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31. 发明专利

TWI601151B 電子裝置與驅動方法有权
简体标题：电子设备与驱动方法
公开(公告)号：TWI601151B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW104138758
申请日：2015-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳炎輝 , CHEN, YEN HUEI , 廖宏仁 , LIAO, HUNG JEN , 林志宇 , LIN, CHIH YU , 張琮永 , CHANG, TSUNG YUNG JONATHAN , 吳威震 , WU, WEI CHENG
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/18
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/418

32. 发明专利

TW201732807A 靜態記憶裝置及其靜態記憶胞审中-公开
简体标题：静态记忆设备及其静态记忆胞
公开(公告)号：TW201732807A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105108768
申请日：2016-03-22
申请人：智原微電子(蘇州)有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORPORATION , 智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：張昭勇 , ZHANG, ZHAO-YONG , 李坤地 , LEE, KUN-TI
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412
摘要：靜態記憶裝置及其靜態記憶胞。靜態記憶胞包括資料閂鎖電路、資料寫入電路以及資料讀出電路。資料閂鎖電路包括第一及一第二三態輸出反相電路。資料寫入電路在資料寫入時間週期中提供第一參考電壓以作為第一及第二三態輸出反相電路的其中之一的選中三態輸出反相電路的電源接收端，並提供第二參考電壓至選中三態輸出反相電路的輸入端。資料讀出電路在資料讀出時間週期中依據第二三態輸出反相電路的輸出端上的電壓以及第二參考電壓以產生讀出資料。
简体摘要：静态记忆设备及其静态记忆胞。静态记忆胞包括数据闩锁电路、数据写入电路以及数据读出电路。数据闩锁电路包括第一及一第二三态输出反相电路。数据写入电路在数据写入时间周期中提供第一参考电压以作为第一及第二三态输出反相电路的其中之一的选中三态输出反相电路的电源接收端，并提供第二参考电压至选中三态输出反相电路的输入端。数据读出电路在数据读出时间周期中依据第二三态输出反相电路的输出端上的电压以及第二参考电压以产生读出数据。

33. 发明专利

TW201727834A 記憶體裝置及半導體裝置审中-公开
简体标题：内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TW201727834A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106112242
申请日：2011-08-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C8/08 , G11C11/401 , G11C11/403 , G11C16/02 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/34 , H01L27/1156 , H01L27/1225
摘要：提供一種能夠長時間固持資料的記憶體裝置。記憶體裝置包含記憶元件及電晶體，電晶體用作為切換元件，用以控制記憶元件中的電荷之供應、儲存、及釋出。電晶體包含用以控制臨界電壓之第二閘極電極以及一般閘極電極。此外，由於電晶體的主動層包含氧化物半導體，所以，電晶體的關閉狀態電流相當低。在記憶體裝置中，未藉由高電壓以將電荷注入至絕緣膜圍繞的浮動閘極，而是藉由經過關閉狀態電流相當低的電晶體來控制記憶元件的電荷量，以儲存資料。
简体摘要：提供一种能够长时间固持数据的内存设备。内存设备包含记忆组件及晶体管，晶体管用作为切换组件，用以控制记忆组件中的电荷之供应、存储、及发佈。晶体管包含用以控制临界电压之第二闸极电极以及一般闸极电极。此外，由于晶体管的主动层包含氧化物半导体，所以，晶体管的关闭状态电流相当低。在内存设备中，未借由高电压以将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动闸极，而是借由经过关闭状态电流相当低的晶体管来控制记忆组件的电荷量，以存储数据。

34. 发明专利

TW201727642A 靜態隨機存取記憶體陣列、記憶體裝置以及靜態隨機存取記憶體陣列製造方法审中-公开
简体标题：静态随机存取内存数组、内存设备以及静态随机存取内存数组制造方法
公开(公告)号：TW201727642A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125905
申请日：2016-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： G11C11/413 , G11C11/419 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/414 , G11C11/412 , G11C11/413 , G11C11/417 , G11C11/419 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L27/1104
摘要：一種靜態隨機存取記憶體(SRAM)陣列，包括第一SRAM迷你陣列、第二SRAM迷你陣列以及一SRAM冗餘陣列。第一SRAM迷你陣列包括位於SRAM陣列之第一行中的第一複數功能性SRAM單元，第一複數功能性SRAM單元之每一者係共用第一位元線。第二SRAM迷你陣列包括位於上述第一行中的第二複數功能性SRAM單元，第二複數功能性SRAM單元之每一者係共用第二位元線，第一、第二位元線係分別獨立受到控制。SRAM冗餘陣列係介於第一、第二SRAM迷你陣列之間，SRAM冗餘陣列包括位於上述第一行中的複數SRAM陣列鄰接冗餘單元，第一位元線之第一終端與第二位元線之第二終端係設置於SRAM冗餘陣列中。
简体摘要：一种静态随机存取内存(SRAM)数组，包括第一SRAM迷你数组、第二SRAM迷你数组以及一SRAM冗余数组。第一SRAM迷你数组包括位于SRAM数组之第一行中的第一复数功能性SRAM单元，第一复数功能性SRAM单元之每一者系共享第一比特线。第二SRAM迷你数组包括位于上述第一行中的第二复数功能性SRAM单元，第二复数功能性SRAM单元之每一者系共享第二比特线，第一、第二比特线系分别独立受到控制。SRAM冗余数组系介于第一、第二SRAM迷你数组之间，SRAM冗余数组包括位于上述第一行中的复数SRAM数组邻接冗余单元，第一比特线之第一终端与第二比特线之第二终端系设置于SRAM冗余数组中。

35. 发明专利

TW201727641A 靜態隨機存取記憶體陣列、靜態隨機存取記憶體追蹤單元以及靜態隨機存取記憶體陣列配置方法审中-公开
简体标题：静态随机存取内存数组、静态随机存取内存追踪单元以及静态随机存取内存数组配置方法
公开(公告)号：TW201727641A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125904
申请日：2016-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/06 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/419 , H01L28/00
摘要：一種靜態隨機存取記憶體陣列，包括可寫入靜態隨機存取記憶體單元以及靜態隨機存取記憶體讀取電流追蹤單元。可寫入靜態隨機存取記憶體單元以及靜態隨機存取記憶體讀取電流追蹤單元係設置於靜態隨機存取記憶體陣列之第一列中。靜態隨機存取記憶體讀取電流追蹤單元包括第一讀取下拉電晶體以及第一讀取通道閘電晶體。第一讀取下拉電晶體包括第一閘極、第一源極/汲極以及第二源極/汲極。第一讀取通道閘電晶體包括第三源極/汲極以及第四源極/汲極。讀取追蹤位元線係電性連接至讀取感測放大器時序控制電路。
简体摘要：一种静态随机存取内存数组，包括可写入静态随机存取内存单元以及静态随机存取内存读取电流追踪单元。可写入静态随机存取内存单元以及静态随机存取内存读取电流追踪单元系设置于静态随机存取内存数组之第一列中。静态随机存取内存读取电流追踪单元包括第一读取下拉晶体管以及第一读取信道闸晶体管。第一读取下拉晶体管包括第一闸极、第一源极/汲极以及第二源极/汲极。第一读取信道闸晶体管包括第三源极/汲极以及第四源极/汲极。读取追踪比特线系电性连接至读取传感放大器时序控制电路。

36. 发明专利

TWI587311B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI587311B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW101137513
申请日：2012-10-11
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋星輝 , SONG, SEONG-HWI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/12
CPC分类号： H03K19/20 , H03K19/00361 , H03K19/017509

37. 发明专利

TW201715518A 雙埠靜態隨機存取記憶體胞元审中-公开
简体标题：双端口静态随机存取内存胞元
公开(公告)号：TW201715518A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133775
申请日：2016-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： G11C7/12 , G11C8/08 , H01L21/8244
CPC分类号： G11C11/412 , G11C8/16 , G11C11/417
摘要：本發明揭示一種SRAM胞元，其包含彼此交叉耦合以建立互補之第一資料儲存節點及第二資料儲存節點之第一反向器及第二反向器。一第一存取電晶體包含：一第一源極/汲極區，其耦合至該第一資料儲存節點；一第一汲極/源極區，其耦合至一第一位元線；及一第一閘極區，其耦合至一字線。一第二存取電晶體包含：一第二源極/汲極區，其耦合至該第二互補資料儲存節點；一第二汲極/源極區，其耦合至一第二位元線；及一第二閘極區，其耦合至該字線。一第一虛設電晶體具有耦合至該第一存取電晶體之該第一源極/汲極區之一第一虛設源極/汲極區。一第二虛設電晶體具有耦合至該第二存取電晶體之該第二源極/汲極區之一第二虛設源極/汲極區。
简体摘要：本发明揭示一种SRAM胞元，其包含彼此交叉耦合以创建互补之第一数据存储节点及第二数据存储节点之第一反向器及第二反向器。一第一存取晶体管包含：一第一源极/汲极区，其耦合至该第一数据存储节点；一第一汲极/源极区，其耦合至一第一比特线；及一第一闸极区，其耦合至一字线。一第二存取晶体管包含：一第二源极/汲极区，其耦合至该第二互补数据存储节点；一第二汲极/源极区，其耦合至一第二比特线；及一第二闸极区，其耦合至该字线。一第一虚设晶体管具有耦合至该第一存取晶体管之该第一源极/汲极区之一第一虚设源极/汲极区。一第二虚设晶体管具有耦合至该第二存取晶体管之该第二源极/汲极区之一第二虚设源极/汲极区。

38. 发明专利

TWI579859B 用於高速快閃記憶體系統之位元線調節器有权
简体标题：用于高速闪存系统之比特线调节器
公开(公告)号：TWI579859B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104120310
申请日：2015-06-24
申请人：超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
发明人：錢曉州 , QIAN, XIAOZHOU , 周耀 , ZHOU, YAO , 盛斌 , SHENG, BIN , 彭家旭 , PENG, JIAXU , 朱瑤華 , ZHU, YAOHUA
IPC分类号： G11C7/12 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/24 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/30 , G11C16/3418 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/28 , G11C2029/1204

39. 发明专利

TWI570920B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI570920B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101102035
申请日：2012-01-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 藤井照幸 , FUJII, TERUYUKI , 永松翔 , NAGAMATSU, SHO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/401
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L23/564 , H01L29/36 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78621 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

40. 发明专利

TWI569269B 寫入和驗證電路及用於寫入並驗證電阻性記憶體的方法有权
简体标题：写入和验证电路及用于写入并验证电阻性内存的方法
公开(公告)号：TWI569269B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104114149
申请日：2015-05-04
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：黃科穎 , HUANG, KOYING
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/12
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/79

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