防护 CORROSION PROTECTION OF BRONZES
公开(公告)号：TW200912043A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097117570
申请日：2008-05-13
申请人：安頌股份有限公司 ENTHONE INC.
发明人：約瑟夫艾比斯 ABYS, JOSEPH A. , 孫沈良 SUN, SHENLIANG , 愛德華庫查克二世 KUDRAK, JR., EDWARD J. , 卡特林奇澤斯克 ZSCHINTZSCH, KATRIN , 希爾多安東利斯 ANTONELLIS, THEODORE
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23F11/10 , C23C22/03
摘要：一種提高包含銅或銅合金表面之基材的抗腐蝕性、耐磨損性與接觸電阻的方法及組成物。該組成物包含磷氧化物化合物,其係選自由膦酸、膦酸鹽、膦酸酯、磷酸、磷酸鹽、磷酸酯與其混合所組成之群組;含氮有機化合物,其係選自由一級胺、二級胺、三級胺與包含氮之芳族雜環所組成之群組;以及醇。
简体摘要：一种提高包含铜或铜合金表面之基材的抗腐蚀性、耐磨损性与接触电阻的方法及组成物。该组成物包含磷氧化物化合物,其系选自由膦酸、膦酸盐、膦酸酯、磷酸、磷酸盐、磷酸酯与其混合所组成之群组;含氮有机化合物,其系选自由一级胺、二级胺、三级胺与包含氮之芳族杂环所组成之群组;以及醇。

46. 发明专利

TW200835804A 用於微電子應用的無電鈷沈積組成物之製造 MANUFACTURE OF ELECTROLESS COBALT DEPOSITION COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：用于微电子应用的无电钴沉积组成物之制造 MANUFACTURE OF ELECTROLESS COBALT DEPOSITION COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200835804A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096135162
申请日：2007-09-20
申请人：安頌股份有限公司 ENTHONE INC.
发明人：陳慶云 CHEN, QINGYUN , 理查賀圖比斯 HURTUBISE, RICHARD , 文生潘納卡西歐 PANECCASIO, VINCENT , 查理斯維爾威德 VALVERDE, CHARLES , 丹尼爾史崔奇 STRITCH, DANIEL
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/32 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/76849
摘要：本發明揭示了一種於製造微電子裝置時準備用來將鈷(Co)或鈷合金無電沈積到基材上的液狀無電沈積組成物之方法,該方法包含:以去氧處理法處理包含水之組成物、或液狀無電沈積組成物,以便降低氧濃度。
简体摘要：本发明揭示了一种于制造微电子设备时准备用来将钴(Co)或钴合金无电沉积到基材上的液状无电沉积组成物之方法,该方法包含:以去氧处理法处理包含水之组成物、或液状无电沉积组成物,以便降低氧浓度。

47. 发明专利

TW200724728A 電子製造業的錫-銀焊料凸塊形成技術 TIN-SILVER SOLDER BUMPING IN ELECTRONICS MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：电子制造业的锡-银焊料凸块形成技术 TIN-SILVER SOLDER BUMPING IN ELECTRONICS MANUFACTURE
公开(公告)号：TW200724728A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW095129665
申请日：2006-08-11
申请人：安頌股份有限公司 ENTHONE INC.
发明人：湯瑪士理查森 RICHARDSON, THOMAS B. , 馬里斯克林費爾德 KLEINFELD, MARLIES , 克利斯汀瑞特曼 RIETMANN, CHRISTIAN , 艾格札費寧 ZAVARINE, IGOR , 歐楚史坦尼爾斯 STEINIUS, ORTRUD , 張芸 ZHANG, YUN , 約瑟夫艾比斯 ABYS, JOSEPH A.
IPC分类号： C25D , H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：本發明有關一種製造微電子裝置時於凸塊下方金屬結構上形成焊料凸塊的方法,該方法包括將該凸塊下方金屬結構曝露於包括Sn^2+離子源、Ag^+離子源、硫及/或四級銨界面活性劑的電鍍組成物中;並對電解槽供應外來電子源,使Sn-Ag合金沉積於凸塊下方金屬結構。
095129665-p01.bmp
简体摘要：本发明有关一种制造微电子设备时于凸块下方金属结构上形成焊料凸块的方法,该方法包括将该凸块下方金属结构曝露于包括Sn^2+离子源、Ag^+离子源、硫及/或四级铵界面活性剂的电镀组成物中;并对电解槽供应外来电子源,使Sn-Ag合金沉积于凸块下方金属结构。 095129665-p01.bmp

48. 发明专利

TW200644162A 用於堆疊記憶單元的鈷自起始型無電導線孔填充 COBALT SELF-INITIATED ELECTROLESS VIA FILL FOR STACKED MEMORY CELLS 审中-公开
简体标题：用于堆栈记忆单元的钴自起始型无电导线孔填充 COBALT SELF-INITIATED ELECTROLESS VIA FILL FOR STACKED MEMORY CELLS
公开(公告)号：TW200644162A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095106113
申请日：2006-02-23
申请人：安頌股份有限公司 ENTHONE INC.
发明人：陳慶云 CHEN, QINGYUN , 理查賀圖比斯 HURTUBISE, RICHARD , 克麗絲汀威特 WITT, CHRISTIAN , 約瑟夫艾比斯 ABYS, JOSEPH A. , 丹尼爾史崔奇 STRITCH, DANIEL , 查理斯維爾威德 VALVERDE, CHARLES
IPC分类号： H01L , B05D
CPC分类号： C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/50
摘要：一種無電填充堆疊記憶單元內連接特徵之方法，包含由含有鈷離子與還原劑之組成物，藉由於此特徵之導電底部上還原成鈷金屬而起始，由下而上填充之無電地沉積。一種無電沉積組成物，用於無電沉積鈷於高方位比堆疊記憶單元內連接特徵，此組成物包含水，鈷離子，錯合劑，緩衝劑，硼烷類還原劑成分，以及次磷酸鹽還原劑成分。硼烷類還原劑與次磷酸鹽還原劑之濃度比例約小於0.5。
简体摘要：一种无电填充堆栈记忆单元内连接特征之方法，包含由含有钴离子与还原剂之组成物，借由于此特征之导电底部上还原成钴金属而起始，由下而上填充之无电地沉积。一种无电沉积组成物，用于无电沉积钴于高方位比堆栈记忆单元内连接特征，此组成物包含水，钴离子，错合剂，缓冲剂，硼烷类还原剂成分，以及次磷酸盐还原剂成分。硼烷类还原剂与次磷酸盐还原剂之浓度比例约小于0.5。

49. 发明专利

TWI266383B 微電子技術中之銅電沈積 COPPER ELECTRODEPOSITION IN MICROELECTRONICS 有权
简体标题：微电子技术中之铜电沉积 COPPER ELECTRODEPOSITION IN MICROELECTRONICS
公开(公告)号：TWI266383B
公开(公告)日：2006-11-11
申请号：TW093138976
申请日：2004-12-15
申请人：安頌股份有限公司 ENTHONE INC.
发明人：文生潘納卡西歐 PANECCASIO, VINCENT , 林軒 LIN, XUAN , 保羅費格拉 FIGURA, PAUL , 理查賀圖比斯 HURTUBISE, RICHARD W.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C25D7/123 , C25D3/38 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/76877 , H01L21/76879
摘要：一種在微電子裝置製造時在基材上電沈積銅的方法與組成，其涉及含銅離子源及用於整平之經取代的啶基聚合物之電解溶液。
简体摘要：一种在微电子设备制造时在基材上电沉积铜的方法与组成，其涉及含铜离子源及用于整平之经取代的啶基聚合物之电解溶液。

50. 发明专利

TW573055B 無電流電解浴之電滲析再生系統失效
简体标题：无电流电解浴之电渗析再生系统
公开(公告)号：TW573055B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW091103590
申请日：2002-02-27
申请人：安松公司 ENTHONE INC.
发明人：約翰史都華海德里 JOHN STUART HADLEY , 彼得安東艾德安佛何文 PETER ANTON ADRIAAN VERHOEVEN
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/1617 , B01D61/44 , B01D61/52
摘要：為進一步發展無電流電解浴之電滲析再生系統，此系統具有第一電滲析單元(10)及第二電滲析單元(20)，此兩單元具有使電解浴通過的稀釋室(12、22)及使再生電解質通過的濃縮室(13、23)，且其具有與該電滲析單元結合操作的兩電極-陽極(An)及陰極(Kal及Ka2)--其中在第一電滲析單元(10)中，稀釋室(12)在陰極側藉由可使單價陽離子選擇性透過之薄膜(mK)及在陽極側藉由可使所有陰離子選擇性透過之薄膜(A)而與濃縮室(13)分離，且其中在該第二電滲析單元(20)中，稀釋室(22)在陰極側藉由可使單價陰離子選擇性透過之薄膜(mA)及在陽極側藉由可使所有陽離子選擇性透過之薄膜(K)而與濃縮室(23)分離，其中第一電滲析單元(10)之稀釋室(12)經由使電解浴連續流過的第一管線(313、314、23、341、342)而串聯連接至第二電滲析單元(20)之稀釋室(22)，及第一電滲析單元(10)之濃縮室(13)經由使再生電解質連續流通的第二管線(413、414、42、421、422)而串聯連接至第二電滲析單元(20)之濃縮室(23)--以致電滲析系統的構造較廉價，且電極具有長壽命，本發明提出電極(An、Kal、Ka2)具有藉由薄膜而與相鄰室分離之個自的電極室(11、14、21、24)，且清洗電解質可經由第三管線(51)而流過，且在與兩電滲析單元(10、20)之室相鄰之其中一電極室(14、24)中設置對兩電滲析單元(10、20)結合操作的電極(An)。
简体摘要：为进一步发展无电流电解浴之电渗析再生系统，此系统具有第一电渗析单元(10)及第二电渗析单元(20)，此两单元具有使电解浴通过的稀释室(12、22)及使再生电解质通过的浓缩室(13、23)，且其具有与该电渗析单元结合操作的两电极-阳极(An)及阴极(Kal及Ka2)--其中在第一电渗析单元(10)中，稀释室(12)在阴极侧借由可使单价阳离子选择性透过之薄膜(mK)及在阳极侧借由可使所有阴离子选择性透过之薄膜(A)而与浓缩室(13)分离，且其中在该第二电渗析单元(20)中，稀释室(22)在阴极侧借由可使单价阴离子选择性透过之薄膜(mA)及在阳极侧借由可使所有阳离子选择性透过之薄膜(K)而与浓缩室(23)分离，其中第一电渗析单元(10)之稀释室(12)经由使电解浴连续流过的第一管线(313、314、23、341、342)而串联连接至第二电渗析单元(20)之稀释室(22)，及第一电渗析单元(10)之浓缩室(13)经由使再生电解质连续流通的第二管线(413、414、42、421、422)而串联连接至第二电渗析单元(20)之浓缩室(23)--以致电渗析系统的构造较廉价，且电极具有长寿命，本发明提出电极(An、Kal、Ka2)具有借由薄膜而与相邻室分离之个自的电极室(11、14、21、24)，且清洗电解质可经由第三管线(51)而流过，且在与两电渗析单元(10、20)之室相邻之其中一电极室(14、24)中设置对两电渗析单元(10、20)结合操作的电极(An)。

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