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31. 发明专利

TW201314732A 掃描電子顯微鏡及利用該裝置的原電子電流量的測量方法失效
简体标题：扫描电子显微镜及利用该设备的原电子电流量的测量方法
公开(公告)号：TW201314732A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100135369
申请日：2011-09-29
申请人： SNU精密股份有限公司 , SNU PRECISION CO., LTD.
发明人：金錫 , KIM, SOUK , 安宰亨 , AHN, JAE HYUNG , 康舜捧 , KANG, SOON BONG
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： H01J37/28 , H01J2237/24535
摘要：本發明涉及一種掃描電子顯微鏡及利用該裝置的原電子電流量的測量方法。更為具體說明，在鏡筒內部一體形成向原電子及二次電子施加電磁場的過濾器和第一檢測器，在外部未設置額外的檢測裝置，使裝置變得小型化，並且檢測二次電子的同時能夠容易地連續測量原電子的電流量，以確保檢測作業的效率性。
简体摘要：本发明涉及一种扫描电子显微镜及利用该设备的原电子电流量的测量方法。更为具体说明，在镜筒内部一体形成向原电子及二次电子施加电磁场的过滤器和第一检测器，在外部未设置额外的检测设备，使设备变得小型化，并且检测二次电子的同时能够容易地连续测量原电子的电流量，以确保检测作业的效率性。

32. 发明专利

TW202018755A 粒子束檢測設備审中-公开
简体标题：粒子束检测设备
公开(公告)号：TW202018755A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108125301
申请日：2019-07-17
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：勾森傑若恩杰若德 , GOSEN, JEROEN GERARD , 陳德育 , CHEN, TE YU , 范班寧丹尼斯赫曼卡斯柏 , VAN BANNING, DENNIS HERMAN CASPAR , 卡迪可艾德恩寇妮絲 , KADIJK, EDWIN CORNELIS , 范賀蒙馬卓恩配特思克力司提安斯 , VAN HEUMEN, MARTIJN PETRUS CHRISTIANUS , 王二恒 , WANG, ERHENG , 賈伯斯喬漢斯安德瑞斯亨利克斯瑪利亞 , JACOBS, JOHANNES ANDREAS HENRICUS MARIA
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/20
摘要：本發明揭示一種改良式粒子束檢測設備，且更特定而言，揭示一種包括一改良式裝載鎖單元之粒子束檢測設備。一改良式裝載鎖系統可包含：複數個支撐結構，其經組態以支撐一晶圓；及一調節板，其包括一熱傳遞元件，該熱傳遞元件經組態以調整該晶圓之一溫度。該裝載鎖系統可進一步包含：一通氣口，其經組態以在該調節板與該晶圓之間提供一氣體；及一控制器，其經組態以輔助對該熱傳遞元件之控制。
简体摘要：本发明揭示一种改良式粒子束检测设备，且更特定而言，揭示一种包括一改良式装载锁单元之粒子束检测设备。一改良式装载锁系统可包含：复数个支撑结构，其经组态以支撑一晶圆；及一调节板，其包括一热传递组件，该热传递组件经组态以调整该晶圆之一温度。该装载锁系统可进一步包含：一通气口，其经组态以在该调节板与该晶圆之间提供一气体；及一控制器，其经组态以辅助对该热传递组件之控制。

33. 发明专利

TWI689965B 藉由初級帶電粒子束的撞擊對從樣品發出的次級帶電粒子束成像的方法有权
简体标题：借由初级带电粒子束的撞击对从样品发出的次级带电粒子束成像的方法
公开(公告)号：TWI689965B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105113138
申请日：2016-04-27
申请人：德商ICT積體電路測試股份有限公司 , ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUR HALBLEITERPRUFTECHNIK MBH
发明人：費恩克斯馬蒂亞斯 , FIRNKES, MATTHIAS , 拉尼歐史帝芬 , LANIO, STEFAN , 溫克勒迪特 , WINKLER, DIETER
IPC分类号： H01J37/26

34. 发明专利

TWI673748B 用於檢查基板的設備、用於檢查基板的方法有权
简体标题：用于检查基板的设备、用于检查基板的方法
公开(公告)号：TWI673748B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104139058
申请日：2015-11-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：穆勒博海德 , MUELLER, BERNHARD , 雷德路維格 , LEDL, LUDWIG , 溫雷安賽爾 , WENZEL, AXEL , 帕里索利利底亞 , PARISOLI, LIDIA , 布魯納馬堤爾斯 , BRUNNER, MATTHIAS
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/04

35. 发明专利

TWI669742B 檢測區準備有权
简体标题：检测区准备
公开(公告)号：TWI669742B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104133280
申请日：2015-10-08
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：賽門斯理查 , SIMMONS, RICHARD , 馬薩納海提道格拉斯 , MASNAGHETTI, DOUGLAS , 馬可爾德馬克 , MCCORD, MARK , 史丹利佛瑞德W , STANKEY, FRED W , 楊史考特 , YOUNG, SCOTT , 希爾斯克里斯多福 , SEARS, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/06 , H01J37/28

36. 发明专利

TWI667682B 平台裝置、及帶電粒子線裝置有权
简体标题：平台设备、及带电粒子线设备
公开(公告)号：TWI667682B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107105959
申请日：2018-02-22
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：高橋宗大 , TAKAHASHI, MOTOHIRO , 水落真樹 , MIZUOCHI, MASAKI , 中川周一 , NAKAGAWA, SHUICHI , 渡部成夫 , WATANABE, NARUO , 小川博紀 , OGAWA, HIRONORI , 加藤孝宜 , KATO, TAKANORI , 西岡明 , NISHIOKA, AKIRA
IPC分类号： H01J37/26 , H01L21/687

37. 发明专利

TW201921155A 帶電粒子束裝置及其操作系統和方法审中-公开
简体标题：带电粒子束设备及其操作系统和方法
公开(公告)号：TW201921155A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132735
申请日：2018-09-18
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：梅森馬汀諾斯傑拉杜斯瑪利亞喬漢斯 , MAASSEN, MARTINUS GERARDUS MARIA JOHANNES , 漢潘尼斯彼得保羅 , HEMPENIUS, PETER PAUL , 任偉明 , REN, WEIMING , 陳仲瑋 , CHEN, ZHONGWEI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/26
摘要：一種帶電粒子束裝置包括一細光束形成單元，該細光束形成單元經組態以在一樣本上形成一細光束陣列且掃描該細光束陣列。該細光束陣列之一第一部分經聚焦至一聚焦平面上，且該細光束陣列之一第二部分具有至少一個細光束，該至少一個細光束相對於該聚焦平面具有一散焦位準。該帶電粒子束裝置亦包括：一偵測器，其經組態以偵測由該細光束陣列形成之該樣本的一影像；及一處理器，其經組態以基於該經偵測影像估計該聚焦平面與該樣本之間的一分離程度且接著基於該經估計程度縮減該分離程度。
简体摘要：一种带电粒子束设备包括一细光束形成单元，该细光束形成单元经组态以在一样本上形成一细光束数组且扫描该细光束数组。该细光束数组之一第一部分经聚焦至一聚焦平面上，且该细光束数组之一第二部分具有至少一个细光束，该至少一个细光束相对于该聚焦平面具有一散焦位准。该带电粒子束设备亦包括：一侦测器，其经组态以侦测由该细光束数组形成之该样本的一影像；及一处理器，其经组态以基于该经侦测影像估计该聚焦平面与该样本之间的一分离程度且接着基于该经估计程度缩减该分离程度。

38. 发明专利

TW201921103A 帶電粒子束裝置、用於帶電粒子束裝置的孔佈置和用於操作帶電粒子束裝置的方法审中-公开
简体标题：带电粒子束设备、用于带电粒子束设备的孔布置和用于操作带电粒子束设备的方法
公开(公告)号：TW201921103A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107129061
申请日：2018-08-21
申请人：德商ICT積體電路測試股份有限公司 , ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUR HALBLEITERPRUFTECHNIK MBH
发明人：弗羅森尤爾根 , FROSIEN, JURGEN
IPC分类号： G03F1/86 , H01J37/244 , H01J37/26
摘要：本揭示內容提供一種帶電粒子束裝置（100）。帶電粒子束裝置（100）包括：帶電粒子源（20），經配置以發射帶電粒子束（14）；聚光透鏡佈置（110）；孔佈置（120），經配置以產生帶電粒子束（14）的兩個或更多個小束，其中孔佈置（120）包括多個第一開口和與多個第一開口不同的多個第二開口；和多極佈置（130），經配置以作用在兩個或更多個小束上。孔佈置（120）經配置以使多個第一開口或多個第二開口與多極佈置（130）對準。
简体摘要：本揭示内容提供一种带电粒子束设备（100）。带电粒子束设备（100）包括：带电粒子源（20），经配置以发射带电粒子束（14）；聚光透镜布置（110）；孔布置（120），经配置以产生带电粒子束（14）的两个或更多个小束，其中孔布置（120）包括多个第一开口和与多个第一开口不同的多个第二开口；和多极布置（130），经配置以作用在两个或更多个小束上。孔布置（120）经配置以使多个第一开口或多个第二开口与多极布置（130）对准。

39. 发明专利

TW201841192A 分析光罩的缺陷位置的方法與裝置审中-公开
简体标题：分析光罩的缺陷位置的方法与设备
公开(公告)号：TW201841192A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107106601
申请日：2018-02-27
申请人：德商卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：布達施麥可 , BUDACH, MICHAEL , 雄貝杰勞夫 , SCHOENBERGER, RALF
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/28 , G02B21/00 , G03C5/00
摘要：本發明揭示一種分析一微影光罩(200、700)的至少一缺陷位置(230、730)之方法，該方法具有下列步驟：(a)獲得該微影光罩(200、700)的至少一缺陷位置(230、730)之量測資料；(b)從該微影光罩(200、700)的電腦輔助設計(CAD)資料(300)決定該缺陷位置(230、730)的參考資料；(c)使用至少一位置相關修正值來修正該參考資料；及(d)通過比對該量測資料與該已修正參考資料來分析該缺陷位置(230、730)。
简体摘要：本发明揭示一种分析一微影光罩(200、700)的至少一缺陷位置(230、730)之方法，该方法具有下列步骤：(a)获得该微影光罩(200、700)的至少一缺陷位置(230、730)之量测数据；(b)从该微影光罩(200、700)的电脑辅助设计(CAD)数据(300)决定该缺陷位置(230、730)的参考数据；(c)使用至少一位置相关修正值来修正该参考数据；及(d)通过比对该量测数据与该已修正参考数据来分析该缺陷位置(230、730)。

40. 发明专利

TW201839794A 帶電粒子束系統及方法审中-公开
简体标题：带电粒子束系统及方法
公开(公告)号：TW201839794A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107109094
申请日：2018-03-16
申请人：德商卡爾蔡司顯微鏡有限責任公司 , CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH
发明人：瑞德賽爾癸斯得福 , RIEDESEL, CHRISTOF , 列德雷迪瑞克 , ZEIDLER, DIRK
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/06 , H01J37/10
摘要：本發明關於一帶電粒子束系統，其包含：組態以產生第一帶電粒子束的一帶電粒子源；組態以從一入射的第一帶電粒子束產生複數個帶電粒子小波束的一多束產生器，其中複數個帶電粒子小波束的每一個別小波束在空間上與複數個帶電粒子小波束的其他小波束分離；組態以將入射的帶電粒子小波束聚焦於第一平面的一物鏡透鏡，其方式為複數個帶電粒子小波束的第一個別小波束於第一平面中所撞擊的第一區域在空間上與複數個帶電粒子小波束的第二個別小波束於第一平面中所撞擊的第二區域分離；一投射系統及包含複數個個別偵測器的一偵測器系統，其中投射系統組態以將由於撞擊的帶電粒子而離開第一平面內的第一區域的互動產物成像至複數個個別偵測器中的第一個偵測器上，以及將由於撞擊的帶電粒子而離開第一平面內的第二區域的互動產物成像至複數個個別偵測器中的第二個偵測器上。在帶電粒子束系統中，投射系統包含提供低頻調整的第一子組件以及提供高頻調整的第二子組件。
简体摘要：本发明关于一带电粒子束系统，其包含：组态以产生第一带电粒子束的一带电粒子源；组态以从一入射的第一带电粒子束产生复数个带电粒子小波束的一多束产生器，其中复数个带电粒子小波束的每一个别小波束在空间上与复数个带电粒子小波束的其他小波束分离；组态以将入射的带电粒子小波束聚焦于第一平面的一物镜透镜，其方式为复数个带电粒子小波束的第一个别小波束于第一平面中所撞击的第一区域在空间上与复数个带电粒子小波束的第二个别小波束于第一平面中所撞击的第二区域分离；一投射系统及包含复数个个别侦测器的一侦测器系统，其中投射系统组态以将由于撞击的带电粒子而离开第一平面内的第一区域的交互产物成像至复数个个别侦测器中的第一个侦测器上，以及将由于撞击的带电粒子而离开第一平面内的第二区域的交互产物成像至复数个个别侦测器中的第二个侦测器上。在带电粒子束系统中，投射系统包含提供低频调整的第一子组件以及提供高频调整的第二子组件。

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